专利名称：用于玻璃基板高温退火时的石英板的制作方法
技术领域：
用于玻璃基板高温退火时的石英板技术领域[0001]本实用新型属于平面显示器的制造领域，具体涉及一种防止玻璃基板高温退火时发生漂移的石英板。
背景技术：
[0002]OLED (英文全称为0rganic Light-Emitting Diode,中文译为有机电致发光二极管)是主动发光器件，相比现有技术中流行的薄膜晶体管液晶显示器(英文缩写为 TFT-LCD)来说，OLED以其高对比度、广视角、低功耗以及体积薄等优点，成为目前平板显示技术中最受关注的技术。[0003]OLED采用电流驱动，所以每个像素的驱动电路必须保证足够大的输出电流，因此驱动电路中的薄膜晶体管采用的半导体材料必须使用迁移率较高的材料，目前应用最广泛的是多晶娃。[0004]多晶硅一般通过非晶硅结晶的方式形成，目前，非晶硅结晶成多晶硅的方法包括准分子激光结晶方法和高温退火结晶方法。[0005]准分子激光结晶方法使用激光瞬间熔化非晶硅薄膜使其由液态转变为多晶态， 该种方法的缺陷在于薄膜的晶粒大小会随着激光能量的差异而出现较大的波动，制成的 OLED产品有严重的不均匀性。[0006]高温退火结晶方法需要将沉积有非晶硅薄膜的玻璃基板3放在平面石英板4上进行退火，为了满足较高的迁移率，玻璃基板3需要在退火炉中以600-700°C进行数小时的退火。该种方法的缺陷在于数小时的高温作用容易使玻璃基板3发生翘曲形变，而现有技术中的平面石英板4上没有加载任何保护装置，这使得翘曲的玻璃基板3在氮气气流的作用下，相对平面石英板4产生水平方向的漂移(见图4)，从而导致玻璃基板3超出平面石英板边界，致使工艺结束后机械手自动取玻璃基板3时发生识别异常(认为没有玻璃)，从而中断生产过程，或者把玻璃基板3撞到设备的夹具上，造成设备的损坏。然而，在平板显示行业， OLED的玻璃基板3尺寸具有相应的规格，厂商根据玻璃基板3的尺寸规格确定平面石英板 4的尺寸规格以及退火炉的尺寸规格，由于退火炉的尺寸规格对平面石英板4的尺寸规格的限制，如果简单的增大石英板的尺寸，就需要同时增大退火炉的尺寸，这将造成生产成本上的提高，因此，平面石英板4的尺寸不宜过大，一般比玻璃基板3的尺寸规格大30-50mm， 而在实际退火时，玻璃基板3的漂移幅度很大，往往超出平面石英板4的边界，所以，依靠简单的增大平面石英板4的尺寸并不能同时很好地解决玻璃基板3漂移和成本控制的问题。实用新型内容[0007]因此，本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种能够同时解决玻璃基板在高温退火时的漂移问题并能够降低生产成本的石英板。[0008]为此，本实用新型提供一种用于玻璃基板高温退火时的石英板，包括承载平面，用于在高温退火时承载玻璃基板；还包括限位装置，设置在所述承载平面上，其靠近所述玻璃基板的侧面与所述玻璃基板的外周面相配合防止所述玻璃基板在高温退火时水平漂移出所述承载平面。[0009]所述限位装置为至少3个位于所述承载平面上限制所述玻璃基板的直角卡槽。[0010]所述直角卡槽为四个，分别设置于所述承载平面的四角上。[0011]所述限位装置为至少3个位于所述承载平面上限制所述玻璃基板的弧形卡槽。[0012]所述弧形卡槽为四个，分别设置于所述承载平面的四角上。[0013]所述限位装置为至少3个位于所述承载平面上限制所述玻璃基板的条形卡槽。[0014]所述条形卡槽为四个，分别设置于所述承载平面的四条边上。[0015]相邻所述条形卡槽不连接。[0016]所述限位装置与所述承载平面分体成型。[0017]所述限位装置与所述承载平面一体成型。