高屏蔽性能半刚射频电缆的制作方法

文档序号:7118373
专利名称:高屏蔽性能半刚射频电缆的制作方法
技术领域
本实用新型专利涉及一种高屏蔽性能半刚射频电缆,广泛使用在微波、射频设备和采用类似技术的高频、超高频电子装置中。
背景技术
目前在普遍使用的射频同轴电缆频率较低,且屏蔽性能不是很好。同时对于绝缘外径小于3mm的电缆外导体又不能进行焊接铜管。
发明内容鉴于现有射频电缆存在的不足,本实用新型提供了一种高屏蔽性能半刚射频 电缆。本实用新型为实现上述目的。所采取的技术方案是一种高屏蔽性能半刚射频电缆,其特征在于包括在镀银铜合金内导体外依次设有一层聚四氟乙烯绝缘层、铜管外导体构成。本实用新型的特点是具有较高的屏蔽性能和使用频率。

图I是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图I所示,一种高屏蔽性能半刚射频电缆,包括在镀银铜合金内导体I外依次设有一层聚四氟乙烯绝缘层2、铜管外导体3构成的同轴电缆;即在绝缘层外2,首先穿过一根铜管外导体3,然后经过拉拔,使铜管外导体3紧紧包覆在绝缘层2外,构成了同轴电缆。
权利要求1.一种高屏蔽性能半刚射频电缆,其特征在于包括在镀银铜合金内导体(I)外依次设有一层聚四氟乙烯绝缘层(2)、铜管外导体(3)构成。
专利摘要本实用新型专利涉及一种高屏蔽性能半刚射频电缆,其特征在于包括在镀银铜合金内导体外依次设有一层聚四氟乙烯绝缘层、铜管外导体构成。本实用新型的特点是在绝缘层外,首先穿过一根铜管,然后经过拉拔,使铜管紧紧包覆在绝缘层外,这样电缆具有较高的屏蔽性能和使用频率。
文档编号H01P3/06GK202695687SQ20122022526
公开日2013年1月23日 申请日期2012年5月18日 优先权日2012年5月18日
发明者赵明哲, 史卫箭, 徐晓茹, 赵喜春, 孟宪媛, 靳堃 申请人:天津安讯达科技有限公司
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