专利名称：供体基底及其制造方法和制造有机发光显示装置的方法
技术领域：
本发明的不例实施例涉及供体基底、制造供体基底的方法以及利用供体基底制造有机发光显示装置的方法。
背景技术：
通常，有机发光显示装置可包括诸如有机发光层、空穴注入层、电子传输层等的各 种有机层。在形成传统有机发光显示装置的有机层的工艺中，喷墨印刷工艺可使用有限量的材料来形成除了发光层之外的有机层，且可以在基底上形成用于喷墨印刷工艺的额外的结构。当使用沉积工艺形成有机层时，因为沉积工艺可使用微小尺寸的金属掩模，所以会难以将沉积工艺应用于具有相对大面积的有机发光显示装置。近来，已经开发出激光诱导热成像工艺用于形成有机发光显示装置的有机层。在传统激光诱导热成像工艺中，来自激光辐射设备的激光束的能量可以被转换为热能，并且供体基底的有机层可以通过所述热能被部分地转印到有机发光显示设备的显示基底上，从而形成有机层图案。为了通过激光诱导热成像工艺来形成有机层图案，可以使用包括转印层的供体基底、激光福射设备和/或显不基底。例如，供体基底和显不基底可以彼此粘附，可以执行激光诱导热成像工艺，以从转印层将有机层图案形成在显示基底上。然而，在传统激光诱导热成像工艺中，在通过利用所述热量完成转印层的转印工艺之后，从显示基底去除供体基底时，显不基底上的有机层图案会被损坏。例如，当从显不基底去除供体基底时，显示基底上的有机层图案会被部分地或全部地撕掉，从而会发生有机发光显示装置的像素故障。
发明内容
本发明的示例实施例针对包括肋结构的供体基底，所述供体基底可从显示基底去除，而不产生像素故障。本发明的示例实施例针对制造包括肋结构的供体基底的方法，所述供体基底可从显示基底去除，而不产生像素故障。本发明的示例实施例针对通过采用包括肋结构的供体基底来制造能够防止或减少像素故障的有机发光显示装置的方法。根据示例实施例，提供一种供体基底，所述供体基底包括基础基底、光热转换层、转印层以及肋结构。光热转换层可以位于基础基底上。转印层可以位于光热转换层上。肋结构可以位于转印层上。肋结构可以包括多个彼此分开的管。在示例实施例中，管可以包括位于管的上部和侧部中的至少一个处的多个开口。在示例实施例中，肋结构还可以包括连接到管的端部的至少一个连接管。
在示例实施例中，所述至少一个连接管可以包括与管的材料基本上相同的材料。在示例实施例中，所述至少一个连接管可以与管一体地形成。在示例实施例中，所述至少一个连接管可以包括第一连接管和第二连接管。第一连接管可以连接到管的第一端部，第二连接管可以连接到管的第二端部。在示例实施例中，肋结构可以包括多个第一管和多个第二管。第一管可以沿第一方向延伸。第二管可以沿第二方向延伸。在示例实施例中，第一管和第二管可以以矩阵的形状布置。在示例实施例中，第一管可以包括位于第一管的上部和侧部中的至少一个处的多个第一开口。第二管可以包括位于第二管的上部和侧部中的至少一个处的多个第二开口。在示例实施例中，位于转印层的中央部分的至少一个第一管可以包括位于第一管 的上部和侧部中的至少一个处的多个第一开口。位于转印层的中央部分的至少一个第二管可以包括位于第二管的上部和侧部中的至少一个处的多个第二开口。在示例实施例中，肋结构还可以包括位于第一管和第二管中的至少一个中的分割壁。在示例实施例中，管可以包括硅、氨基甲酸乙酯或铝。在示例实施例中，管的高度和宽度之间的比可以在大约1.0 0.5和大约
I.O I. O 之间。根据不例实施例，提供一种制造供体基底的方法。在所述方法中，可以在基础基底上形成光热转换层。可以在光热转换层上形成转印层。可以在转印层上形成包括彼此分开的多个管的肋结构。在示例实施例中，形成肋结构的步骤还可以包括在管的上部和侧部中的至少一个处形成多个开口。在示例实施例中，形成肋结构的步骤还可以包括形成连接到管的端部的至少一个
连接管。在示例实施例中，其中，形成肋结构的步骤还可以包括在管的多个第一管上形成第一槽；在管的多个第二管上形成第二槽；通过使第一槽与第二槽对齐将第一管与第二管
彡口口 在示例实施例中，其中，形成肋结构的步骤还可以包括沿第一方向在转印层上布置管的多个第一管；沿第二方向在转印层上布置管的多个第二管。第二管可以与第一管交叉。在示例实施例中，形成肋结构的步骤还可以包括在多个管的第一管和第二管中的至少一个中形成分割壁。根据示例实施例中，提供一种制造有机发光显示装置的方法。在所述方法中，可以在基础基底上形成肋结构，以制造供体基底。肋结构可以包括多个管。基础基底可以包括光热转换层和转印层。可以将供体基底层压到显示基底上。可以在供体基底上辐射激光束，从而从转印层将有机层图案形成在基底上。可以通过肋结构在显示基底和供体基底之间释放气体，从而将供体基底从显示基底去除。在示例实施例中，形成肋结构的步骤可以包括在转印层上布置多个管，管彼此分开；在管的上部和侧部中的至少一个处形成多个开口。
在示例实施例中，管可以以一定距离分开，并且所述距离可以大约与显示基底的像素区域的宽度的整数倍相同。在示例实施例中，形成肋结构的步骤还可以包括形成连接到管的端部的至少一个
连接管。在示例实施例中，形成肋结构的步骤还可以包括在转印层上布置多个第一管，第一管以第一距离彼此分开；在转印层上布置多个第二管，第二管以第二距离彼此分开。在示例实施例中，第一距离可以大约与显示基底的像素区域的水平宽度和竖直宽度中的至少一个的整数倍相同，第二距离可以大约与显示基底的像素区域的水平宽度和竖直宽度中的至少一个的整数倍相同。根据示例实施例，当从显示基底去除供体基底时，可以采用包括含有多个管的肋结构的供体基底。因此，可以在不引起对显不基底的损坏的情况下，容易地去除供体基底，·从而以在显示基底上规则地形成有机层图案。结果，可以防止或减少包括显示基底的有机发光显示装置的像素故障。
