专利名称：Ic封装凸块的制造工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及驱动IC封装领域，特别是涉及一种IC封装凸块的制造工艺。
背景技术：
目前业界在驱动IC封装上是使用纯金凸块，为节省成本也有业者推出铜、镍金等组合来取代金。在IC封装过程中，随着封装密度的提高，原本的传统封装形态已经难以满足键合工艺要求，为使其能达到工艺控制要求，我们开发出一些相应的封装技术，提高了产品的可靠性，其中金/钯凸块因其价格及金属本身相对于其他金属的稳定性，使其更具优势。金/钯凸块的制造一般采用电镀方法，将金属沉积后形成。但是，传统的制造过程难以保证凸块的可靠性，其寿命也不佳，不能满足客户的需求。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种IC封装凸块的制造工艺，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种IC封装凸块的制造工艺，包括如下步骤
a、提供一硅片，其中所述硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在所述硅片上至少形成一双层凸块，所述双层凸块覆盖铝垫及硅片护层；
b、在硅片上还至少形成一保护层，在所述保护层上至少形成一导电层；
C、在硅片表面上至少形成一层厚度均一的光阻层，所述光阻层完全覆盖保护层和导电
层；
d、在硅片上对需要形成双层凸块的地方进行曝光和显影；
e、在娃片表面沉积双层凸块；
f、移除硅片表面的光阻层；
g、采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。在本发明一个较佳实施例中，所述双层凸块的沉积过程包括如下步骤
第一，在硅片表面至少沉积一钯层，所述钯层至少覆盖导电层和保护层；
第二，在钯层表面至少沉积一第一金层，所述第一金层至少覆盖导电层、保护层以及钯层。在本发明一个较佳实施例中，所述双层凸块的钯层和第一金层采用电镀方式进行沉积。在本发明一个较佳实施例中，所述电镀过程中将电镀的阴极连接硅片表面。在本发明一个较佳实施例中，所述保护层为钛钨层，所述钛钨层通过溅镀方式形成在硅片上。
在本发明一个较佳实施例中，所述导电层为第二金层，所述第二金层通过溅镀方式形成在钦鹤层上。 在本发明一个较佳实施例中，所述光阻层采用高转速光阻涂布机在硅片表面形成。在本发明一个较佳实施例中，所述硅片上需要形成双层凸块的地方通过曝光显影技术进行显现，所述光罩全部覆盖住双层凸块。在本发明一个较佳实施例中，所述化学蚀刻过程包括如下步骤
第一，利用化学蚀刻将不需要有钛钨的区 域去除；
第二，利用化学蚀刻将多余的金区域去除。本发明的有益效果是本发明IC封装凸块的制造工艺流程简单，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。
图I是本发明驱动IC封装凸块一较佳实施例的结构示意 图2是本发明驱动IC封装结构一较佳实施例的结构示意 图3是图7是本发明IC封装凸块的制造工艺的流程 附图中各部件的标记如下I、第一金层，2、钮!层,3、导电层,4、保护层,5、娃片护层,6、铝垫，7、封装凸块，8、硅片，9、封装基板，10、槽孔，11、光阻层，12、光罩。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。如图I所示为本发明相关的IC封装凸块，其包括招垫6、硅片护层5、保护层4、导电层3和双层凸块。所述铝垫6设置在硅片8上，所述铝垫6与硅片8表面设置有硅片护层5，所述双层凸块设置在铝垫6上，所述双层凸块包括第一金层I和钯层2，所述双层凸块与硅片护层5之间设置导电层3和保护层4。如图2所示为本发明的IC封装结构，其包括硅片8、封装凸块7和封装基板9，所述封装凸块7设置在硅片8表面，所述封装基板9的下表面设置有槽孔10，所述封装凸块7配置于槽孔10内。如图3至图7所示为本发明的一种IC封装凸块的制造工艺，包括如下步骤
首先提供一娃片8,其中所述娃片8上至少形成有一招垫6及一娃片护层5,在所述娃
片8上至少形成一双层凸块，所述双层凸块覆盖铝垫6及硅片护层5。所述铝垫6设置在硅片上用于连接IC内部线路。铝垫6与IC内部线路之间为电性连接，将IC内部信息经由线路传递以达到预期效果。所述铝垫6与硅片表面设置有硅片护层5，其主要作为IC内部线路的保护层，它能够防止水氧或外在环境粉尘的污染，确保IC在一般环境中可以正常运作。如图3所示，在硅片8上还至少形成一保护层4，在所述保护层4上至少形成一导电层3。所述保护层4为钛钨层，钛钨层通过溅镀方式形成在硅片上。所述导电层3为第二金层，所述第二金层通过溅镀方式形成在钛钨层上。如图4所示，在硅片8表面上至少形成一层厚度均一的光阻层11，所述光阻层11全部覆盖保护层4和导电层3。优选地，所述光阻层11采用高转速光阻涂布机在硅片8表面形成。如图5 (a)至图5 (b)所示，在所述硅8片上需要形成双层凸块的地方通过曝光显影技术进行显现，所述光影中的光罩12全部覆盖住双层凸块。如图6所示，在硅片8表面沉积双层凸块。所述双层凸块的沉积过程包括如下步骤
第一，在硅片8表面至少沉积一钯层2，所述钯层至少覆盖导电层3和保护层4 ；
