专利名称：镀膜基板及镀膜设备的制作方法
技术领域：
本实用新型属于显示技术领域，特别是涉及便于基板边缘识别的镀膜基板及镀膜设备。
背景技术：
随着社会进步及科技发展，薄膜晶体管液晶显示器(TFT-IXD)已经成为当今时代显示领域的主流产品，在エ业生产、日常生活中起到了至关重要的作用，越来越受到人们的
青睐。 现有的TFT-IXD生产エ艺中，有各种光学边缘检测设备或探测器来探测TFT玻璃基板(Glass)边缘，在产线中这些设备或探測器都是固定的，但玻璃基板边缘的物理条件随着附着在其上面的膜层(Film)的变化而变化，进而可能导致个别边缘探测系统在特定情形下失效，也就是无法识别膜层边缘(Film Edge)和玻璃基板边缘(Glass Edge)。光学边缘探测识别往往都是基于光亮度梯度的变化来判断是否有边缘存在(參考中国专利02152223. 5)。对于特定的光学边缘探测设备，总有自己对应的边缘识别算法，无论何种算法都有自己的适用范围，在其适用范围之外的个别特殊边缘就有可能被误识别。例如阵列基板的打标机(TNT185F Toray Engineering Co. Ltd. Japan)在识别玻璃基板上镀的32寸栅极(Gate)膜时就出现玻璃基板边缘识别错误的现象。其原因就是镀膜设备上夹板2的边缘为直角结构，上夹板2夹紧玻璃基板4镀膜后，由于靶材材料向上夹板2和玻璃基板4之间间隙的扩散，膜层5的边缘会形成斜坡形结构(如图I、图2所示)，通常膜层边缘6斜坡的倾角a在60度至80度之间，与基板边缘9的90度直角接近。进行边缘探測时探测到的镀膜基板边缘的灰度变化如图2所示，膜层边缘6处的亮度梯度与基板边缘9处的亮度梯度接近(即图2中II的灰度变化率接近于I的灰度变化率)，打标机有可能根据膜层边缘6处的灰度变化，将膜层边缘6识别为基板边缘。在光学边缘探测设备一定，同时物体边缘条件在一定范围内可变(膜层边缘条件无特殊要求，例如其坡度可以调整)的前提下，我们可以换种思路，尝试从エ艺上改变物体边缘条件，来适应光学边缘探測器，使其边缘识别达到最佳。
实用新型内容(一 )要解决的技术问题本实用新型要解决的技术问题是改变玻璃基板上膜层的边缘条件，提高其与玻璃基板边缘的光亮度梯度差异，提高玻璃基板边缘识别率。( ニ )技术方案为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种镀膜基板，在基板上覆盖有膜层，膜层的边缘截面呈斜坡形，斜坡的长度大于800 u m。优选地，所述斜坡的长度大于等于1400 ilm。[0012]本实用新型还提供了ー种制作上述镀膜基板的镀膜设备，该镀膜设备包括靶材和基板夹具，所述基板夹具位于靶材的下方，所述基板夹具包括上夹板和下托板，所述上夹板和下托板之间有压カ调节装置，用于调节上夹板和下托板夹紧基板的压力。 其中，压カ调节装置为安装在上夹板和下托板之间的压缩弹簧。其中，上夹板中央开ロ的边缘截面为向外突出的弧形。其中，上夹板中央开ロ的边缘截面为向内侧倾斜的斜面。(三)有益效果上述技术方案具有如下优点本实用新型镀膜设备制作的镀膜基板降低了膜层边缘的厚度梯度，使透过膜层边缘的光亮度梯度发生显著变化，区别于基板边缘透过的光亮度梯度，进而提闻了基板边缘识别率。
图I是现有技术中镀膜装置结构示意图；图2是现有技术镀膜基板边缘探测时的灰度图；图3是本实用新型实施例一中镀膜装置结构示意图；图4是本实用新型实施例一中镀膜基板边缘探测时的灰度图；图5是本实用新型实施例ニ中镀膜装置上夹板边缘结构示意图。其中，I :靶材；2 :上夹板；3 :下托板；4 :玻璃基板；5 :膜层；6 :膜层边缘；7 :压カ调节装置；8 :上夹板边缘；9 :基板边缘。
具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式
作进ー步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。实施例一本实施例中的镀膜设备如图3所示。靶材I的下方装有基板夹具，玻璃基板4夹在基板夹具的上夹板2和下托板3之间。上夹板边缘8截面为椭圆弧形。上夹板2和下托板3之间设有压カ调节装置7，该压カ调节装置由弾性材料制成，例如可采用压缩弹簧，用于控制上夹板2和下托板3夹紧基板的压カ。采用上述实施例中的镀膜设备对玻璃基板4进行镀膜时，靶材I溅射出来的靶材原子/分子附着在玻璃基板4上，形成膜层5，膜层5的厚度通常小于0. 4 y m。虽然上夹板2紧压玻璃基板4 (为更加清楚的表示上夹板与玻璃基板和膜层的结构关系，放大了图I、图