通过下面结合附图的描述，可以更详细地理解本发明的示例实施例，在附图中图I是示出根据示例实施例的供体基底的透视图；图2和图3是示出根据示例实施例的制造供体基底的方法的透视图；图4是示出根据示例实施例的在显示基底上形成有机层图案的方法的框图；图5是示出根据示例实施例的制造有机发光显示装置的显示基底的方法的剖视图；图6到图8是示出根据一些示例实施例的在显示基底上形成有机层图案的方法的首丨J视图;图9是示出根据一些示例实施例的供体基底的透视图；图10是示出根据一些示例实施例的供体基底的透视图；图11是示出根据一些示例实施例的供体基底的透视图。
具体实施例方式在下文中，将参照附图更充分地描述本发明的示例实施例，附图中示出了一些示例实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式体现，且不应该被理解为局限于在此描述的示例实施例。相反，提供这些示例实施例使本说明书将是彻底而完整的，并且这些示例实施例将向本领域技术人员全面地传达本发明的范围。在附图中，为了清晰起见，可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,该元件可直接地位于其它元件或层上、直接地连接到或结合到其它元件或层，或者可存在一个或多个中间元件或层。当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”到另一元件或层时，不存在中间元件或层。相同的标号始终指示相同的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列的项目的任意组合和所有组合。
将理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三、第四等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。在这里可使用空间相对术语，诸如“在……下”、“在……下方”、“下面的”、“在……
上方”和“上面的”等，用来方便地描述如图所示的一个元件或特征与其它的元件或特征的关系。应该理解的是，除了附图中描述的方位以外，空间相对术语旨在包括所述装置在使用或者操作中的不同方位。例如，如果在附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下”或“在”其它元件或特征“下方”的元件将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两个方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，并相应地解释在此使用的空间相对描述符。 这里使用的术语仅为了描述特定示例实施例的目的，而不意图限制本发明。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里参照作为理想化的示例实施例(和中间结构)的示意图的剖视图来描述示例实施例。如此，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，示例实施例不应该被解释为局限于在此示出的区域的具体形状，而是应该包括例如由制造导致的形状的偏差。例如，示出为矩形的注入区域在其边缘通常具有倒圆或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的埋置区域可导致在埋置区域和通过其发生注入的表面之间的区域中出现一定程度的注入。因此，在图中所示的区域在本质上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状，也不意图限制本发明的范围。除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。将进一步理解，除非这里明确定义，否则术语例如在通用的字典中定义的术语应该被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思相一致的意思，而不是将以理想的或者过于正式的意义来进行解释。图I是示出根据示例实施例的供体基底的透视图。参照图I，根据示例实施例的供体基底100可包括基础基底110、光热转换层120、缓冲层130、转印层140、肋结构150等。基础基底110可包括具有设定或预定柔性及设定或预定强度的材料。例如，基础基底110可包括透明树脂，诸如，聚对苯二甲酸乙二醇酯类树脂、聚酯类树脂、聚丙烯酰类树脂、聚环氧类树脂、聚乙烯类树脂、聚苯乙烯类树脂等。当基础基底110具有相对小的厚度时，供体基底100可能不容易被处理或加工。当基础基底110具有相对大的厚度时，供体基底100的重量会增加，因此会难以携带供体基底100。因此，基础基底110可以具有大约IOym和大约500 μ m之间的厚度。基础基底110可支撑供体基底100的元件。