[0018]本实用新型提供的用于玻璃基板高温退火时的石英板具有以下优点[0019]本实用新型提供一种用于玻璃基板高温退火时的石英板，包括承载平面，用于在高温退火时承载玻璃基板；还包括限位装置，设置在所述承载平面上，其靠近所述玻璃基板的侧面与所述玻璃基板的外周面相配合防止所述玻璃基板在高温退火时水平漂移出所述承载平面。由于设置有限位装置，所述限位装置能够对所述玻璃基板进行水平方向的漂移限制，从而利用本实用新型提供的石英板来承载所述玻璃基板进行高温退火时，所述玻璃基板不会相对所述石英板发生水平漂移，从而使得本实用新型的石英板使用时在不需要增大退火炉的尺寸的情况下就能够避免玻璃基板的漂移缺陷，同时很好地解决了玻璃基板漂移和成本控制的问题。
[0020]为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明，其中[0021]图I是本实用新型提供的石英板在承载玻璃基板时的第一种实施例的示意图；[0022]图2是本实用新型提供的石英板在承载玻璃基板时的第二种实施例的示意图；[0023]图3是本实用新型提供的石英板在承载玻璃基板时的第三种实施例的示意图；[0024]图4是现有技术的石英板在承载玻璃基板时的不意图；[0025]图中附图标记表示为[0026]I-承载平面；21_直角卡槽；22_弧形卡槽；23_条形卡槽；3_玻璃基板；4_平面石英板。
具体实施方式
[0027]下面结合具体的实施例对本实用新型提供的用于玻璃基板高温退火时的石英板进行详细的说明。[0028]实施例I[0029]本实施例提供一种用于玻璃基板高温退火时的石英板，包括承载平面1，用于在高温退火时承载玻璃基板3 ;还包括限位装置，设置在所述承载平面I上，其靠近所述玻璃基板3的侧面与所述玻璃基板3的外周面相配合防止所述玻璃基板3在高温退火时水平漂移出所述承载平面I。[0030]在本实用新型中，所述限位装置为至少3个位于所述承载平面I上限制所述玻璃基板3直角卡槽21，在本实施例中，所述直角卡槽21为四个，分别设置于所述承载平面I的四角上，如图I所示，所述直角卡槽21靠近所述玻璃基板3的侧面与所述玻璃基板3的外周面相配合，将所述玻璃基板3的四角阻挡住，从而使得所述玻璃基板3不会相对于所述承载平面I水平漂移，不会超出所述承载平面I。[0031]需要说明的是，在本实用新型中，所述直角卡槽21与所述承载平面I的连接设置方式不受限制，可以采用一体成型，也可以采用分体成型后将两者进行连接。在本实施例中，所述直角卡槽21与所述承载平面I 一体成型，一体成型相对于分体成型来说，所述直角卡槽21与所述承载平面I的连接效果更好，从而使得所述直角卡槽21的使用寿命较高。[0032]值得注意的是，在本实用新型中，所述直角卡槽21的材料在满足耐高温的情况下不受限制，此处提到的高温是指用于对所述玻璃基板3进行高温退火时的温度，即 600-7000C ;此处的耐高温是指所述直角卡槽21在上述高温条件下发生变形时不会影响其对所述玻璃基板3的水平漂移的限制作用。在本实施例中，所述直角卡槽21的材料是石英。[0033]利用实施例I提供的石英板进行玻璃基板的高温退火时的工艺，依次包括以下步骤[0034]A.采用一个石英板，所述石英板包括承载平面I和设置在所述承载平面I上的限位装置，所述承载平面I用于在高温退火时承载玻璃基板3，所述限位装置靠近所述玻璃基板的侧面与所述玻璃基板3的外周面相配合防止所述玻璃基板3在高温退火时水平漂移出所述承载平面1，在此，所述限位装置为四个直角卡槽21，分别位于所述承载平面I的四角上；[0035]B.在所述玻璃基板3上沉积缓冲层薄膜和非晶硅薄膜；[0036]C.将经过所述步骤B处理后的所述玻璃基板3放置所述石英板的所述承载平面I 上，并通过所述限位装置将所述玻璃基板3阻挡住；[0037]D.对沉积有所述非晶硅薄膜的所述玻璃基板3在600°C的退火炉中进行高温退火。