接触窗的形成方法
【专利摘要】本发明公开一种接触窗的形成方法，其包括以下步骤：提供基底；形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，其中非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出基底的表面；在基底上形成层间介电层；移除层间介电层的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；移除经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成开口；以及对开口填充导电材料而形成接触窗。
【专利说明】接触窗的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体元件的制造方法，且特别是涉及一种接触窗的形成方法。【背景技术】
[0002]非挥发性存储器元件由于具有可多次数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。
[0003]典型的非挥发性存储器元件，包括多个选择晶体管以及多个存储单元。存储单元一般是被设计成具有堆叠式栅极(Stacked-Gate)结构，其中包括穿隧介电层、浮置栅极(Floating Gate)、栅间介电层以及控制栅极(Control Gate)。选择晶体管一般来说具有选择栅极与栅介电层。为了将这些选择晶体管电连接至位线，通常在选择晶体管之间形成开口并在开口中填入导电材料而形成接触窗，由此使选择晶体管的选择栅极与位线电连接。
[0004]然而，为了提高存储器元件的储存容量，一般是增加单位体积的存储器中的存储单元的数量。不过，存储单元的数量增加使得存储器中各构件更密集。对于反及栅型存储器而言，选择栅极彼此间的距离越来越小。当在选择栅极之间形成接触窗时，由于需要形成高宽比很大的接触窗开口，若使用现有的接触窗的形成方法，则会得到具有底切(under cut)或侧蚀(side etch) /弓形(Bowing)轮廓的接触窗开口，而使得接触窗的长轴方向与欲电连接的基底表面并非垂直。此种底切(under cut)或侧蚀(side etch) /弓形(Bowing)轮廓将导致后续制作工艺中将钨填入接触窗开口后，在接触窗开口中有些部分没有填满钨，在其中产生细缝(seam)，如此将提高接触窗的电阻值，造成不利的影响。此外，随着元件密度缩小，侧蚀(side etch)/瓶状(Bowling)轮廓的接触窗会造成相邻的选择栅极或位线接触窗彼此之间的短路。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明的目的在于提供一种接触窗的形成方法，利用此方法所得到的接触窗的长轴方向几乎与基底表面垂直，且不具有底切或侧蚀/弓形轮廓，因此不容易造成存储器中随着尺寸变小所引起的选择栅极彼此之间以及位线接触窗彼此之间的短路。
[0006]本发明提出一种接触窗的形成方法包括以下步骤:提供基底；形成图案化的非结晶碳层(a-c)或旋涂式涂布材料层(S0HM+UL)，其中非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出基底的表面；在基底上形成层间介电层；移除层间介电层的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；移除经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成开口 ；以及对开口填充导电材料而形成接触窗。
[0007]在本发明的一实施例中，还包括在基底上形成至少一层抗反射层。
[0008]在本发明的一实施例中，在形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层之后，在基底上形成层间介电层之前，还包括在基底上形成衬层。
[0009]在本发明的一实施例中，移除层间介电层的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的方法包括化学机械研磨法。
[0010]在本发明的一实施例中,旋涂式涂布材料层包括涂布硬掩模(SOHM, spin on hardmask)层以及底层(UL, under la / er)。
[0011]在本发明的一实施例中，层间介电层的材质包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
[0012]在本发明的一实施例中，抗反射层的材质包括氮氧化硅。
[0013]在本发明的一实施例中，导电材料的材质为鹤金属。
[0014]在本发明的一实施例中，衬层的材质包括原子层形成氧化层或氮化硅层。
[0015]本发明提出一种存储器的接触窗的形成方法，包括:提供基底，基底上已形成有多个存储器的选择栅极；在这些选择栅极之间，形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；在基底上形成层间介电层；移除层间介电层的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；移除经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成开口 ；以及对开口填充导电材料而于这些选择栅极之间形成接触窗。
[0016]在本发明的一实施例中，还包括在基底上形成至少一层抗反射层。
[0017]在本发明的一实施例中，在这些选择栅极之间，形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层之后，在基底上形成层间介电层之前，更包括在基底上形成衬层。
[0018]在本发明的一实施例中，移除层间介电层的一部分至露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的方法包括化学机械研磨法。