光热转换层120可设置在基础基底110上。光热转换层120可包括可将从激光辐射设备辐射的激光束的能量转换为热能的吸光材料。在示例实施例中，光热转换层120可包括含金属层，所述含金属层包括铝(Al)、钥(Mo)、它们的氧化物和/或它们的硫化物。在这种情况下，所述含金属层可具有大约IOnm和大约500nm之间的相对小的厚度。在一些示例实施例中，光热转换层120可包括含有机物层，所述含有机物层包括具有碳黑、石墨和/或红外染料的聚合物。在这种情况下，含有机物层可具有大约IOOmm和大约10 μ m之间的相对大的厚度。可以通过由辐射在光热转换层120上的激光束提供的热能来改变转印层140和光热转换层120之间的粘结强度，因此转印层140可以以设定图案或预定图案被转印到有机发光显示装置的显示基底上。缓冲层130可以设置在光热转换层120和转印层140之间。缓冲层130可包括有机材料。缓冲层130可防止转印层140的有机材料被损坏，且可以控制转印层140和光热转换层120之间的粘结强度。在一些示例实施例中，根据转印层140和/或光热转换层120的材料，供体基底100可以不包括缓冲层130。 转印层140可设置在缓冲层130上。在利用供体基底100制造有机发光显示装置的过程中，转印层140可对应于位于有机发光显示装置的显示基底上的有机发光层。S卩，有机发光层可由供体基底100的转印层140形成。在一些示例实施例中，转印层140还可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。包括多个有机层的有机发光结构可由具有多层结构的转印层140形成在显示基底上。参照图1，肋结构150可设置在转印层140上。肋结构150可包括多个第一管160和多个第二管170。在这种情况下，第一管160和第二管170在转印层140上可以以设定或预定距离彼此分开。在示例实施例中，肋结构150可包括可彼此流体连通的多个第一管160和多个第二管170。在这种情况下，第一管160和第二管170可以基本上布置为矩阵形状或基本上布置为筛网形状。第一管160可在转印层140上沿第一方向延伸为基本上彼此平行。第一管160可以以与有机发光显示装置的像素区域的水平宽度基本对应的第一距离彼此分隔开。例如，第一管160可以以与有机发光显示装置的像素区域的水平宽度基本相同的第一距离分开，或者可以以与有机发光显示装置的像素区域的水平宽度的整数倍基本相同的第一距离分开。第二管170可沿与第一方向基本垂直的第二方向延伸。第二管170也可以在转印层140上布置为基本彼此平行。第二管170可以以与有机发光显示装置的像素区域的纵向宽度基本对应的第二距离彼此分开。例如，第二管170可以以与有机发光显示装置的像素区域的纵向宽度基本相同的第二距离分开，或者可以以与有机发光显示装置的像素区域的纵向宽度的整数倍基本相同的第二距离分开。因此，肋结构150的第一管160和第二管170可以在转印层140上基本彼此垂直地交叉。由第一管160和第二管170的交叉而限定的转印层140的区域可以与有机发光显示装置的像素区域基本对应。例如，由第一管160和第二管170的交叉而限定的转印层140的区域可以具有与像素区域的面积基本相同的面积，或者可以具有与像素区域的面积的整数倍基本相同的面积。在一些示例实施例中，第一管160可以以与像素区域的纵向宽度基本相同的第一距离彼此分开，或者可以以与像素区域的纵向宽度的整数倍基本相同的第一距离彼此分开。在这种情况下，第二管170可以以与像素区域的水平宽度基本相同的第二距离彼此分开，或者可以以与像素区域的水平宽度的整数倍基本相同的第二距离彼此分开。如图I中示出，第一管160可包括多个第一开口 180，第二管170可包括多个第二开口 181。第一开口 180可位于第一管160的上部和侧部上，第二开口 181可位于第二管170的上部和侧部上。例如，第一开口 180可沿第一方向布置，第二开口 181可沿第二方向布置。S卩，第一开口 180和第二开口 181中的每个可沿彼此基本垂直的方向布置。第一开口 180和第二开口 181可以以设定的距离或预定的距离规则地分开，或者可以在第一管160和第二管170上不规则地分开。在示例实施例中，第一管160和第二管170中的每个可具有多边形的截面。例如，第一管160和第二管170可具有各种截面形状，诸如基本上矩形的形状、基本上正方形的形状和/或基本上梯形的形状。在一些示例实施例中，第一管160和第二管170中的每个可具有倒圆的截面。例如，第一管160和第二管170可具有各种倒圆的截面形状，诸如基本半 圆的形状、基本半椭圆的形状和/或面对向上的方向的基本上圆顶的形状。在示例实施例中，第一管160和第二管170中的每个可具有基本上比有机发光显示装置的相邻的像素区域之间的空间或距离小的宽度。例如，第一管160和第二管170中的每个可具有基本上小于大约IOmm的宽度。当第一管160和第二管170的高度相对小时，由于第一管160和第二管170的相对小的表面积，所以第一管160和第二管170不能作为气体的通道，且第一管160和第二管170不能包括第一开口 180和第二开口 181。当第一管160和第二管170的高度相对大时，有机发光显示装置的显示基底和供体基底100的转印层140在下面将描述的层压工艺中可能不接触。因此，依据第一开口 180和第二开口 181的形成以及显示基底和转印层140的接触，第一管160和第二管170可具有设定或预定的高度。例如，第一管160和第二管170可具有大约5mm和大约IOmm之间的高度。在这种情况下，第一管160和第二管170的宽度和高度之间的比可以在大约1.0 O. 5和大约I. O 1.0之间。然而，第一管160和第二管170的宽度和高度可以根据像素区域的尺寸和相邻的像素区域之间的空间而改变。在示例实施例中，第一管160和第二管170中的每个可包括具有设定或预定加工性能和设定或预定弹性的材料。例如，第一管160和第二管170可包括硅、氨基甲酸乙酯(urethane)、铝等。当第一管160和第二管170不具有适当的弹性时，将在下面描述的层压工艺中施加的压力会使第一管160和第二管170损坏。在示例实施例中，供体基底100可包括具有多个第一管160和多个第二管170的肋结构150。在显示基底上形成有机层图案的激光诱导热成像工艺中，肋结构150可以设置在显示基底和转印层140之间。有机层图案可被设置在显示基底上。而后，当从显示基底去除供体基底100时，可以通过第一管160的第一开口 180和第二管170的第二开口 181将空气或不活泼气体释放在显示基底和供体基底100之间。因此，在不损坏位于显示基底上的有机层图案的情况下，可以容易地从显示基底上去除供体基底100。图2和图3是示出根据示例实施例制造供体基底的方法的透视图。图2和图3示出的方法可提供具有与参照图I描述的供体基底的结构基本相同或基本相似的结构的供体基底。