[0038]在本实施例中，所述步骤A中的所述石英板的所述限位装置与所述承载平面I为一体成型，采用该种成型方式制造的石英板的使用寿命较高。[0039]在本实施例中，所述步骤B中采用PECVD(英文全称为Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition中文译为等离子体增强化学气相沉积法)方式在所述玻璃基板3上沉积缓冲层薄膜和非晶硅薄膜。[0040]在本实施例中，所述步骤D中采用SPC (英文全称为Solid Phase Crystallization,中文译为固相晶化)方式对沉积有所述非晶娃薄膜的所述玻璃基板3 进行高温退火。[0041]在本实施例中，所述步骤D中的退火时间为5小时，当然，根据具体情况的不同，退火时间需要在1-10小时之间(包括端点值)进行调整。[0042]在本实施例中，所述缓冲层薄膜由氮化硅制成，所述缓冲层薄膜的厚度为50nm，该种缓冲层能够防止所述玻璃基板3中的杂质进入非晶硅薄膜。[0043]实施例2[0044]本实施例提供一种用于玻璃基板高温退火时的石英板，包括承载平面1，用于在高温退火时承载玻璃基板3 ;还包括限位装置，设置在所述承载平面I上，其靠近所述玻璃基板3的侧面与所述玻璃基板3的外周面相配合防止所述玻璃基板3在高温退火时水平漂移出所述承载平面I。在本实用新型中，所述限位装置为至少3个位于所述承载平面I上限制所述玻璃基板3弧形卡槽22，在本实施例中，所述弧形卡槽22为四个，分别设置于所述承载平面I的四角上，如图I所示，所示弧形卡槽22靠近所述玻璃基板3的侧面与所述玻璃基板3的外周面相配合，将所述玻璃基板3的四角阻挡住，所述玻璃基板3的四角分别卡入所述弧形卡槽22内，从而使得所述玻璃基板3不会相对于所述承载平面I水平漂移，不会超出所述承载平面I。[0045]需要说明的是，在本实用新型中，所述弧形卡槽22与所述承载平面I的连接设置方式不受限制，可以采用一体成型，也可以采用分体成型后将两者进行连接。在本实施例中，所述弧形卡槽22与所述承载平面I 一体成型，一体成型相对于分体成型来说，所述弧形卡槽22与所述承载平面I的连接效果更好，从而使得所述弧形卡槽22的使用寿命较高。[0046]在本实施例中，所述弧形卡槽22在所述承载平面I上的投影为圆弧，所述圆弧的弧度为3 π /2rad,此时，所述弧形卡槽22的自身弧度为π /2rad,如图2所示，所述弧形卡槽22正好让所述玻璃基板3的四角卡入，具有较好的限制效果，并且不会损坏所述玻璃基板3。[0047]值得注意的是，在本实用新型中，所述弧形卡槽22的材料在满足耐高温的情况下不受限制，此处提到的高温是指用于对所述玻璃基板3进行高温退火时的温度，即 600-7000C ;此处的耐高温是指所述弧形卡槽22在上述高温条件下发生变形时不会影响其对所述玻璃基板3的水平漂移的限制作用。在本实施例中，所述弧形卡槽22的材料是石英。[0048]利用实施例2提供的石英板进行玻璃基板的高温退火时的工艺，依次包括以下步骤[0049]A.采用一个石英板，所述石英板包括承载平面I和设置在所述承载平面I上的限位装置，所述承载平面I用于在高温退火时承载玻璃基板3，所述限位装置靠近所述玻璃基板的侧面与所述玻璃基板3的外周面相配合防止所述玻璃基板3在高温退火时水平漂移出所述承载平面1，在此，所述限位装置为四个弧形卡槽22，分别位于所述承载平面I的四角上；[0050]B.在所述玻璃基板3上沉积缓冲层薄膜和非晶硅薄膜；[0051]C.将经过所述步骤B处理后的所述玻璃基板3放置所述石英板的所述承载平面I 上，并通过所述限位装置将所述玻璃基板3阻挡住；[0052]D.对沉积有所述非晶硅薄膜的所述玻璃基板3在700°C的退火炉中进行高温退火。[0053]在本实施例中，所述步骤A中的所述石英板的所述限位装置与所述承载平面I为一体成型，采用该种成型方式制造的石英板的使用寿命较高。