专利名称：一种贴片双向触发二极管芯片的制作方法
技术领域：
一种贴片双向触发二极管芯片技术领域[0001]本实用新型涉及双向触发二极管芯片技术领域，特别是指一种贴片双向触发二极管芯片。
背景技术：
[0002]双向触发二极管DB3已被大量使用在节能灯、电子镇流器、固态继电器、可控硅控制等电子产品中，仅国内市场使用量在每年5000亿支以上。[0003]现有市场上的DB3都是轴向封装DB3，不符合电子产品小型化的发展趋势，且产品存在一定的缺陷:如进口玻封DB3的价格高、交期长、供货不及时、抗浪涌能力稍差；国产塑封DB3的抗浪涌能力较好，但高温特性较差，击穿电压不稳。国产玻封DB3的抗浪涌能力差，不适合环境恶劣情况下使用的产品。实用新型内容[0004]本实用新型实施例提供了一种贴片双向触发二极管芯片，用以解决现有双向触发二极管存在抗浪涌能力较差、高温特性较差的问题。[0005]本实用新型实施例提供了一种贴片双向触发二极管芯片，包括:[0006]硅片，所述硅片的两个表面上分别开设有位置对应的隔离槽，所述隔离槽包围有对所述硅片扩磷后形成的PN结，所述隔离槽的深度大于扩磷深度；[0007]所述隔离槽上覆盖有保护膜；[0008]所述PN结上设置有引线孔和镀金的金属电极。[0009]其中，优选地，所述扩磷深度与所述硅片厚度之比的取值范围为[1/4，1/2]。[0010]其中，优选地，所述扩磷深度与所述硅片厚度之比具体为1/3。[0011]其中，优选地，所述保护膜具体为SiO2保护膜。[0012]其中，优选地，所述金属电极具体为镍金属电极。[0013]本实用新型实施例中的贴片DB3具有抗浪涌能力高、高温特性好、低温稳定性好、可靠性高、成本较低的优点，而且，体积小、调整余地大，是市场上分立器件小型化的发展方向。
[0014]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。[0015]图1为本实用新型实施例中贴片双向触发二极管芯片的平面结构示意图；[0016]图2为图1中贴片双向触发二极管芯片的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。如图1和图2所示，本实用新型实施例提供了一种贴片双向触发二极管芯片，包括:硅片1，硅片I的两个表面上分别开设有位置对应的隔离槽2，隔离槽2包围有对硅片I扩磷后形成的PN结3，隔离槽2的深度大于扩磷深度；隔离槽2上覆盖有保护膜4 ；PN结3上设置有引线孔5和镀金的金属电极6。其中，优选地，扩磷深度与硅片I的厚度之比的取值范围为[1/4，1/2]。较优地，扩磷深度与硅片I的厚度之比具体为1/3。其中，优选地，金属电极6具体为镍金属电极。其中，优选地，保护膜4具体为SiO2保护膜。本实用新型实施例提供的上述贴片双向触发二极管芯片的制作流程可概括为:硅片清洗一〉高温双面扩磷一〉泡酸分割一〉双面氧化一〉双面光刻一〉混酸开槽一〉双面涂玻璃膏一〉烧玻璃一〉引线孔光刻一〉一次镀镍一〉烧镍一〉二次镀镍一〉镀金一> 划片裂片一> 后封装一> 测试出厂。上述流程具体如下所述:步骤1、硅片清洗:用化学试剂及纯水将硅片清洗干净，准备投产。步骤2、高温双面扩磷:用高温扩散炉将磷扩入硅片中，形成PN结，要注意扩散的深度。其中，优选地，扩磷深度与硅片的厚度之比的取值范围为[1/4，1/2]。较优地，扩磷深度与硅片的厚度之比具体为1/3。步骤3、泡酸分割:用HF泡扩散后的硅片(高温扩散后许多硅片粘在一起)，将粘在一起的娃片分开。步骤4、双面氧化:用高温炉通氧气，在硅片的两个表面上分别生长出一层SiO2保护膜.[0033]步骤5、双面光刻:用光刻机在硅片表面刻出芯片图形。步骤6、混酸开槽:用混合酸在硅片表面按刻好的图形腐蚀出隔离槽，开槽的深度一定要大于PN结的深度。步骤7、双面涂玻璃膏:在硅片双面的沟槽内涂上玻璃膏以保护PN结。步骤8、烧玻璃:在闻温石英管内将玻璃骨烧成玻璃。步骤9、引线孔光刻:在硅片双面用光刻机刻出引线孔。步骤10、一次镀镍、烧镍、二次镀镍，在硅片表面电极窗口上镀上镍形成镍金属电极。镍步骤11、镀金:在镍层上镀金增加金属电极的可焊性和欧姆接触。步骤12、划片裂片:用划片机将硅片按照图形切割成芯片。[0041]步骤13、后封装:按客户要求的封装形式封装成型。[0042]步骤14、测试出厂:按参数要求测试印字检验出厂。[0043]下面比较一下现有玻封DB3芯片、现有塑封DB3芯片、本实用新型贴片DB3芯片的各个性能:[0044]
权利要求1.一种贴片双向触发二极管芯片，其特征在于，包括: 硅片，所述硅片的两个表面上分别开设有位置对应的隔离槽，所述隔离槽包围有对所述硅片扩磷后形成的PN结，所述隔离槽的深度大于扩磷深度； 所述隔离槽上覆盖有保护膜； 所述PN结上设置有引线孔和镀金的金属电极。
2.如权利要求1所述的贴片双向触发二极管芯片，其特征在于， 所述扩磷深度与所述硅片厚度之比的取值范围为[1/4，1/2]。
3.如权利要求2所述的贴片双向触发二极管芯片，其特征在于， 所述扩磷深度与所述硅片厚度之比具体为1/3。
4.如权利要求1-3中任一所述的贴片双向触发二极管芯片，其特征在于， 所述保护膜具体为SiO2保护膜。
5.如权利要求1-3中任一所述的贴片双向触发二极管芯片，其特征在于， 所述金属电极具体为镍金属电极。
专利摘要本实用新型提供了一种贴片双向触发二极管芯片，用以解决现有双向触发二极管存在抗浪涌能力较差、高温特性较差的问题。该贴片双向触发二极管芯片包括硅片，所述硅片的两个表面上分别开设有位置对应的隔离槽，所述隔离槽包围有对所述硅片扩磷后形成的PN结，所述隔离槽的深度大于扩磷深度；所述隔离槽上覆盖有保护膜；所述PN结上设置有引线孔和镀金的金属电极。上述贴片双向触发二极管芯片具有抗浪涌能力高、高温特性好、低温稳定性好、可靠性高、成本较低的优点，而且，体积小、调整余地大，是市场上分立器件小型化的发展方向。
文档编号H01L29/43GK202996842SQ20122038432
公开日2013年6月12日 申请日期2012年8月4日 优先权日2012年8月4日
发明者韩建军 申请人:济南硅银电子科技有限公司