3、图5中的上夹板与玻璃基板的距离。实际中上夹板是将玻璃基板紧压在下托板上的)，依然会有靶材原子/分子从其接触位置的缝隙渗入上夹板2和玻璃基板4的接触区域，使膜层5的边缘呈现斜坡形。对压カ调节装置7进行调整，减小上夹板2与玻璃基板4之间的压力，会増大靶材原子/分子渗入的程度，延长膜层边缘6的斜坡，使斜坡的坡度减小。随着斜坡坡度的减小，进行边缘探测时，膜层边缘6的亮度梯度也随之减小，从而増大了膜层边缘6和基板边缘9的亮度梯度的差距，使基板边缘9识别的准确性更高。如图4中所示，采用本实用新型所镀膜层边缘6斜坡长度可以达到800 u m以上，此时即可明显降低膜层边缘的厚度梯度，使透过膜层边缘的光亮度梯度发生显著变化。进ー步地，在膜层边缘6斜坡长度达到MOOym及以上吋，斜坡的倾角P小于0.016度，相比现有技术远小于基板边缘9的90度直角；进行边缘探测时膜层边缘6的亮度梯度相比图2中所示现有技术中膜层边缘6的亮度梯度有显著的减小，明显区别于基板边缘9的亮度梯度(即图4中II的灰度变化率远小于 I的灰度变化率)。压カ调节装置7结构简単，并且可以很好的适应不同厚度的玻璃基板镀膜，提供ー个一定范围内可调的压カ环境，便于靶材原子/分子的渗入。除此之外，还可采用其他方式的压カ调节装置，例如在上夹板和下托板之间加装精密丝杠，转动丝杠以调节上夹板与玻璃基板之间的压力。此外，在图3所示的镀膜设备中，由于上夹板边缘8是椭圆弧形结构，降低了上夹板边缘8与玻璃基板的接触密度，使靶材原子/分子更容易渗入上夹板2和玻璃基板4的接触区域，有利于延长膜层边缘6的斜坡，进ー步减小边缘探测时，膜层边缘6的亮度梯度。实施例ニ如图5所示，在上述实施例的基础上，上夹板边缘8还可以为向内侧倾斜的斜面，同样可以降低上夹板边缘8与玻璃基板的接触密度，使靶材原子/分子更容易渗入上夹板2和玻璃基板4的接触区域，以达到本实用新型的技术效果。本实用新型实施例还提供ー种由上述镀膜设备制得的镀膜基板，包括基板及覆盖在基板上的膜层；其中，膜层的边缘截面呈斜坡形，斜坡的长度大于SOOil m。优选地，所述斜坡的长度可以大于等于1400 Pm。上述镀膜基板的镀膜倾角明显变小，这样在进行边缘探测时膜层边缘的亮度梯度相比图2中所示现有技术中膜层边缘的亮度梯度有显著的减小，明显区别于基板边缘的亮度梯度，从而提闻基板边缘的识别率。在上述实施例中，镀膜基板所采用的基板都是以玻璃基板4为例；在实际应用中，上述方案不止适用于对基于玻璃基板的镀膜基板进行镀膜边缘探測，而且还可以适用于所有采用可透光基板的镀膜基板。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种镀膜基板，在基板上覆盖有膜层，其特征在于，所述膜层的边缘截面呈斜坡形，斜坡的长度大于800 V- m。
2.如权利要求I所述的镀膜基板，其特征在于，所述斜坡的长度大于等于1400Pm。
3.制作如权利要求I或2所述镀膜基板的镀膜设备，包括靶材和基板夹具，所述基板夹具位于靶材的下方，所述基板夹具包括上夹板和下托板，其特征在于，所述上夹板和下托板之间有压カ调节装置，用于调节上夹板和下托板夹紧基板的压力。
4.如权利要求3所述的镀膜设备，其特征在于，所述压カ调节装置为安装在上夹板和下托板之间的压缩弹簧。
5.如权利要求3所述的镀膜设备，其特征在干，所述上夹板中央开ロ的边缘截面为向 外突出的弧形。
6.如权利要求3所述的镀膜设备，其特征在干，所述上夹板中央开ロ的边缘截面为向内侧倾斜的斜面。
专利摘要本实用新型属于显示技术领域，特别是涉及便于基板边缘识别的镀膜基板及镀膜设备。本实用新型镀膜设备包括靶材和基板夹具位于靶材的下方，基板夹具包括上夹板和下托板；上夹板和下托板之间有压力调节装置，用于调节上夹板和下托板夹紧基板的压力。通过调节上夹板与基板之间的压力，使所镀膜层边缘截面呈斜坡形，斜坡的长度大于800μm。降低了膜层边缘的厚度梯度，使透过膜层边缘的光亮度梯度发生显著变化，区别于基板边缘透过的光亮度梯度，进而提高了基板边缘识别率。
文档编号H01L21/67GK202423273SQ20122004059
公开日2012年9月5日 申请日期2012年2月8日 优先权日2012年2月8日
发明者张尚明 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司