参照图2，可提供包括透明树脂的基础基底110，而后，可在基础基底110上形成光热转换层120。在示例实施例中，形成光热转换层120的步骤可包括在基础基底110上形成含金属层。在这种情况下，光热转换层120可利用铝、钥、它们的氧化物和/或它们的硫化物来形成。在一些示例实施例中，形成光热转换层120的步骤可包括在基础基底110上形成含有机物层。在这种情况下，含有机物层可利用包括碳黑、石墨和/或红外染料的聚合物来形成。当光热转换层120中包括含金属层时，所述含金属层可以通过溅射工艺、蒸发工艺、电子束蒸发工艺等形成。包括所述含金属层的光热转换层120可形成为相对小的厚度。例如，光热转换层120可以在基础基底110上形成为大约IOnm和大约500nm之间的厚度。当光热转换层120包括含有机物层时，所述含有机物层可通过旋转涂覆工艺、刀涂覆工艺(knife coating process)、挤压工艺等形成。在这种情况下,包括含有机物层的光热转换层120可形成为相对大的厚度。例如，光热转换层120可以在基础基底110上形成为大约IOOnm和大约10 μ m之间的厚度。 可在光热转换层120上形成缓冲层130。形成缓冲层130的步骤可包括通过挤压工艺、旋转涂覆工艺和/或刀涂覆工艺在光热转换层120上沉积有机材料。在一些示例实施例中，可以省略在光热转换层120和转印层140之间形成缓冲层130。可在缓冲层130上形成转印层140。可利用高分子量材料或低分子量材料形成转印层140。根据有机发光显示装置的像素区域，转印层140可利用各种有机材料形成。可利用挤压工艺、旋转涂覆工艺、刀涂覆工艺、蒸发工艺、化学气相沉积工艺等形成转印层140。例如，转印层140可以在缓冲层130上形成为大约IOnm到大约500nm之间的厚度。在示例实施例中，转印层140可与有机发光显示装置的有机发光层对应。在一些示例实施例中，转印层140还可包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等。可在转印层140上形成肋结构150。在示例实施例中，形成肋结构150的步骤可包括形成以设定或预定距离分开的第一管160以及形成第二管170。第二管170可以与第一管160流体连通。参照图2和图3，可利用具有设定或预定加工性能和设定或预定弹性的材料形成第一管160和第二管170，而后，可以去除第一管160的部分和第二管170的部分。S卩，可以分别在第一管160和第二管170上形成多个第一槽162 (图2中所示)和多个第二槽172 (图3中所示)。第一槽162和第二槽172可以分别形成在第一管160和第二管170上，以按设定或预定的距离彼此分开。在这种情况下，第一槽162和第二槽172可具有彼此基本相同或基本相似的形状。当第二管170位于第一管160之上时，第二管170上的第二槽172可具有基本上比第一管160上的第一槽162的尺寸小的尺寸。然而，当第一管160位于第二管170上时，第一管160上的第一槽162可具有基本上比第二管170上的第二槽172的尺寸小的尺寸。如图2所示，可在转印层140上形成包括第一槽162的第一管160，并且第一管160沿第一方向延伸。在这种情况下，第一管160可以以与有机发光显示装置的像素区域的水平宽度或像素区域的水平宽度的整数倍基本相同的第一距离分开。在一些示例实施例中，包括第二槽172的第二管170可形成在转印层140上并且第二槽172彼此基本平行。如图3所示，可在第一管160上设置具有第二槽172的第二管170。在这种情况下，第一管160上的第一槽162可以与第二管170上的第二槽172匹配，从而第一管160可与第二管170流体连通。第二管170可连接到第一管160。第二管170可沿与第一方向基本垂直的第二方向延伸。例如，可在转印层140上形成包括第一管160和第二管170的肋结构150，以具有基本矩阵的形状或基本筛网的形状。第二管170可以以与有机发光显示装置的像素区域的纵向宽度或像素区域的纵向宽度的整数倍基本相同的第二距离分开。第一管160和第二管170可利用粘结剂固定在转印层140上。第一管160和第二管170可利用粘结剂彼此固定。在一些示例实施例中，可在转印层140上设置第二管170，而后，可以将第一管160与第二管170结合。在一些示例实施例中，可以将第一管160和第二管170彼此结合，而后，可以将第一管160和第二管170固定在转印层140上。在一些不例实施例中，可以将第一管160和第二管170基本上一体地形成，而后，可以将第一管160和第二管170固定在 转印层140上。可以在第一管160的上部和侧部上形成第一开口(图3中未示出)，可以在第二管170的上部和侧部上形成第二开口(图3中未示出)。可利用具有锋利端部的构件(诸如针、钻头和/或刀)形成第一开口和第二开口。第一开口和第二开口在第一管160和第二管170的上部和侧部可以以设定或预定距离规则地分开或者可以不规则地分开。图4是示出根据示例实施例在显示基底上形成有机层图案的方法的框图。参照图4，可以在步骤SlO中提供有机发光显示装置的显示基底，可以在步骤S20中准备用于在显示装置上形成有机层图案的供体基底。在这种情况下，可以在显示基底上形成开关装置、绝缘层、像素电极和/或像素限定层。供体基底可以具有与参照图I描述的供体基底100的结构基本相同或基本相似的结构。在步骤S30中，供体基底的转印层可以被布置为与显示基底的像素区域相对或面对显示基底的像素区域，并且可以将供体基底层压到显示基底上。供体基底的转印层可以通过供体基底的肋结构而以设定或预定距离与显示基底分开。在这种情况下，肋结构可以具有与参照图I描述的肋结构150基本相同或基本相似的结构。在步骤S40中，可以对供体基底执行激光诱导热成像工艺，以将供体基底的转印层转印到显示基底的像素区域上。因此，可以在显示基底的像素区域上形成有机层图案。
