应用于沟槽型mos器件的沟槽栅的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法，包括以下步骤：(1)在需要制作沟槽栅的硅片上经由光刻和刻蚀的方法形成沟槽；(2)第一栅氧化层的生长；(3)光刻胶的涂布和烘烤；(4)用曝光、显影的方法在沟槽顶角处形成光刻胶图形；(5)用湿法刻蚀的方法去掉除沟槽顶角处以外的第一栅氧化层，保留沟槽顶角处的第一栅氧化层，然后去除光刻胶图形；(6)第二栅氧化层的生长；(7)多晶硅的填充；(8)经由光刻和刻蚀的方法形成最终所需的由多晶硅和栅氧化层组成的沟槽栅结构。本发明解决了传统方法中由于在沟槽顶角处电场集中而导致的击穿电压降低的问题。
【专利说明】应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体集成电路制造工艺，尤其涉及一种应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法。
【背景技术】
[0002]传统的平面型MOS(金属氧化物半导体)器件中，其MOS晶体管的源极、栅极和漏极都位于硅片的水平面上，不仅占用的面积大，而且导通电阻和功耗也较大，无法满足功率器件小型化和低功耗化的要求。而沟槽型MOS器件巧妙地将晶体管的栅极形成于垂直于硅片表面的沟槽内，从而使导通通道转移到硅片的纵向方向，这样做有三个优点:(1)缩小器件面积，进一步提高器件集成密度，(2)有效降低了导通电阻和功耗，(3)基本消除了空穴在P讲的横向流动，有效地抑制了 pnpn闩锁效应(pnpn闩锁效应是指当器件的工作电流比闩锁临界电流大时，器件的寄生pnpn管会导通，而此时实际控制器件的MOS管可能还没导通，因此就无法由外电路通过MOS管来控制器件的关断)。因此沟槽型MOS器件被普遍应用于功率器件。
[0003]在沟槽型MOS器件制造工艺中，晶体管的栅极在沟槽内部形成，用来控制MOS器件的开与关，因此沟槽栅的制作是非常关键和重要的工艺，图1是传统沟槽栅的结构，其制备工艺主要包括以下步骤:(I)在需要制作沟槽栅的硅片100上经由光刻和刻蚀的方法形成沟槽200 ； (2)使用湿法清洗或牺牲氧化的方法去除沟槽表面的缺陷和杂质；(3)栅氧化层800的生长；(4)多晶硅600的填充；(5)经由光刻和刻蚀的方法形成最终所需的由多晶硅600和栅氧化层800组成的沟槽栅结构。在上述方法中，因为步骤(I)所形成的沟槽顶角700很尖(90°直角)，电荷容易在此累积并形成较密集的电场(尖端放电)，在施加同样的外部电压的情况下，容易在沟槽顶角700处发生电击穿(Break down)而形成漏电，而在沟槽的侧壁和底部因为没有电场的累积而不容易发生击穿，因此沟槽顶角700处的击穿电压(BV:Breakdown Voltage)通常都会小于沟槽的侧壁和底部的击穿电压,而沟槽顶角700处的击穿电压决定了整个器件的击穿电压。因此在传统工艺中，往往因为在沟槽顶角700处容易发生电击穿而降低了整个器件的击穿电压。
【发明内容】
[0004]本发明解决的技术问题是提供一种应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法，通过增加沟槽顶角处栅氧化层的厚度，使该处的击穿电压提高到与沟槽侧壁和底部相当甚至更高的水平，以解决传统方法中由于在沟槽顶角处电场容易集中而导致的击穿电压降低的问题。
[0005]为解决上述技术问题，一种应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:
[0006]( I)在需要制作沟槽栅的硅片上经由光刻和刻蚀的方法形成沟槽；
[0007](2)第一栅氧化层的生长；[0008](3)光刻胶的涂布和烘烤；
[0009](4)用曝光、显影的方法在沟槽顶角处形成光刻胶图形；
[0010](5)用湿法刻蚀的方法去掉除沟槽顶角处以外的第一栅氧化层，保留沟槽顶角处的第一栅氧化层，然后去除光刻胶图形；
[0011](6)第二栅氧化层的生长；
[0012](7)多晶硅的填充；
[0013](8)经由光刻和刻蚀的方法形成最终所需的由多晶硅和栅氧化层组成的沟槽栅结构。
[0014]在步骤(1)中，所述沟槽是以光刻胶图形为掩膜刻蚀硅片形成，或以介质膜图形为掩膜刻蚀硅片 形成。
