一种led扩膜工艺的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种LED扩膜工艺，其特征在于，所述工艺步骤方法如下：打开扩膜机，待温度升至70-74℃；将扩晶环外环放至扩膜机机顶，检查扩膜机上部三顶丝是否能刚好卡住扩晶环外环；将扩晶环内环及撕去玻璃纸的待扩芯片放至扩膜机直升台上，预热5-10秒钟；顺时针按下扩膜机上的四个按钮，扩膜完成，拿出已扩好的芯片，用刀片将其沿扩晶环边缘均匀割下。本发明经对扩膜均匀性的改进后，扩膜后的芯片直径范围为2.8-3.0cm，扩膜均匀性提高，提高了分选、全检、目检的工作效率。
【专利说明】 —种LED扩膜工艺
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种LED扩膜工艺，属于LED生产领域。
【背景技术】
[0002]在LED生产制程后期，分选之前，需要将分解完后的芯片进行扩膜，使芯片上的管芯距离加大，以便分选作业，但传统的扩膜工艺，扩膜后的芯片形状不规则且尺寸变化很大，在2.4至3.2英寸之间，不仅影响美观，而且给全检和分选带来不便，影响工作效率。
【发明内容】
[0003]本发明针对不足，提供一种LED扩膜工艺。
[0004]2.本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种LED扩膜工艺，其特征在于，所述工艺步骤方法如下:
[0005](I)打开扩膜机，待温度升至70_74°C ；
[0006](2)将扩晶环外环放至扩膜机机顶，检查扩膜机上部三顶丝是否能刚好卡住扩晶环外环；
[0007](3)将扩晶环内环及撕去玻璃纸的待扩芯片放至扩膜机直升台上，预热5-10秒钟；
[0008](4)顺时针按下扩膜机上的四个按钮，扩膜完成，拿出已扩好的芯片，用刀片将其沿扩晶环边缘均匀割下。
[0009]本发明的有益效果是:本发明经对扩膜均匀性的改进后，扩膜后的芯片直径范围为2.8-3.0cm，扩膜均匀性提高，提高了分选、全检、目检的工作效率。
【具体实施方式】
[0010]以下对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0011]一种LED扩膜工艺，其特征在于，所述工艺步骤方法如下:
[0012](I)打开扩膜机，待温度升至70_74°C ；
[0013](2)将扩晶环外环放至扩膜机机顶，检查扩膜机上部三顶丝是否能刚好卡住扩晶环外环；
[0014](3)将扩晶环内环及撕去玻璃纸的待扩芯片放至扩膜机直升台上，预热5-10秒钟；
[0015](4)顺时针按下扩膜机上的四个按钮，扩膜完成，拿出已扩好的芯片，用刀片将其沿扩晶环边缘均匀割下。
[0016]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种LED扩膜工艺，其特征在于，所述工艺步骤方法如下: (1)打开扩膜机，待温度升至70-74°C； (2)将扩晶环外环放至扩膜机机顶，检查扩膜机上部三顶丝是否能刚好卡住扩晶环外环； (3)将扩晶环内环及撕去玻璃纸的待扩芯片放至扩膜机直升台上，预热5-10秒钟； (4)顺时针按下扩膜机上的四个按钮，扩膜完成，拿出已扩好的芯片，用刀片将其沿扩晶环边缘均匀割下。`
【文档编号】H01L33/00GK103794685SQ201210452005
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2012年10月29日 优先权日:2012年10月29日
【发明者】马阁华 申请人:马阁华