在步骤S50，可以将供体基底从显示基底去除。可以通过供体基底的肋结构在供体基底和显示基底之间提供空气或不活泼气体，从而可以在不损坏显示基底上的有机层图案的情况下容易地去除供体基底。图5是示出根据示例实施例的制造有机发光显示装置的显示基底的方法的剖视图。参照图5,根据不例实施例的显不基底200可包括基底210、在基底210上的开关装置、电连接到开关装置的像素电极260等。显示基底200可包括可以限定多个像素区域的栅极线(未示出)和数据线(未示出)。在形成有机发光显示装置的一个开关装置时，可以在基底210上形成栅电极220，并且可以在基底210上形成栅极绝缘层225以覆盖栅电极220。可以在栅极绝缘层225上形成有源图案230，可以在有源图案230上形成可以彼此分开的源电极235和漏电极237。可以在栅极绝缘层225上形成保护层240，以覆盖源电极235、漏电极237和有源图案230。
开关装置的栅电极220可以接触栅极线中的一条。栅电极220可以利用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物等形成。例如，栅电极220可利用铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钥(Mo)、钛(Ti)、钼(Pt)、银(Ag)、钽(Ta)、钌(Ru)、它们的合金、它们的氮化物、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化镓(GaOx)等形成。这些材料可以单独使用或以它们的组合使用。栅极绝缘层225可以形成在基底210上以覆盖栅极线和栅电极220。栅极绝缘层225可沿栅电极220的轮廓共形地形成。栅极绝缘层225可利用硅化合物、金属氧化物等形成。例如，栅极绝缘层225可利用氧化娃(SiOx)、氮化娃(SiNx)、氧氮化娃(SiOxNy)、氧化铪(HfOx)、氧化错(ZrOx)、氧化铝(AlOx)、氧化钽(TaOx)等形成。这些材料可以单独使用或以它们的组合使用。栅极绝缘层225可具有包含硅化合物和/或金属氧化物的单层结构或多层结构。有源图案230可以利用硅形成。例如，有源图案230可以利用多晶硅、掺杂有杂质的多晶硅、非晶硅、掺杂有杂质的非晶硅、部分结晶硅、含硅的微晶等形成。源电极235可接
触数据线。源电极235和漏电极237可以形成为与栅电极220相邻，且源电极235和漏电极237可以以设定或预定距离分开。源电极235和漏电极237可以利用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物等形成。例如，源电极235和漏电极237可以利用铝、钨、铜、镍、铬、钥、钛、钼、银、钽、钌、它们的合金、它们的氮化物、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化锌、氧化锡、氧化镓等形成。这些材料可以单独使用或以它们的组合使用。可以在栅极绝缘层225上形成保护层240，以覆盖源电极235、漏电极237和有源图案230。保护层240可以沿源电极235、漏电极237和有源图案230的轮廓共形地形成。保护层240可以利用硅化合物形成。例如，保护层240可以利用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、碳氮化硅、氧碳化硅等形成。如图5所示，可以在保护层240上形成绝缘层250。绝缘层250可以利用透明有机材料形成。例如，可以利用丙烯酰类树脂、环氧类树脂、苯酚类树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、不饱和聚酯类树脂、聚苯撑类树脂、聚苯硫醚类树脂、苯并环丁烯(BCB)等形成绝缘层250。这些材料可以单独使用或以它们的组合使用。绝缘层250可具有基本水平的上侧，用来在其上形成有机发光显示装置的元件。可以穿过绝缘层250和保护层240形成开口(例如，孔)，以部分地暴露开关装置的漏电极237。可以在位于显示基底200的像素区域处的绝缘层250上形成像素电极260。可以在穿过绝缘层250和保护层240形成的开口的下部和侧壁上形成像素电极260，从而像素电极260可以电连接到漏电极237。可以利用具有设定或预定反射率或基本透明的材料形成像素电极260。例如，当有机发光显示装置是底部发射型时，像素电极260可以利用诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化镓(GaOx)等的透明导电材料形成。这些材料可以单独使用或以它们的组合使用。像素电极260可以具有包含所述透明导电材料的单层结构或多层结构。可选择地，当有机发光显示装置是顶部发射型时，像素电极260可以利用铝、钨、铜、镍、铬、钥、钛、钼、银、钽、钌、它们的合金、它们的氮化物等形成。在这种情况下，像素电极260可以具有包括所述金属、合金和/或氮化物的单层结构或多层结构。