[0019]在本发明的一实施例中，在这些选择栅极之间，形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层包括:在基底上形成非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；以及图案化非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，使经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层位于这些选择栅极之间。
[0020]在本发明的一实施例中，该旋涂式涂布材料层包括涂布硬掩模(S0HM层，spin onhard mask)以及底层(UL，Under layer,)。
[0021]在本发明的一实施例中，层间介电层的材质包括自旋涂布氧化硅(S0D)、硼磷氧化硅(BPSG)。
[0022]在本发明的一实施例中，抗反射层的材质包括氮氧化硅。
[0023]在本发明的一实施例中，导电材料的材质为钨金属。
[0024]在本发明的一实施例中，衬层的材质包括原子层形成氧化层或氮化硅层。
[0025]本发明的接触窗的形成方法所制造出的接触窗，其长轴方向几乎与基底表面垂直，且不具有底切以及侧蚀的现象，因此改善存储器中随着尺寸变小所引起的选择栅极彼此之间以及位线接触窗彼此之间的短路。
[0026]基于上述，本发明的接触窗的形成方法不仅适用于存储器中接触窗的形成，也适用于一般半导体制作工艺中接触窗的形成，而且所形成的接触窗，其长轴方向几乎与基底表面垂直，且不具有底切或侧蚀/弓形轮廓，因此不容易造成存储器中随着尺寸变小所引起的选择栅极彼此之间以及位线接触窗彼此之间的短路。
[0027]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】[0028]图1A至图1D是根据本发明的一实施例所绘示的存储器的接触窗的形成方法的剖面示意图；
[0029]图2A至图2D是根据本发明的另一实施例所绘示的接触窗的制造方法的剖面流程图。
[0030]主要元件符号说明
[0031]100 > 200:某底
[0032]110:存储器
[0033]120:选择晶体管
[0034]122:栅介电层
[0035]124:选择栅极
[0036]130:存储单元
[0037]132:穿隧介电层
[0038]134:浮置栅极
[0039]136:栅间介电层
[0040]138:控制栅极
`[0041]140:非结晶碳层或旋涂式涂布材料层
[0042]150:抗反射层
[0043]151:多层抗反射层
[0044]152:底层抗反射层
[0045]160:衬层
[0046]170:层间介电层
[0047]180:开口
[0048]190:接触窗
【具体实施方式】
[0049]本发明提供一种接触窗的形成方法，以下以存储器制作工艺为例，进行说明。
[0050]图1A至图1D是根据本发明的一实施例所绘示的存储器的接触窗的形成方法的剖面示意图。
[0051]请参照图1A，首先提供基底100，基底100上已形成有存储器110，举例而言，存储器110例如为「反或」(NOR)型以及「反及」(NAND)型存储器。存储器110包括多个选择晶体管120以及多个存储单元130。选择晶体管120包括栅介电层122以及选择栅极124。存储单元130包括穿隧介电层132、浮置栅极134、栅间介电层136以及控制栅极138。
[0052]接着，在基底100上形成非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140。非结晶碳层的形成方法可以采用例如化学气相沉积法等公知的方法。旋涂式涂布材料层的形成方法可以采用例如旋涂法。旋涂式涂布材料层包括SOHM层以及底层(UL)。SOHM层包含硅、碳、氢、氧的有机材料，其中的硅的含量为15%飞0%，碳、氢以及氧的总含量为40%~85%。SOHM层的厚度为30nnT80nm。底层中，碳的含量为40%~70%，氢的含量为30%~70%，氧的含量为2%~10%。底层的厚度为120nnT800nm。具体而言，旋涂式涂布材料层的材质例如是信越化学公司制的旋涂式涂布材料(商品名:S0HM:SHB系列(例如:SHBA940), UL:0DL系列(例如:0DL101))或日产化学公司制的旋涂式涂布材料(商品名SOHM = NCH系列，UL = NCA系列)。非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140所形成的厚度可视欲形成的接触窗的高度而适宜选择。
[0053]接着，请继续参照图1A，在基底100上，可视需要形成至少一层抗反射层150。抗反射层150的形成方法并无限制，可根据抗反射层150的材质而适宜选择。在一实施例中，抗反射层150包括多层抗反射层151以及底层抗反射层152，其中底层抗反射层152形成于多层抗反射层151上。多层抗反射层151的材质例如是氮氧化硅或碳化硅。形成多层抗反射层151的方法例如是化学气相沉积法。底层抗反射层152的材质例如为Nissan ARC176。形成底层抗反射层152的方法例如为旋涂法或辊涂法。