[0015]在步骤(2)中，在所述第一栅氧化层生长之前，优选地，使用湿法清洗或牺牲氧化或两者相结合的方法去除沟槽表面的缺陷和杂质，所述的湿法清洗包括:用氢氟酸去除沟槽表面的自然氧化层，用氢氧化铵和过氧化氢去离子水的混合液去除沟槽表面的颗粒和有机物杂质，以及用盐酸和过氧化氢去离子水的混合液去除沟槽表面的金属杂质；所述的牺牲氧化是指先通过热氧化的方法使沟槽表面的硅和氧气或水蒸汽反应生成二氧化硅，然后再通过湿法刻蚀的方法去除所述的二氧化硅，以达到去除沟槽表面的缺陷和杂质的目的。所述第一栅氧化层使用热氧化法生长，其生长温度为750-1100°C，且所述第一栅氧化层的厚度为50-5000纳米，且所述第一栅氧化层的厚度大于后续步骤(6)所述第二栅氧化层的厚度。
[0016]在步骤(3)中，所述光刻胶为负性光刻胶，且所述负性光刻胶涂布之后要能完全覆盖步骤(1)中所述沟槽的底部和侧面、以及所述硅片的表面；所述光刻胶的涂布采用旋涂或喷涂的方式。
[0017]在步骤(4)中，所述曝光、显影的方法是指使用掩模版在沟槽顶角处进行曝光，使沟槽侧壁和硅片表面的负性光刻胶仅在靠近沟槽顶角处的部分被曝光，显影后在沟槽顶角处形成光刻胶图形。
[0018]在步骤(5)中，所述的湿法刻蚀使用氢氟酸为主要刻蚀剂，所述的湿法刻蚀以步骤(4)所形成的光刻胶图形为刻蚀掩膜。
[0019]在步骤(6)中，所述第二栅氧化层使用热氧化法生长，其生长温度为750-1100°C，所述第二栅氧化层的厚度为50-5000纳米，且小于步骤(2)中所述第一栅氧化层的厚度。在所述第二栅氧化层生长之前，使用湿法清洗方法去除沟槽表面的缺陷和杂质；所述湿法清洗方法包括:用氢氧化铵和过氧化氢去离子水的混合液去除沟槽表面的颗粒和有机物杂质，以及用盐酸和过氧化氢去离子水的混合液去除沟槽表面的金属杂质。
[0020]在步骤(7)中，所述的多晶硅被用作为沟槽栅的导电电极，使用化学气相淀积方法在沟槽内填充多晶硅。
[0021]在步骤(8)中，在所述光刻之前，可选地，采用干法回刻或化学机械研磨的方法对步骤(7)所形成的多晶硅进行平坦化处理。
[0022]和现有技术相比，本发明具有以下有益效果:本发明通过增加沟槽顶角处栅氧化层的厚度，使该处的击穿电压提高到与沟槽侧壁和底部相当甚至更高的水平，从而解决了传统方法中由于在沟槽顶角处电场容易集中而导致的击穿电压降低的问题。【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1是传统的沟槽型MOS器件中的沟槽栅结构示意图；
[0024]图2是本发明的应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法流程图；
[0025]图3是本发明的应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法流程剖面示意图；其中，图3(A)是本发明方法的步骤(I)完成后的示意图；图3?)是本发明方法的步骤(2)完成后的示意图；图3(0是本发明方法的步骤(3)完成后的示意图；图3(0)是本发明方法的步骤(4)完成后的示意图；图3?)是本发明方法的步骤(5)完成后的示意图；图3(的是本发明方法的步骤(6)完成后的示意图，图3(G)是本发明方法的步骤(7)完成后的示意图；图3(H)是本发明方法的步骤(8)完成后的示意图。
[0026]图中附图标记说明如下:
[0027]100-硅片，200-沟槽，300-第一栅氧化层，301-沟槽顶角处的第一栅氧化层，400-负性光刻胶，401-光刻胶图形，500-第二栅氧化层，600-多晶硅，700-沟槽顶角，800-栅氧化层，900-掩膜版。
【具体实施方式】
[0028]下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
[0029]本发明一种应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法，其工艺流程如图2和图3所示，具体包括以下步骤:
[0030](I)如图3⑷所示，在需要制作沟槽栅的硅片100上经由光刻和刻蚀的方法形成沟槽200:所述沟槽200是以光刻胶图形(图中未示出)为掩膜刻蚀硅片形成，或以介质膜图形(图中未示出)为掩膜刻蚀硅片形成，优选地，本实施例采用以光刻胶图形为掩膜，经过干法刻蚀娃片100的基底娃，去除光刻I父以后获得如图3(A)所不的沟槽200。
