一种图案化的金属导线和基板的组合的制作方法

一种图案化的金属导线和基板的组合的制作方法
【专利摘要】一种图案化的金属导线和基板的组合，所述基板具有在其上形成的所述金属导线，所述金属导线包括：包含铟和锌的氧化物层；以及铜基层，设置在所述包含铟和锌的氧化物层之上或之下，其中，所述包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10%并且低于按重量计约35%。用于蚀刻铜基配线层的湿法蚀刻组合物，包含按重量计约40%至按重量计约60%之间的磷酸、按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸、按重量计约3%至按重量计约15%之间的乙酸、按重量计约0.01%至按重量计约0.1%之间的铜离子化合物、按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸盐、按重量计约1%至按重量计约10%之间的乙酸盐，和余量的水。
【专利说明】一种图案化的金属导线和基板的组合
【技术领域】
[0001]本发明的公开涉及金属配线(布线，wiring)蚀刻剂组合物，涉及用蚀刻剂组合物形成的金属配线并且涉及制造显示基板的方法。更具体地，示范性实施方式涉及用于蚀刻包含铜作为主要成分的金属配线层的蚀刻剂组合物，涉及通过使用蚀刻剂组合物形成的金属配线和使用蚀刻剂组合物制造显示基板的方法。
【背景技术】
[0002]通常，平面或曲面的显示器(例如，液晶显示器或LCD)包括显示基板，该基板具有完整形成于其上的图案化的配线用于相互连接电路如薄膜晶体管(“TFT”)，其中后者被用作用于驱动相应的像素、显示器件单元的开关元件。更具体地，所谓的，可以在不同的金属配线层中提供栅极线和数据线作为分别连接到这些TFT中的一些用于控制相应像素电极充电和放电的信号线。然而更具体地，栅极线被配置为用于传送相应的栅极驱动信号并且数据线被配置为用于传送用于各自TFT的各自的栅极端子和源极端子的相应的源驱动信号。
[0003]随着显示装置的显示面积尺寸增加并且也随着顾客对具有较高分辩率的显示装置需求的增长，栅极线的长度和数据线的长度增加，然而同时栅极线和数据线的宽度趋向于降低，并且作为结果，如从信号提供源点至位于栅极线或数据线的远端的TFT所见的，电阻不希望地增加了。更具体地，不希望的电阻-电容(“RC”)信号延迟因数变得更大。为了降低相关的RC信号延迟问题，形成包含具有相对较低电阻的金属的栅极线和数据线。例如，铜或铜基(copper based)合金是具有这种相对较低电阻的金属。当用于形成栅极线和数据线时，Cu基材料表现出优异的电导率并且具有与比方说铝或铬相比低得多的电阻。此夕卜，作为自然资源铜是相对丰富的。然而，在大规模生产制作显示板期间，Cu和Cu基导电层对由化学氧化剂蚀刻表现出不希望的大的抗性，与铝或铬对蚀刻的抗性相比，其对蚀刻的抗性显著更高。因此，为了以生产速度蚀刻Cu基导电层，需要显著较强的(更具腐蚀性的)氧化剂用于蚀刻这种铜基导电层从而在各自的金属配线层中形成期望的图案化的信号线。
[0004]在现有方法中，虽然包含强氧化剂的铜蚀刻剂在用于蚀刻各个铜层是有效的，但是它们腐蚀性相当高以致于它们容易损伤在先前处理中形成的底层图案。对该问题的一个解决方案是用包含过硫酸类(persulfuric acid-based)化合物的蚀刻剂作为主要蚀刻成分来替代有时用于铜的湿法蚀刻的常规的过氧化物类(peroxide-based)蚀刻剂,这个目的是当蚀刻铜层时，降低对在先前处理中预先形成的图案的损伤性蚀刻。然而，当在室温下存储时，这种过硫酸类蚀刻剂趋向于不稳定，并且在由预定的蚀刻剂溶液的量可以处理的基板最大量方面它们是受限的。