可以在位于显示基底200的像素区域处的绝缘层250和像素电极260上形成像素限定层270。可以利用有机材料或无机材料形成像素限定层270。例如，可以利用诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酰类树脂、聚酰亚胺类树脂和/或丙烯酰类树脂的有机材料，或者诸如硅化合物的无机材料形成像素限定层270。像素限定层270可以将在像素区域中发光的区域限定为发光区域。在参照图5描述的显示基底200中，开关装置可包括具有底栅结构的薄膜晶体管，其中，栅电极220可以设置在基底210上。然而，开关装置的结构可以不限于此。例如，开关装置可以具有栅电极可以设置在半导体层之下的顶栅结构。可选择地，开关装置可以包括氧化物半导体装置，该氧化物半导体装置包括包含半导体氧化物的有源层。图6到图8是示出根据一些示例实施例的在显示基底上形成有机层图案的方法的剖视图。在参照图6到图8描述的方法中，形成有机发光显示装置的显示基底的工艺可以与参照图5描述的形成显示基底200的工艺基本相同或基本相似。在图6到图8中示出的方法中，供体基底可以具有与参照图I描述的供体基底100的结构基本相同或基本相似的结构。图6是示出在显示基底上层压供体基底的步骤的剖视图。 参照图6，可以在包括像素电极260和像素限定层270的显示基底上层压包括肋结构150的供体基底，从而供体基底可以粘附到显不基底。显不基底可以包括设置在基底210上的开关装置、保护层240、绝缘层250和/或像素限定层270。供体基底可包括设置在基础基底110上的光热转换层120、缓冲层120、转印层140和/或肋结构150。在示例实施例中，显示基底可以安装在支撑设备(未示出)上，供体基底可以与显示基底对齐。在这种情况下，肋结构150的第一管和第二管可以对齐为不与显示基底的像素区域重叠。例如，显示基底的像素区域可以与通过第一管和第二管交叉而限定的转印层140的区域基本对应。在将供体基底布置在显示基底上之后，加压构件300可以将压力施加到供体基底，以将包括转印层140、缓冲层130、光热转换层120和基础基底110的供体基底层压到显示基底的像素电极260和像素限定层270上。在这种情况下，可以将供体基底的肋结构150附着到显示基底的像素限定层270，可以将供体基底的转印层140附着到显示基底的像素电极260和像素限定层270。加压构件300可以包括棍子、冠形压力件(crown press)等。在一些示例实施例中，可以通过利用气体而不利用加压构件300来将压力施加到供体基底，从而包括转印层140的供体基底可以被粘附到包括像素电极260和像素限定层270的显示基底。根据上述层压工艺，供体基底可以被粘附到显示基底，且供体基底和显示基底之间的气泡可以被去除。图7是示出在供体基底上辐射激光束的步骤的剖视图。参照图7，可以在供体基底的可以附着到显示基底的部分上辐射利用箭头表示的激光束。在示例实施例中，可以在可以设置有显示基底的像素电极260的区域处辐射激光束。在辐射激光束的区域，转印层140和像素电极260之间的粘结强度可以大于缓冲层130和转印层140之间的粘结强度。因此，转印层140的辐射了激光束的部分可以从缓冲层130去除，有机层图案142(见图8)可以由转印层140形成在像素电极260上。在示例实施例中，可以利用激光诱导热成像工艺在显示基底上形成有机层图案142，从而由于激光束的相对高的分辨率，可以以相对低的成本获得具有相对高的分辨率的有机层图案142。
在示例实施例中，可以在低于大约10_2托的压力下，由转印层140形成有机层图案142。有机层图案142可以在真空室中形成，从而在形成有机层图案142的过程中，可以防止对有机层图案142和显示基底的像素电极260的污染。结果，可以改善包括有机层图案142的有机发光显示装置的寿命。在一些示例实施例中，可以在包含不活泼气体的气氛中形成转印层140。例如，包含不活泼气体的气氛可包括不活泼气体和水蒸气，或不活泼气体和氧气(O2)。例如，不活泼气体可包括氮气(N2)和/或氩气(Ar)，在含有不活泼气体的气氛中水蒸气的浓度可以低于大约lOppm。可选择地，在含有不活泼气体的气氛中氧气(O2)的浓度可以低于大约50ppm。来自外部的氧气和水蒸气可以与包含不活泼气体的气氛容易地混合，从而可以通过控制水蒸气和氧气的浓度来防止有机层图案142的污染。图8是示出从显示基底去除供体基底的步骤的剖视图。如上所述，有机层图案142可从供体基底的转印层140形成在显示基底上，而后，供体基底可以从显不基底去除。·在示例实施例中，第一管和第二管的第一端部可以被封闭，喷嘴可以连接到第一管和第二管的第二端部。来自喷嘴的气体可以在显示基底和供体基底之间被释放。例如，所述气体可包括诸如氮气、氩气等不活泼气体。可以通过第一管的第一开口和第二管的第二开口在显示基底和供体基底之间提供从喷嘴供应到肋结构150的气体。因此，可以从显示基底去除供体基底，供体基底和显示基底之间的分离可以从与第一管和第二管相邻的区域开始。在示例实施例中，可以从显示基底的中央部分的相对大的区域中提供具相对低的吹入压力的气体，从而可以在没有损坏的情况下容易地去除供体基底。结果，可以防止或减少包括显示基底的有机发光显示装置的像素故障。图9是示出根据一些示例实施例的供体基底102的透视图。参照图9，供体基底102可包括基础基底110、光热转换层120、缓冲层130、转印层140、肋结构152等。基础基底110、光热转换层120、缓冲层130和转印层140可以具有与参照图2描述的基础基底110、光热转换层120、缓冲层130和转印层140的结构基本相同或基本相似的结构。肋结构152可以设置在转印层140上。