[0031](2)如图3(B)所示，在全硅片上生长第一栅氧化层300:所述第一栅氧化层300使用热氧化法生长，其生长温度为750-1100°C，且所述第一栅氧化层300的厚度为50-5000纳米，为了获得高质量的栅氧化层，一般在生长栅氧化层之前，会使用湿法清洗或牺牲氧化或两者相结合的方法去除沟槽200表面的缺陷和杂质，所述的湿法清洗包括用氢氟酸去除沟槽200表面的自然氧化层、用SCl溶液(氢氧化铵/过氧化氢去离子水的混合液)去除沟槽200表面的颗粒和有机物杂质以及用SC2溶液(盐酸/过氧化氢去离子水的混合液)去除沟槽200表面的金属杂质，所述的牺牲氧化是指先通过热氧化的方法使沟槽200表面的硅和氧气或水蒸汽反应生成二氧化硅，然后再通过湿法刻蚀的方法去除所述的二氧化硅，以达到去除沟槽200表面的缺陷和杂质的目的。
[0032](3)如图3(C)所示，光刻胶的涂布和烘烤:所述光刻胶为负性光刻胶400，通过调节涂布程序，使所述负性光刻胶400涂布之后要能完全覆盖步骤(I)中所述沟槽200的底部和侧面、以及所述硅片100的表面，当所需要填充的沟槽200较浅时(如小于50微米)，所述涂布可以使用旋涂的方式，当所需要填充的沟槽200较深时(如大于50微米)，所述涂布可以使用喷涂的方式。
[0033](4)如图3(D)所示，用曝光、显影的方法在沟槽顶角700处形成光刻胶图形401 ；使用掩模版900在沟槽顶角700处进行曝光，使沟槽200侧壁和硅片100表面(即沟槽200上表面)的负性光刻胶400仅在靠近沟槽顶角700处的部分被曝光，其他部分不曝光，而靠近沟槽200底部侧壁的负性光刻胶400因为其深度较大以及顶部侧壁负性光刻胶400对曝光光强的吸收，它不能被曝光，因此基于负性光刻胶的特性(即曝光部分不溶于显影液，而未曝光部分溶于显影液)，显影后可在沟槽顶角700处形成光刻胶图形401。
[0034](5)如图3(E)所示，用湿法刻蚀的方法去掉除沟槽顶角700处以外的第一栅氧化层300，保留沟槽顶角处的第一栅氧化层301，然后去除光刻胶图形401:所述的湿法刻蚀可以使用业界常用的氢氟酸为主要刻蚀剂，所述的湿法刻蚀以步骤⑷所形成的光刻胶图形401为刻蚀掩膜，为了防止干法刻蚀中等离子体对已形成的沟槽顶角处的第一栅氧化层301的物理轰击损伤，所述的去除光刻胶图形401的方法一般不使用干法刻蚀，而使用业界常用的以硫酸和双氧水的混合液体为主要刻蚀剂的湿法刻蚀。
[0035](6)如图3(F)所示，在全硅片上生长第二栅氧化层500 ;所述第二栅氧化层500使用热氧化法生长。其生长温度为750-1100°C，所述第二栅氧化层500的厚度为50-5000纳米，因为在沟槽顶角700处容易发生电场积累而发生电击穿，因此为了使沟槽顶角700处的击穿电压和沟槽侧壁和底部的击穿电压相当甚至更高，步骤(2)中所述第一栅氧化层300的厚度要大于所述第二栅氧化层500的厚度，需要说明的是，在第二栅氧化层500的生长之前，因为沟槽顶角处的第一栅氧化层301的存在，因此就不能再使用如步骤(2)所述的氢氟酸湿法清洗法和/或牺牲氧化法来去除沟槽200表面的缺陷和杂质，但可以使用SCl和SC2溶液清洗法。
[0036](7)如图3 (G)所示，多晶硅600的填充:所述的多晶硅600被用作为沟槽栅的导电电极，可以使用业界常用的CVD(化学气相淀积)方法淀积。
[0037](8)如图3⑶所示，经由光刻和刻蚀的方法形成最终所需的由多晶硅600和栅氧化层(包括沟槽顶角处的第一栅氧化层301和沟槽侧壁和底部的第二栅氧化层500)组成的沟槽栅结构:在所述光刻之前，可选地，采用干法回刻或化学机械研磨的方法对步骤(6)所形成的多晶硅600进行平坦化处理，以提高光刻工艺的DOF (D印th of Focus:聚焦深度)。本发明通过增加沟槽顶角700处栅氧化层的厚度(沟槽顶角处的第一栅氧化层301的厚度要大于沟槽侧壁和底部的第二栅氧化层500的厚度，见如图3(G))，使沟槽顶角700处的击穿电压提高到与沟槽侧壁和底部相当甚至更高的水平，从而解决了传统方法中由于在沟槽顶角处电场容易集中而导致的击穿电压降低的问题。
【权利要求】