[0054]在本实施例中，所述步骤B中采用PECVD(英文全称为Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition中文译为等离子体增强化学气相沉积法)方式在所述玻璃基板3上沉积缓冲层薄膜和非晶硅薄膜。[0055]在本实施例中，所述步骤D中采用SPC (英文全称为Solid PhaseCrystallization,中文译为固相晶化)方式对沉积有所述非晶娃薄膜的所述玻璃基板3 进行高温退火。[0056]在本实施例中，所述步骤D中的退火时间为10小时。当然，根据具体情况的不同， 退火时间需要在1-10小时之间(包括端点值)进行调整。[0057]在本实施例中，所述缓冲层薄膜由氧化硅制成，所述缓冲层薄膜的厚度为200nm， 根据具体情况的不同，缓冲层厚度可以在50-200nm之间进行调整。该种缓冲层能够防止所述玻璃基板3中的杂质进入非晶硅薄膜。[0058]实施例3[0059]本实施例提供一种用于玻璃基板高温退火时的石英板，包括承载平面1，用于在高温退火时承载玻璃基板3 ;还包括限位装置，设置在所述承载平面I上，其靠近所述玻璃基板3的侧面与所述玻璃基板3的外周面相配合防止所述玻璃基板3在高温退火时水平漂移出所述承载平面I。在本实用新型中，所述限位装置为至少3个位于所述承载平面I上限制所述玻璃基板3的条形卡槽23。在本实施例中，所述限位装置为位于所述承载平面I上限制所述玻璃基板3的四条边上的条形卡槽23，如图3所示，所示条形卡槽23靠近所述玻璃基板3的侧面与所述玻璃基板3的外周面相配合，将所述玻璃基板3的四条边阻挡住，从而使得所述玻璃基板3不会相对于所述承载平面I水平漂移，不会超出所述承载平面I。[0060]需要说明的是，在本实用新型中，所述条形卡槽23与所述承载平面I的连接设置方式不受限制，可以采用一体成型，也可以采用分体成型后将两者进行连接。在本实施例中，所述条形卡槽23与所述承载平面I 一体成型，一体成型相对于分体成型来说，所述条形卡槽23与所述承载平面I的连接效果更好，从而使得所述条形卡槽23的使用寿命较高。[0061]在本实施例中，四个所述条形卡槽23相互之间是间断设置的，即相邻所述条形卡槽23不连接，这样的结构设计在满足了对所述玻璃基板3的漂移限制的同时，能够降低制造成本。[0062]值得注意的是，在本实用新型中，所述条形卡槽23的材料在满足耐高温的情况下不受限制，此处提到的高温是指用于对所述玻璃基板3进行高温退火时的温度，即 600-7000C ;此处的耐高温是指所述条形卡槽23在上述高温条件下发生变形时不会影响其对所述玻璃基板3的水平漂移的限制作用。在本实施例中，所述条形卡槽23的材料是石英。[0063]利用实施例3提供的石英板进行玻璃基板的高温退火时的工艺，依次包括以下步骤[0064]A.采用一个石英板，所述石英板包括承载平面I和设置在所述承载平面I上的限位装置，所述承载平面I用于在高温退火时承载玻璃基板3，所述限位装置靠近所述玻璃基板的侧面与所述玻璃基板3的外周面相配合防止所述玻璃基板3在高温退火时水平漂移出所述承载平面1，在此，所述限位装置为四个条形卡槽23，分别位于所述承载平面I上限制所述玻璃基板3的四条边；[0065]B.在所述玻璃基板3上沉积缓冲层薄膜和非晶硅薄膜；[0066]C.将经过所述步骤B处理后的所述玻璃基板3放置所述石英板的所述承载平面I 上，并通过所述限位装置将所述玻璃基板3阻挡住；[0067]D.对沉积有所述非晶硅薄膜的所述玻璃基板3在650°C的退火炉中进行高温退火。[0068]在本实施例中，所述步骤A中的所述石英板的所述限位装置与所述承载平面I为一体成型，采用该种成型方式制造的石英板的使用寿命较高。