[0054]然后，请参照图1B，图案化非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140，使经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140位于这些选择晶体管120之间。图案化非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140的方法并无特别限定，可使用例如光刻法等。在一实施例中，在选择晶体管120之间且在底层抗反射层152上形成光致抗蚀剂(未图示)，以定义并且保护欲形成接触窗的位置，然后进行曝光，并对没有光致抗蚀剂覆盖的底层抗反射层152、多层抗反射层151以及非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140进行蚀刻，接着去除光致抗蚀剂以及底层抗反射层152，从而得到经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140。此时，多层抗反射层151可不去除而留在非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140上，等到后述移除层间介电层的一部分时在一并去除。如此一来可以减少制作工艺步骤而降低成本。
[0055]之后，请继续参照图1B，为了使所形成的接触窗与后述的层间介电层之间具有更高的绝缘性，在基底100上可形成衬层160。衬层160例如为氧化层或氮化硅层。衬层160的形成方法例如是原子层形成法。所形成的衬层160覆盖在基底100、经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140以及多层抗反射层151上。
[0056]接着，请参照图1C，在基底100上形成层间介电层170。层间介电层170的材质例如是自旋涂布氧化硅(S0D)、硼磷氧化硅(BPSG)。所形成的层间介电层170的表面必须高于经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140。然后，移除层间介电层170的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140。移除层间介电层170的一部分的方法可利用例如化学机械研磨法等来进行。详细而言，利用化学机械研磨法自层间介电层170的表面开始研磨，一直研磨到经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140露出表面。在此阶段中，由于多层抗反射层151位于经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140上，因此在经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140露出表面之前，多层抗反射层151已被去除。
[0057]之后，请参照图1D，移除经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140而形成开口 180。移除的方法并无特别限定，可以利用例如湿蚀刻法或干蚀刻法进行移除，其中干蚀刻法例如是等离子体蚀刻法或反应式离子蚀刻法。若使用湿蚀刻法，则较佳为选择容易对非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140蚀刻而不容易对衬层160或层间介电层170蚀刻的蚀刻液。接着，对开口 180填充导电材料而形成接触窗190。填充导电材料的方法例如是物理气相沉积法、化学气相沉积法、溅镀法、蒸镀法等。导电材料例如是钨金属。所形成的接触窗190的长轴方向与基底表面的夹角大致呈90度。而且，接触窗190中的细缝(seam)形成的高度会低于选择栅极124的顶端。为了提高所填充的导电材料与基底100、衬层160或层间介电层170之间的附着力，可在对开口 180填充导电材料之前，在基底100上形成粘着层(未图示)。此粘着层的材质例如是钛金属或铬金属等。
[0058]本发明利用非结晶碳层或旋涂式涂布材料层定义出欲形成接触窗的位置，然后再移除非结晶碳层或旋涂式涂布材料而形成开口，最后在开口中填入导体材料以形成接触窗。所制造出的接触窗，其长轴方向几乎与基底表面垂直，且不具有底切或侧蚀/弓形轮廓，因此不容易造成存储器中随着尺寸变小所引起的选择栅极彼此之间以及位线接触窗彼此之间的短路。
[0059]以上是将本发明的接触窗的形成方法应用在存储器中的接触窗的形成，然而本发明不限于此，本发明的接触窗的形成方法也可用于一般半导体制作工艺中接触窗的形成。
[0060]图2A至图2D是根据本发明的另一实施例所绘示的接触窗的制造方法的剖面流程图。
[0061]图2A至图2D中，与上述实施例相同的构件赋予相同的兀件符号,相同兀件符号的构件表示可具有相同的材质与功能。本发明的另一实施例的接触窗的制造方法包括以下步骤:提供基底200 ;形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140，其中非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140的两侧露出基底200的表面；在基底200上形成层间介电层170 ;移除层间介电层170的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140 ;移除经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140而形成开口 180 ;以及对开口 180填充导电材料而形成接触窗190。
[0062]基底200可使用例如已形成有半导体元件的基板。形成非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140的区域可根据欲形成接触窗的位置而适宜选择。
[0063]基于上述，本发明的接触窗的形成方法不仅适用于存储器中接触窗的形成，也适用于一般半导体制作工艺中接触窗的形成，而且所形成的接触窗，其长轴方向几乎与基底表面垂直，且不具有细缝以及底切或侧蚀/弓形轮廓，因此不容易造成存储器中随着尺寸变小所引起的选择栅极彼此之间以及位线接触窗彼此之间的短路。
[0064]虽然结合以上实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属【技术领域】中熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。