[0005]此外，当尝试努力通过增加信号线的厚度来降低RC延迟问题时，由常规蚀刻剂形成的铜配线可能会发展为不希望地小(更尖锐)，通过增加配线横截面的基部的尺寸补偿基础锥角，从而不希望地降低了显示器件像素区域的开孔率(opening ratio)(开口率，aperture ratio)。[0006]可以理解该技术部分的背景意在提供用于理解此处公开的技术的有用的背景，并且因此，技术背景部分可以包含想法、概念或认可，其不是在此处公开的主题的相应的发明日期之前由相关领域技术人员已知的或领会的内容的部分。

【发明内容】

[0007]此处提供了可用于使铜基层图案化的蚀刻剂组合物，该蚀刻剂组合物在室温下具有高储存稳定性并能够提高每单位体积蚀刻剂处理的基板数，并且该蚀刻剂组合物能够理想地提高所形成导线的横截面的基础锥角(例如，所形成的配线的梯形横截面的基础锥角)。
[0008]也提供了包含由蚀刻剂组合物蚀刻的Cu基导体的金属配线。
[0009]也提供了使用蚀刻剂组合物制造显示基板的方法。
[0010]根据示范性实施方式，图案化的金属导线包括包含铟和锌的氧化物层以及设置在包含铟和锌的氧化物层之上或之下的铜基层。包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10%并且低于按重量计约35%。
[0011 ] 在一个实施方式中，在铜基层之上设置包含铟和锌的氧化物层。
[0012]在一个实施方式中，铜基层的厚度在约I ,OOOA至约3 μ m之间，并且包含铟和锌的
氧化物层的厚度在约IOOA至约500A之间。
[0013]在一个实施方式中，铜基层的厚度在约14 111至约34 111之间。
[0014]在一个实施方式中，设置在铜层之上的包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10%并且低于按重量计约35%。
[0015]在一个实施方式中，铜基层的导线的横截面轮廓的基础锥角等于或大于约50°，并且在一个外形(species)中在约60°至约85°之间。
[0016]在一个实施方式中，在铜基层之下设置包含铟和锌的氧化物层。
[0017]在一个实施方式中，金属导线进一步包括设置在铜基层之下的钛层。
[0018]根据本发明公开的实施方式，蚀刻剂组合物可以蚀刻由铜或铜合金、由钥、由镍、由钴、由氧化铟锌(铟锌氧化物)、由氧化镓锌、氧化锌铝、氧化铟锡、氧化铟镓锌、无定形氧化铟锡、铜合金、钥镍合金或钥钴合金组成的单金属层，或其多层变体。
[0019]在室温下蚀刻剂组合物具有高贮藏性，并且每单位存储的蚀刻剂溶液可以用于相对较大数量的基板。
[0020]此外，蚀刻剂组合物可以防止损害包含玻璃、氧化硅、氮化硅等的基础基板。
[0021 ] 此外，蚀刻剂组合物可以蚀刻包含铜和氧化物的多个层。因此，可以提高用于显示基板的制造工艺的生产力。
[0022]此外，可以增大具有基本上是梯形的横截面并且作为蚀刻图案的一部分形成的导线的基础锥角，从而可以降低导线的基础厚度。因此，可以实现用于显示基板的低电阻导线，并且可以提高像素的开孔率。
【专利附图】

【附图说明】
[0023]参照附图，通过描述它们的示范性实施方式，上述和其它特征及优点将变得更明显,其中:
[0024]图1至10是示出根据本公开的示范性实施方式的制造显示器基板的方法的横截面视图；
[0025]图11至15是示出由根据本发明公开的实施例的蚀刻剂组合物形成的金属图案的横截面的扫描电子显微镜(SEM)图像。
【具体实施方式】
[0026]在下文中，参照附图将详细地说明蚀刻剂组合物、使用该蚀刻剂组合物形成的金属导线和使用该蚀刻剂组合物制造显示基板的方法。