第二，在钯层2表面至少沉积一第一金层I，所述第一金层I至少覆盖导电层3、保护层4以及钯层2。在封装的过程中，金属的硬度是一个关键的考虑因素，金是一个可以提供适当硬度的金属，不仅可以保证片的表面保护层的承受应力，同时也可以避免凸块产生形变，造成相邻两个凸块形成短路。钯是一种极为稳定的材料，其价格只有金的30% (黄金330RMB/g钯117 RMB/g)，且制造凸块的程序上只需要增加一道程序，与铜镍金凸块比起来，不论材料成本或是加工成本都极具市场竞争性。采用金钯凸块的组合既可以降低金凸块的成本，制造流程又不如铜镍金凸块复杂，且钯在空气中不易氧化其产品的可靠度远远超过铜。本发明中，所述双层凸块的钯层2和第一金层I采用电镀方式进行沉积，所述电镀过程中将电镀的阴极连接硅片表面。在凸块的制造过程中由于采用电镀的方式，所以需要一个导电优良的金属当导电层，而金是所有金属中导电性、延展性最好的金属，因此本发明中的封装凸块中采用金作为导电层3。钛钨层主要有两个功能一是当附着层，二是当屏障层。钛钨跟铝垫6能够形成良好的结合性，有效地强化了凸块跟IC的结合强度，另外金跟铝在高温的工作环境下会形成合金，进而影响了 IC的功能，而钛钨层能够阻挡金跟铝形成合金。如图7所示，对硅片8表面的光阻层11进行移除，并采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。所述化学蚀刻过程包括如下步骤
第一，利用化学蚀刻将不需要有钛钨的区域去除；
第二，利用化学蚀刻将多余的金区域去除，从而完整整个制造流程。本发明的IC封装凸块的制造工艺有益效果是
金材料具有稳定性，金和钯材料的价格、加工成本等加起来比目前业界使用的铜镍金凸块更加便宜，对客户更具吸引力；
流程简单，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技
术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
权利要求
1.一种IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤 a、提供一硅片，其中所述硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在所述硅片上至少形成一双层凸块，所述双层凸块覆盖铝垫及硅片护层； b、在硅片上还至少形成一保护层，在所述保护层上至少形成一导电层； C、在硅片表面上至少形成一层厚度均一的光阻层，所述光阻层完全覆盖保护层和导电层； d、在硅片上对需要形成双层凸块的地方进行曝光和显影； e、在娃片表面沉积双层凸块； f、移除硅片表面的光阻层； g、采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。
2.根据权利要求I所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述双层凸块的沉积过程包括如下步骤 第一，在硅片表面至少沉积一钯层，所述钯层至少覆盖导电层和保护层； 第二，在钯层表面至少沉积一第一金层，所述第一金层至少覆盖导电层、保护层以及钯层。
3.根据权利要求2所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述双层凸块的钯层和第一金层采用电镀方式进行沉积。
4.根据权利要求3所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述电镀过程中将电镀的阴极连接硅片表面。
5.根据权利要求I所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述保护层为钛钨层，所述钛钨层通过溅镀方式形成在硅片上。
6.根据权利要求5所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述导电层为第二金
7.根据权利要求I所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述光阻层采用高转速光阻涂布机在硅片表面形成。
8.根据权利要求I所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述硅片上需要形成双层凸块的地方通过曝光显影技术进行显现，所述光罩全部覆盖住双层凸块。
9.根据权利要求6所述的IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，所述化学蚀刻过程包括如下步骤 第一，利用化学蚀刻将不需要有钛钨的区域去除； 第二，利用化学蚀刻将多余的金区域去除。
全文摘要
本发明公开了一种IC封装凸块的制造工艺，包括如下步骤提供一硅片，硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在硅片上至少形成一双层凸块，双层凸块覆盖铝垫及硅片护层；在硅片上还至少形成一保护层，在保护层上至少形成一导电层；在硅片表面上至少形成一层厚度均一的光阻层，光阻层全部覆盖保护层和导电层；在硅片上对需要形成双层凸块的地方进行曝光和显影；在硅片表面沉积双层凸块；移除硅片表面的光阻层；采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。通过上述方式，本发明IC封装凸块的制造工艺流程简单，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。
文档编号H01L21/60GK102856221SQ20121029353
公开日2013年1月2日 申请日期2012年8月17日 优先权日2012年8月17日
发明者余家良 申请人:江苏汇成光电有限公司