肋结构152可以包括第一管160和至少一个连接管165。第一管160可以基本彼此平行地以设定或预定距离分开。第一管160的第一端部可以连接到连接管165。在一些示例实施例中，第一管160的第一端部和第二端部二者可以连接到连接管165。例如，两个连接管165可以设置在转印层140上。在示例实施例中，第一管160可以在转印层140上沿第一方向或第二方向延伸。第一管160可以以与有机发光显示装置的像素区域的水平宽度或纵向宽度对应的距离分开。例如，第一管160可以以与有机发光显示装置的像素区域的水平宽度或纵向宽度基本相同的距离分开，或者第一管160可以以与所述像素区域的水平宽度或纵向宽度的整数倍基本相同的距离分开。第一管160的第一端部和第二端部中的一个或二者可以连接到连接管165,第一管160可以通过连接管165彼此流体连通。连接管165可以沿与第一管160基本垂直的方向延伸。例如，第一连接管可以连接到第一管160的第一端部，第二连接管可以连接到第一管160的第二端部。
第一管160和连接管165可具有多边形的截面。例如，第一管160和连接管165可具有诸如基本呈矩形、基本呈正方形和/或基本呈梯形的各种截面形状。在一些示例实施例中，第一管160和第二连接管165可具有倒圆的截面。例如，第一管160和连接管165可具有各种倒圆的截面形状，诸如基本呈半圆形、基本呈半椭圆形和/或面对向上的方向的基本呈圆顶形形状。此外，连接管165可具有基本上比第一管160的尺寸大的尺寸。例如，连接管165的宽度和/或高度可以基本上大于第一管160的宽度和/或高度。连接管165可包括与第一管160的材料基本相同或基本相似的材料。例如，连接管165可包括硅、氨基甲酸乙酯、铝等。在这种情况下，连接管165可与第一管160—体地形成。在一些示例实施例中，第一管160可与连接管165结合为彼此基本垂直。如图9所示，第一管160可包括多个第一开口 180。例如，第一开口 180可形成在第一管160的上部上。第一开口 180可以以设定或预定距离规则地分开，或可以不规则地分开。在一些示例实施例中，第一开口 180可与图I示出的第一管160基本相似地形成在第一管160的侧部上。
在图9中示出的供体基底102中，肋结构152可包括基本彼此平行的第一管160。然而，肋结构152的结构可不限于此。例如，肋结构152可包括基本垂直于第一管160的多个第二管。在这种情况下，连接管165可连接到第一管160的第一端部或第二管的第一端部。可选择地，第一连接管和第二连接管可分别连接到第一管160的第一端部和第二管的第一端部。在一些示例实施例中，四个连接管可连接到第一管160和第二管的第一端部和第二端部。例如，第一连接管到第四连接管可以连接到第一管160的第一端部和第二端部二者以及第二管的第一端部和第二端部二者。在示例实施例中，供体基底102可包括具有多个第一管160的肋结构152。在利用激光诱导热成像工艺在显示基底上形成有机层图案的过程中，肋结构152可以设置在显示基底和转印层140之间。因此，当将供体基底102从显示基底去除时，通过第一管160可将气体在显示基底和供体基底102之间释放，从而在不损坏设置在显示基底上的有机层图案的情况下容易地从显不基底去除供体基底102。图10是示出根据一些示例实施例的供体基底104的透视图。参照图10，供体基底104可包括基础基底110、光热转换层120、缓冲层130、转印层140、肋结构154等。基础基底110、光热转换层120、缓冲层130、转印层140可以具有与参照图2描述的基础基底110、光热转换层120、缓冲层130、转印层140的结构基本相同或基本相似的结构。肋结构154可包括多个第一管160和多个第二管170。在图10中示出的肋结构154中，第一管160和第二管170的尺寸、形状和/或布置可以与参照图I描述的第一管160和第二管170的尺寸、形状和/或布置基本相同或基本相似，因此，可以省略其详细描述。如图10所示，第一开口 180可以设置在至少一个第一管160的上部和侧部上，第二开口 181可以设置在至少一个第二管170的上部和侧部上。例如，第一开口 180可设置在供体基底104的中央区域中的第一管160的中央部分上，第二开口 181可设置在供体基底104的中央区域中的第二管170的中央部分上。包括第一开口 180的第一管160可与包括第二开口 181的第二管170基本垂直。S卩，第一开口 180和第二开口 181可设置在肋结构154的中央部分处。在一些示例实施例中，至少一个连接管可以连接到第一管160和/或第二管170的端部。图11是示出根据一些示例实施例的供体基底106的透视图。参照图11，供体基底106可包括基础基底110、光热转换层120、缓冲层130、转印层140、肋结构156等。基础基底110、光热转换层120、缓冲层130和转印层140可以具有与参照图2描述的基础基底110、光热转换层120、缓冲层130和转印层140的结构基本相同或基本相似的结构。如图11所示，肋结构156可包括多个第一管160和多个第二管170。在这种情况下，第一管160和第二管170的尺寸、形状和/或布置可以与参照图I描述的第一管160和第二管170的尺寸、形状和/或布置基本相同或基本相似，因此，可以省略其详细描述。肋结构156还可包括设置在第一管160和/或第二管170中的分割壁190。虽然分割壁190可以设置在图10中的第二管170中，但是分割壁190可以设置在第一管160中 或设置在第一管160和第二管170 二者中。在这种情况下，分割壁190可沿第一方向或第二方向布置，以不扰乱气体通过第一管160和第二管170的流动。