[0027]蚀刻剂组合物
[0028]根据示范性实施方式的蚀刻剂组合物包含磷酸(Η3Ρ04)、硝酸(ΗΝ03)、乙酸(CH3COOH)、铜离子化合物(Cu-X)、硝酸盐(Y-NO3)、乙酸盐(Z-CH3CO2 )、以及其余部分的去离子水。蚀刻剂组合物可进一步包含氟代金属酸(fluorometallic acid)。在下文中,将进一步详细地描述蚀刻剂组合物的每个组份。
[0029]磷酸
[0030]蚀刻剂组合物的磷酸组份可以与铜反应从而蚀刻铜基导电层。例如，依照以下反应磷酸可以氧化铜:
[0031 ] 3Cu+2H3P04 — Cu3 (PO4) 2+3H2
[0032]已经发现，基于蚀刻剂组合物的总重量，当磷酸(H3PO4)的量低于按重量计约40%时，铜基层的蚀刻速度显著降低或不能均匀蚀刻该铜基层。另一方面，已经发现当磷酸的量大于按重量计约60%时，蚀刻剂组合物趋向于过快蚀刻，因此难以控制蚀刻速度和/或由蚀刻剂组合物蚀刻的铜层的均匀性。此外，已经发现当磷酸的量大于按重量计约60%并且当将蚀刻剂组合物施用至包含铜层的多层化的导电层时，可能形成不希望的侧蚀(undercut)ο
[0033]因此，通过这些发现，基于蚀刻剂组合物的总重量，本公开的蚀刻剂组合物优选包含按重量计约40%至约70%之间的磷酸(H3PO4)15更优选地，基于蚀刻剂组合物的总重量,磷酸的量可以是按重量计约40%至按重量计约55%之间。
[0034]MM
[0035]蚀刻剂组合物中的硝酸组份(HNO3)可以与铜基层中的铜反应从而蚀刻该铜基层。例如，依照以下反应硝酸可以氧化铜:
[0036]Cu+4HN03 — Cu (NO3) 2+2H20+2N02
[0037]已经发现，基于蚀刻剂组合物的总重量，当硝酸(HNO3)的量低于按重量计约1%时，铜层的蚀刻速度过低，并且铜层是非均匀蚀刻的。当铜层是均匀蚀刻时，可能显示不希望的斑点。与此相反，已经发现当硝酸(HNO3)的量大于按重量计约10%时，硝酸与包含的磷酸(H3PO4)结合过度蚀刻铜层，使得难以控制被蚀刻的铜层的蚀刻速度。因此，已经发现，基于蚀刻剂组合物的总重量，蚀刻剂组合物可以优选包含按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸(HNO3X
[0038]ZM
[0039]在蚀刻剂组合物中乙酸作为缓冲液起作用以使得可以控制对铜层的反应速度。[0040]已经发现基于蚀刻剂组合物的总重量，当乙酸(CH3COOH)的量低于按重量计约3%时，铜层的蚀刻速度过度提高，使得难以控制被蚀刻的铜层的蚀刻速度。另一方面，已经发现当乙酸的量大于按重量计约15%时，蚀刻速度可能降低，并且可能提高不希望的偏斜(Skew)0因此，已经发现基于蚀刻剂组合物的总重量，蚀刻剂组合物可以优选包含按重量计约3%至按重量计约15%的乙酸(CH3COOH)15
[0041]铜离子化合物
[0042]在蚀刻处理的早期铜离子化合物(Cu-X)可以防止过度蚀刻现象。[0043]已经发现基于蚀刻剂组合物的总重量，当铜离子化合物的量低于按重量计约
0.01%时，在刻蚀处理的早期铜层可能被过度蚀刻。另一方面，已经发现当铜离子化合物的量大于按重量计约0.1%时，可能不希望地降低了蚀刻速度。因此，已经发现基于蚀刻剂组合物的总重量，蚀刻剂组合物可以优选包含按重量计约0.01%至按重量计约0.1%之间的铜离子化合物(Cu-X)。
[0044]与有效水络合的铜离子化合物(Cu-X)的实例可以包括CuSO4.5H20、CuSO4.3H20、Cu(NO3)2.3Η20,Cu2P2O7.3Η20等。这些化合物可以每一种单独地或以它们的不同组合使用。
