蒽化合物以及包含该蒽化合物的有机发光二极管的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种蒽化合物和包含该蒽化合物的有机发光二极管。有机发光二极管包括至少两个在第一电极和第二电极之间形成的叠层，以及在该叠层之间形成的包括N-型CGL和P-型CGL的电荷产生层(CGL)，其中N-型CGL由蒽化合物形成。
【专利说明】蒽化合物以及包含该蒽化合物的有机发光二极管
[0001]本申请要求于2012年9月3日提交的韩国专利申请10-2012-0097356号的权益，其在此引入作为参考用于所有目的，如同在此完全阐明一样。
【技术领域】
[0002]本申请涉及一种有机发光二极管(OLED)，更具体地，涉及一种包含蒽化合物的有机发光二极管(OLED)。
【背景技术】
[0003]最近，平板显示器(FPD)的重要性随着多媒体的发展而不断增加。因此，各种显示器例如液晶显示器(IXD)、等离子体显示板(PDP)、场发射显示器(FED)、和有机发光二极管(OLED)得以商业化。
[0004]特别是，OLED具有不超过1ms的高响应速度、消耗少量的能量、并且是自发光的。另外，因为对于视角不存在问题，OLED作为电影显示介质不论设备大小均具有优势。另外，因为OLED可以在低温下制造，并基于常规的半导体工艺技术具有简单的制造工艺，因此OLED作为下一代FPD而受到重视。
[0005]OLED包括阳极电极和阴极电极之间的发光层，使得由阳极电极提供的空穴和由阴极电极提供的电子在发光层中彼此结合形成激子，即空穴和电子的配对。通过激子回到基态产生能量发射出光。
[0006]OLED发展出了多种结构。其中，开发出了多个发光层层叠的串联型0LED。串联型OLED具有以下结构:在阳极电极和阴极电极之间层叠由多个各自由空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/发光层/电子传输层(ETL)/电子注入层(EIL)形成的叠层。特别是，将由N-型CGL和P-型CGL形成的电荷产生层(CGL)设置在叠层之间从而产生电荷或将电荷注入到发光层中。
[0007]然而，在CGL中，由于N-型CGL和P-型CGL间存在能级差，将通过电荷产生在P-型CGL和邻近空穴注入层之间的界面上产生的电子注入到N-型CGL的特性是不足的。另外，当常规的N-型CGL掺杂有碱金属时，碱金属会扩散到P-型CGL中导致OLED的寿命减少。
【发明内容】
[0008]本发明致力于提供一种蒽化合物以及包含该蒽化合物的有机发光二极管(OLED)，其中提供了一种新型N-型CGL从而降低了 OLED的驱动电压，提高了 OLED的发光效率，并且延长了 OLED的寿命。
[0009]一方面，存在式1所示的蒽化合物，
[0010][式1]
[0011]
【权利要求】
1.一种如式I所示的蒽化合物， [式I]
2.如权利要求1所述的蒽化合物，其中为选自由
3.如权利要求1所述的蒽化合物，其中R6为选自由氢、
4.一种有机发光二极管(OLED),包括: 至少两个在第一电极和第二电极之间形成的叠层，以及 在该叠层之间形成的包括N-型CGL和P-型CGL的电荷产生层(CGL)， 其中所述N-型CGL由根据权利要求1-3任一项所述的蒽化合物形成。
5.如权利要求4所述的OLED，其中每个叠层包括形成在所穿插的发光层一侧的空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)以及形成在另一侧的电子传输层(ETL)。
6.如权利要求5所述的OLED，其中所述叠层中与第二电极相邻的叠层进一步包括电子注入层(EIL)。
7.如权利要求4所述的OLED，其中所述叠层的发光层发出不同颜色的光成分。
8. 如权利要求4所述的0LED，其中所述N-型CGL掺杂有碱金属。
【文档编号】H01L51/50GK103664746SQ201210596401
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年12月18日 优先权日:2012年9月3日
【发明者】金孝锡, 徐正大, 全银珠, 金信韩 申请人:乐金显示有限公司