【权利要求】
1.一种接触窗的形成方法，包括: 提供一基底； 形成图案化的一非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，其中该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出该基底的表面； 在该基底上形成一层间介电层； 移除该层间介电层的一部分以露出经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层； 移除经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成一开口 ；以及 对该开口填充一导电材料而形成一接触窗。
2.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，还包括在该基底上形成至少一层抗反射层。
3.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中在形成图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层之后，在该基底上形成该层间介电层之前，还包括在该基底上形成一衬层。
4.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中移除该层间介电层的一部分以露出经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的方法包括化学机械研磨法。
5.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中该旋涂式涂布材料层包括涂布硬掩模(SOHM)层以及底层(UL)。
6.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中该层间介电层的材质包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。`
7.如权利要求2所述的接触窗的形成方法，其中该抗反射层的材质包括氮氧化硅。
8.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中该导电材料的材质为钨金属。
9.如权利要求3所述的接触窗的形成方法，其中该衬层的材质包括原子层形成氧化层或氮化硅层。
10.一种存储器的接触窗的形成方法，包括: 提供一基底，该基底上已形成有多个存储器的选择栅极； 在该些选择栅极之间，形成图案化的一非结晶碳层或旋涂式涂布材料层； 在该基底上形成一层间介电层； 移除该层间介电层的一部分以露出经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层； 移除经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成一开口 ；以及 对该开口填充一导电材料而于该些选择栅极之间形成一接触窗。
11.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，还包括在该基底上形成至少一层抗反射层。
12.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，其中在该些选择栅极之间，形成图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层之后，在该基底上形成该层间介电层之前，还包括在该基底上形成一衬层。
13.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，其中移除该层间介电层的一部分至露出经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的方法包括化学机械研磨法。
14.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，其中在该些选择栅极之间，形成图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层包括: 在该基底上形成该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；以及图案化该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，使经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层位于该些选择栅极之间。
15.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，其中该旋涂式涂布材料层包括涂布硬掩模(SOHM)层以及底层(UL)。
16.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，其中该层间介电层的材质包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
17.如权利要求11所述的存储器的接触窗的形成方法，其中该抗反射层的材质包括氮氧化硅。
18.如权利要求10所述的存储器的接触窗的形成方法，其中该导电材料的材质为钨金属。
19.如权利要求12所述的接触窗的形成方法，其中该衬层的材质包括原子层形成氧化层或氮化硅层。
【文档编号】H01L21/768GK103531532SQ201210249302
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2012年7月18日 优先权日:2012年7月3日
【发明者】谢荣源, 陈仕锡, 韩敬仁 申请人:力晶科技股份有限公司