[0045]硝酸盐.[0046]随着刻蚀处理的进行，在蚀刻混合物浴中铜离子的量增加并且组合物的硝酸组份(HNO3)可能被铜离子的增加量分解。所包含的硝酸盐有助于抑制硝酸(HNO3)的不希望的分解并且由此维持蚀刻剂组合物的蚀刻速度。
[0047]已经发现基于蚀刻剂组合物的总重量，当硝酸盐(Y-NO3)的量低于按重量计约1%时，可能不希望地降低蚀刻速度。另一方面，已经发现当硝酸盐的量大于按重量计约10%时，将引起硝酸盐的减少从而降低了制造可靠性。因此，已经发现基于蚀刻剂组合物的总重量，蚀刻剂组合物可以优选包含按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸盐(Y-NO3)，并且更优选包含按重量计约5%至按重量计约10%之间的硝酸盐。
[0048]硝酸盐(Y-NO3)的实例可以包括NH4N03、NaNO3> KNO3> LiN03、Mg(NO3)2、Al (NO3) 3、Zn(NO3)2^ Fe(N03)3、Ni (N03)2> Ca(NO3)2等。这些硝酸盐可以单独使用或以它们的不同组合使用。
[0049]乙酸盐
[0050]蚀刻剂组合物中的乙酸盐可以控制铜层的蚀刻速度。
[0051]已经发现基于蚀刻剂组合物的总重量，当乙酸盐的量低于按重量计约1%时，难以控制被蚀刻的铜层的蚀刻速度。另一方面，已经发现当乙酸盐的量低于按重量计10%时，铜层是非均匀蚀刻的。因此，已经发现基于蚀刻剂组合物的总重量，蚀刻剂组合物可以优选包含按重量计约1%至按重量计约10%之间的乙酸盐(Z-CH3CO2),并且更优选按重量计约3%至按重量计约5%之间的乙酸盐。
[0052]乙酸盐(Z-CH3CO2)的实例可以包括CH3CO2NH4、CH3CO2Na、CH3CO2K、Mg (CH3CO2) 2、Ca(CH3CO2)2、Al (CH3CO2)3XH3CO2Li等。这些乙酸盐可以单独使用或以它们的不同组合使用。例如，乙酸盐可以具有相当于用于制造半导体器件的去离子水的纯度。
[0053]氟代金属酸
[0054]蚀刻剂组合物中的氟代金属酸可以增加被蚀刻的铜层中形成的导线的横截面的基础锥角。[0055]已经发现当氟代金属酸的量大于按重量计1%时，铜层是非均匀蚀刻的。因此，已经发现基于蚀刻剂组合物的总重量，蚀刻剂组合物可以优选包含按重量计至多约1%的氟代金属酸。
[0056]氟代金属酸的实例可以包括H2SiF6、HBF4、H2TiF6、H2ZrF6等。这些氟代金属酸可以单独使用或以它们的不同组合使用。
[0057]水
[0058]所使用的水优选由去离子水构成。例如，水可以具有用于制造半导体微器件的水的纯度，并且具有，例如，等于或者大于约18MQ/cm的电阻率。水的量可以相当于除磷酸(Η3Ρ04)、硝酸(順03)、乙酸(CH3C00H)、铜离子化合物(Cu-X)、硝酸盐(Υ-Ν03)、乙酸盐(Z-CH3CO2)和氟金属酸以外的蚀刻剂组合物其余部分的量。例如，在蚀刻剂组合物中水的量可以在按重量计约20%至按重量计约50%之间。
[0059]蚀刻剂组合物可以用于蚀刻单层导电薄膜，如主要由选自以下之中的一种所组成的薄膜:铜、钥、镍、钴、氧化铟锌、氧化镓锌、氧化锌招、氧化铟锡、氧化铟镓锌、无定形氧化铟锡、铜合金、钥镍合金或钥钴合金的一种作为主要组成。可替代的或另外的，公开的蚀刻剂组合物可以用于蚀刻具有两个或多个用于单层导电薄膜的所述导体的多层导电薄膜。
[0060]已经发现在室温下(约25。C)下蚀刻剂组合物具有高贮藏性，并且较之相同预定体积的常规蚀刻剂，预定体积的本发明的蚀刻剂组合物可以用于蚀刻更多数量的基板