[0069]在本实施例中，所述步骤B中采用PECVD(英文全称为Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition中文译为等离子体增强化学气相沉积法)方式在所述玻璃基板3上沉积缓冲层薄膜和非晶硅薄膜。[0070]在本实施例中，所述步骤D中采用SPC (英文全称为Solid Phase Crystallization,中文译为固相晶化)方式对沉积有所述非晶娃薄膜的所述玻璃基板3 进行高温退火。[0071]在本实施例中，所述步骤D中的退火时间为5小时。当然，根据具体情况的不同， 退火时间需要在1-10小时之间(包括端点值)进行调整。[0072]在本实施例中，所述缓冲层薄膜由氧化硅和氮化硅共同制成，所述缓冲层薄膜的厚度为lOOnm，该种缓冲层能够防止所述玻璃基板3中的杂质进入非晶硅薄膜。
权利要求1.用于玻璃基板高温退火时的石英板，包括承载平面(1)，用于在高温退火时承载玻璃基板(3);其特征在于，还包括限位装置，设置在所述承载平面(I)上，其靠近所述玻璃基板(3)的侧面与所述玻璃基板(3)的外周面相配合防止所述玻璃基板(3)在高温退火时水平漂移出所述承载平面(I)。
2.根据权利要求I所述的用于玻璃基板高温退火时的石英板，其特征在于所述限位装置为至少3个位于所述承载平面(I)上限制所述玻璃基板(3 )的直角卡槽(21)。
3.根据权利要求2所述的用于玻璃基板高温退火时的石英板，其特征在于所述直角卡槽(21)为四个，分别设置于所述承载平面(I)的四角上。
4.根据权利要求I所述的用于玻璃基板高温退火时的石英板，其特征在于所述限位装置为至少3个位于所述承载平面(I)上限制所述玻璃基板(3)的弧形卡槽(22)。
5.根据权利要求4所述的用于玻璃基板高温退火时的石英板，其特征在于所述弧形卡槽(22)为四个，分别设置于所述承载平面(I)的四角上。
6.根据权利要求I所述的用于玻璃基板高温退火时的石英板，其特征在于所述限位装置为至少3个位于所述承载平面(I)上限制所述玻璃基板(3)的条形卡槽(23)。
7.根据权利要求6所述的用于玻璃基板高温退火时的石英板，其特征在于所述条形卡槽(23)为四个，分别设置于所述承载平面(I)的四条边上。
8.根据权利要求7所述的用于玻璃基板高温退火时的石英板，其特征在于相邻所述条形卡槽(23)不连接。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的用于玻璃基板高温退火时的石英板，其特征在于所述限位装置与所述承载平面(I)分体成型。
10.根据权利要求1-8中任一项所述的用于玻璃基板高温退火时的石英板，其特征在于所述限位装置与所述承载平面(I) 一体成型。
专利摘要本实用新型提供一种用于玻璃基板高温退火时的石英板，包括承载平面，用于在高温退火时承载玻璃基板；还包括限位装置，设置在所述承载平面上，其靠近所述玻璃基板的侧面与所述玻璃基板的外周面相配合防止所述玻璃基板在高温退火时水平漂移出所述承载平面。由于设置有限位装置，所述限位装置能够对所述玻璃基板进行水平方向的漂移限制，从而利用本实用新型提供的石英板来承载所述玻璃基板进行高温退火时，所述玻璃基板不会相对所述石英板发生水平漂移，从而使得本实用新型的石英板使用时在不需要增大退火炉的尺寸的情况下就能够避免玻璃基板的漂移缺陷，同时很好地解决了玻璃基板漂移和成本控制的问题。
文档编号H01L21/67GK202736893SQ201220313819
公开日2013年2月13日 申请日期2012年6月29日 优先权日2012年5月30日
发明者张洁, 邱勇, 黄秀颀, 林立, 魏博 申请人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司