因此，当将供体基底106从具有相对大的面积的显示基底上去除时，由于分割壁190使得气压可以维持在设定或预定的压力。因此，可以在不损坏有机层图案的情况下，在具有相对大的面积的有机发光显示装置的显示基底上形成有机层图案。根据示例实施例，当供体基底从显示基底去除时，可以采用包括含有多个管的肋结构的供体基底。因此，在不引起对规则地形成在显示基底上的有机层图案的损坏的情况下，可以容易地去除供体基底。结果，可以防止或减少包括显示基底的有机发光显示装置的像素故障。该有机发光显示装置可以应用于诸如电视机、移动通信设备、监视器、MP3播放器或便携式显示设备等的各种电子电气设备中。前面说明了示例实施例，但是不应被理解为对其的限制。虽然已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易地理解的是，在实质上不脱离示例实施例的新颖的教导和方面的情况下，可以在示例实施例中进行许多变型。因此，所有的这些变型意在包括在如在权利要求及其等同物中所限定的示例实施例的范围内。
权利要求
1.一种供体基底，所述供体基底包括 基础基底； 光热转换层，位于基础基底上； 转印层，位于光热转换层上； 肋结构，位于转印层上，肋结构包括彼此分开的多个管。
2.如权利要求I所述的供体基底，其中，管具有位于管的上部和侧部中的至少一个处的多个开口。
3.如权利要求2所述的供体基底，其中，肋结构还包括连接到管的端部的至少一个连接管。
4.如权利要求3所述的供体基底，其中，所述至少一个连接管包括与管的材料相同的材料。
5.如权利要求3所述的供体基底，其中，所述至少一个连接管与管一体地形成。
6.如权利要求3所述的供体基底，其中，所述至少一个连接管包括第一连接管和第二连接管，第一连接管连接到管的第一端部，第二连接管连接到管的第二端部。
7.如权利要求I所述的供体基底，其中，肋结构包括多个第一管和多个第二管，第一管沿第一方向延伸，第二管沿第二方向延伸。
8.如权利要求7所述的供体基底，其中，第一管和第二管以矩阵的形状布置。
9.如权利要求7所述的供体基底，其中，第一管具有位于第一管的上部和侧部中的至少一个处的多个第一开口，第二管具有位于第二管的上部和侧部中的至少一个处的多个第二开口。
10.如权利要求7所述的供体基底，其中，位于转印层的中央部分的至少一个第一管具有位于第一管的上部和侧部中的至少一个处的多个第一开口，位于转印层的中央部分的至少一个第二管具有位于第二管的上部和侧部中的至少一个处的多个第二开口。
11.如权利要求7所述的供体基底，其中，肋结构还包括位于第一管和第二管中的至少一个中的分割壁。
12.如权利要求I所述的供体基底，其中，管包括硅、氨基甲酸乙酯或铝。
13.如权利要求I所述的供体基底，其中，管的高度和宽度之间的比在1.0 O. 5和I.O I. O 之间。
14.一种制造供体基底的方法，所述方法包括 在基础基底上形成光热转换层； 在光热转换层上形成转印层； 在转印层上形成肋结构，肋结构包括彼此分开的多个管。
15.如权利要求14所述的方法，其中，形成肋结构的步骤还包括在管的上部和侧部中的至少一个处形成多个开口。
16.如权利要求14所述的方法，其中，形成肋结构的步骤还包括形成连接到管的端部的至少一个连接管。
17.如权利要求14所述的方法，其中，形成肋结构的步骤还包括 在管的多个第一管上形成第一槽； 在管的多个第二管上形成第二槽；通过使第一槽与第二槽对齐将第一管与第二管结合。
18.如权利要求14所述的方法，其中，形成肋结构的步骤还包括 沿第一方向在转印层上布置管的多个第一管； 沿第二方向在转印层上布置管的多个第二管，第二管与第一管交叉。
19.如权利要求14所述的方法，其中，形成肋结构的步骤还包括在多个管的第一管和第二管中的至少一个中形成分割壁。
20.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括 在基础基底上形成肋结构，以制造供体基底，肋结构包括多个管，基础基底包括光热转换层和转印层； 将供体基底层压到显不基底上； 在供体基底上辐射激光束，从而在显示基底上由转印层形成有机层图案； 通过肋结构在显不基底和供体基底之间排放气体，以将供体基底从显不基底去除。
21.如权利要求20所述的方法，其中，形成肋结构的步骤包括 在转印层上布置多个管，管彼此分开； 在管的上部和侧部中的至少一个处形成多个开口。
22.如权利要求21所述的方法，其中，管以与显示基底的像素区域的宽度的整数倍相同的距离彼此分开。
23.如权利要求21所述的方法，其中，形成肋结构的步骤还包括形成连接到管的端部的至少一个连接管。
24.如权利要求20所述的方法，其中，形成肋结构的步骤还包括 在转印层上布置多个第一管，第一管以第一距离彼此分开； 在转印层上布置多个第二管，第二管以第二距离彼此分开。
25.如权利要求24所述的方法，其中，第一距离与显示基底的像素区域的水平宽度和竖直宽度中的至少一个的整数倍相同，第二距离与显示基底的像素区域的水平宽度和竖直宽度中的至少一个的整数倍相同。
全文摘要
本发明公开了一种供体基底及其制造方法和一种制造有机发光显示装置的方法。供体基底可包括基础基底、光热转换层、转印层和肋结构。光热转换层可位于基础基底上。转印层可位于光热转换层上。肋结构位于转印层上。肋结构可包括多个彼此分开的管。在激光诱导热成像工艺中，可以在不损坏显示基底的情况下，容易地从显示基底去除包括肋结构的供体基底，从而在显示基底上规则地形成有机层图案。
文档编号H01L21/77GK102891166SQ201210247410
公开日2013年1月23日 申请日期2012年7月17日 优先权日2011年7月19日
发明者宣轸元, 罗兴烈 申请人:三星显示有限公司