[0061]此外，本公开的蚀刻剂组合物可以蚀刻包含铜和氧化铜的多层薄膜，并且可以增加蚀刻导线的基础锥角从而可以增加配线的横截面积而不增加配线的厚度。
[0062]此外，蚀刻剂组合物可以防止对包含玻璃、二氧化硅、氮化硅的基础基板或类似种类基础基板的损伤。
[0063]金属配线和制造显示基板的方法
[0064]在下文中，参考附图将更充分地说明根据本发明公开的示范性实施方式的金属配线和制造显示基板的方法。
[0065]图1至10是示出根据本公开的示范性实施方式的制造显示基板的方法的横截面视图。显示基板可以是用于显示器件的TFT阵列基板。根据示范性实施方式的金属配线可以用于定义显示设备的栅极线或数据线。
[0066]参照图1，在基础基板110上形成数据配线多层272-274。基础基板110的实例可以包括玻璃基板、石英基板、硅基板、塑料基板等。
[0067]数据配线多层包括上覆盖层(capping layer) 272、铜层274和下覆盖(屏障)层276。例如，上覆盖层272和下覆盖层276可以包含阻止铜向外迁移的氧化物，并且铜层274包含铜或铜合金。氧化物的实例可以包括氧化铟锌、氧化镓锌、氧化锌招、氧化铟锡、氧化铟镓锌等。优选地，氧化物可以包括包含铟和锌的氧化物如氧化铟锌、氧化铟镓锌等。
[0068]铜层274的厚度可以在约I ,OOOA至约3 μ m之间，并且优选约I μ m至约3 μ m之
间。当铜层274的厚度大于或等于约I μ m时，金属配线的电阻降低从而可以提高显示器件的响应速度。与常规的蚀刻剂组合物相比，根据本公开的示范性实施方式的蚀刻剂组合物可以有利于蚀刻厚度大于或等于约I μ m的铜层。特别地，蚀刻剂组合物可以增加通过蚀刻具有大于或等于约I μ m厚度的铜层形成的所得到的导体的横截面轮廓的基础锥角(图2中的Θ )，并且可以减少所得到的图案与其规划位置的偏斜。[0069]上覆盖层272和下覆盖层276的厚度可以是约IOOA至约50()A;.;
[0070]上覆盖层272和下覆盖层276的莫氏硬度优选大于铜层274的硬度，优选地，等于或大于约4.0。
[0071]当上覆盖层272和下覆盖层276包括包含铟和锌的氧化物时，可以适当调节氧化锌的量用于改善金属配线的轮廓。例如，已经发现当氧化锌的量等于或大于按重量计约35%时，上覆盖层272或下覆盖层276的侧蚀刻可能不是均匀的，或者可能损伤基础基板110。当氧化锌的量少于按重量计约10%时，蚀刻比率过低使得在实际时间量内难以完成蚀刻过程。因此，含铟和锌的氧化物层中氧化锌的量可以优选等于或高于按重量计10%并且低于按重量计约35%。
[0072]可以通过溅射法等形成铜层274。可以通过化学气相沉积法(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积法(PECVD)等形成上覆盖层272和下覆盖层276。
[0073]在另一个实施方式中，可以省略上覆盖层和/或下覆盖层。例如，数据配线层可以具有包括铜层和设置在铜层之下的钛层的双层结构、包括铜层和设置在铜层之上并包含铟和锌的氧化物层的双层结构、或包括铜层和设置在铜层之下并包含铟和锌的氧化物层的双层结构。
[0074]在另一个实施方式中，数据配线层可以具有三层结构，其包括铜层、设置在铜层之上并包含铟和锌的氧化物层、以及设置在铜层之下的钛层的，或者四层结构，其包括铜层、设置在铜层之上并包含铟和锌的氧化物层、设置在铜层之下的钛层、以及设置在钛层之下并包含铟和锌的氧化物层。
[0075]参照图2，通过根据本公开的蚀刻剂组合物使数据配线层图案化以形成数据线DL0例如，在图1的上覆盖层272之上涂覆光致抗蚀剂组合物以形成具有符合数据线DL期望形状的光致抗蚀剂图案。连续蚀刻未由光致抗蚀剂图案覆盖的上覆盖层272、铜层274和下覆盖层276，以形成数据线DL。