1.一种应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)在需要制作沟槽栅的硅片上经由光刻和刻蚀的方法形成沟槽； (2)第一栅氧化层的生长； (3)光刻胶的涂布和烘烤； (4)用曝光、显影的方法在沟槽顶角处形成光刻胶图形； (5)用湿法刻蚀的方法去掉除沟槽顶角处以外的第一栅氧化层，保留沟槽顶角处的第一栅氧化层，然后去除光刻胶图形； (6)第二栅氧化层的生长； (7)多晶硅的填充； (8)经由光刻和刻蚀的方法形成最终所需的由多晶硅和栅氧化层组成的沟槽栅结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述沟槽是以光刻胶图形为掩膜刻蚀硅片形成，或以介质膜图形为掩膜刻蚀硅片形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，在所述第一栅氧化层生长之前，使用湿法清洗和/或牺牲氧化的方法去除沟槽表面的缺陷和杂质。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述第一栅氧化层使用热氧化法生长，其生长温度为750-1100°C ;所述第一栅氧化层的厚度为50-5000纳米，且所述第一栅氧化层的厚度大于后续步骤(6)所述第二栅氧化层的厚度。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述的湿法清洗包括:用氢氟酸去除沟槽表面的自然氧化层，用氢氧化铵和过氧化氢去离子水的混合液去除沟槽表面的颗粒和有机物杂质，以及用盐酸和过氧化氢去离子水的混合液去除沟槽表面的金属杂质；所述的牺牲氧化是指先通过热氧化的方法使沟槽表面的硅和氧气或水蒸汽反应生成二氧化硅，然后再通过湿法刻蚀的方法去除所述的二氧化硅，以达到去除沟槽表面的缺陷和杂质的目的。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述光刻胶为负性光刻胶，且所述负性光刻胶涂布之后要能完全覆盖步骤(1)中所述沟槽的底部和侧面、以及所述硅片的表面；所述光刻胶的涂布采用旋涂或喷涂的方式。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述曝光、显影的方法是指使用掩模版在沟槽顶角处进行曝光，使沟槽侧壁和硅片表面的负性光刻胶仅在靠近沟槽顶角处的部分被曝光，显影后在沟槽顶角处形成光刻胶图形。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述的湿法刻蚀使用氢氟酸为主要刻蚀剂，所述的湿法刻蚀以步骤(4)所形成的光刻胶图形为刻蚀掩膜。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(6)中，所述第二栅氧化层使用热氧化法生长，其生长温度为750-1100°C，所述第二栅氧化层的厚度为50-5000纳米，且所述第二栅氧化层的厚度小于步骤(2)中所述第一栅氧化层的厚度。
10.根据权利要求1或9所述的方法，其特征在于，在步骤(6)中，在所述第二栅氧化层生长之前，使用湿法清洗方法去除沟槽表面的缺陷和杂质；所述湿法清洗方法包括:用氢氧化铵和过氧化氢去离子水的混合液去除沟槽表面的颗粒和有机物杂质，以及用盐酸和过氧化氢去离子水的混合液去除沟槽表面的金属杂质。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(7)中，所述的多晶硅被用作为沟槽栅的导电电极，使用化学气相淀积方法在沟槽内填充多晶硅。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(8)中，在所述光刻之前，采用干法回刻或化学机械研磨的方法对步骤(7)所形成的多晶硅进行平坦化处理。
【文档编号】H01L21/28GK103839791SQ201210473216
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年11月21日 优先权日:2012年11月21日
【发明者】郭晓波, 孟鸿林 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司