[0076]在相同的过程中由相同的蚀刻剂组合物蚀刻上覆盖层272、铜层274和下覆盖层276。因此，较之使用常规铜蚀刻剂可生产的数据线，数据线DL可以具有相对较大的基础锥角。因此，显示器件的开孔率(开口率)可以增加，这是因为由于增大的基础锥角使得所形成的数据线的横截面增加，从而无须增加梯形或相似配线的基础部分的尺寸以补偿更加尖锐的(远低于90度)基础锥角。可以将基础锥角定义为由所形成的导线横截面的下(基础)表面和侧壁面所形成的角。例如，通过使用本文中公开的蚀刻剂组合物，可以将铜基配线层的锥角Θ，或更具体地图案化的数据线DL的锥角Θ制成等于或大于约50°，优选在约60°至约85°之间。因此，可以降低形成的导线横截面的基础尺寸并且可以理想地提高与显示基板的光通道开孔相关的开口率。
[0077]可以通过喷雾法、浸涂法等提供所使用的蚀刻剂组合物。依照上述提供的说明，蚀刻剂组合物可以包含磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、乙酸(CH3COOH)、铜离子盐(Cu-X)、硝酸盐(Υ-Ν03)、乙酸盐(Z-CH3CO2)和去离子(DI)水。依照上述提供的说明书，当数据金属层包括钛层时，蚀刻剂组合物可以进一步包含氟金属酸。可替代地，可以用不同于上文详细说明的蚀刻剂组合物的另外的蚀刻剂组合物蚀刻钛层。用于蚀刻钛层的单独的蚀刻剂组合物可以包含氟化物和水。氟化物的实例可以包括HF、NH4F, NH4HF2等。
[0078]对于铜部分所使用的蚀刻剂组合物可以与根据上述详细说明的实施方式在前面说明的蚀刻剂组合物基本相同。因此，将省略任何重复的说明。
[0079]图案化的数据线DL包括上覆盖层172、下覆盖层176和设置在上覆盖层172和下覆盖层176之间的金属层174。在形成数据配线层之后或在蚀刻数据配线层之后，可以由刷子来清洁在其上具有数据线DL或另一个这种铜基金属配线层的基础基板110。
[0080]参照图3，形成数据线绝缘层113以覆盖图案化的数据线DL (示出一个)。然后，在数据绝缘层113上设置第一平面化层115。随后，在第一平面化层115上设置遮光层240(例如，黑底形成层)。此后在遮光层240上设置缓冲层250，并在缓冲层250上设置半导体氧化物层220。因此在基础基板110上连续形成图3示出的层。可以用于数据绝缘层113
的材料的实例可以包括氮化硅、氧化硅、氧化铝等。绝缘层113的厚度可以在约500A至约2,000晨之间。
[0081]在形成绝缘层113之后，在数据绝缘层113上涂覆诸如包含粘合剂树脂的有机平面化组合物。粘合剂树脂的实例可以包括高耐热性的丙烯酸树脂、酚醛树脂等。可以通过旋涂法涂覆平面化组合物。可以通过加热或UV固化组合物以形成第一平面化层115。第一平面化层115优选具有足以使基板的上表面平面化的较大的厚度。
[0082]遮光层240可以包含金属、合金、绝缘无机材料、有机材料等。优选地，可以用于遮光层240的材料的实例可以包括氧化硅、硅锗合金、锗、氧化钛等。更优选地，遮光层240包含硅锗(SiGe)合金。
[0083]遮光层240的厚度可以在约IOOA至约2,OOOA之间，并且优选在约600A至约
2,OOOA之间。当遮光层240的厚度等于或大于约600A时，遮光层240可以具有相对较高的光密度。
[0084]可以用于缓冲层250的材料的实例可以包括绝缘氧化物如氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化钇等。缓冲层250的厚度可以在约500A至约I μ m之间。
[0085]在缓冲层250上形成半导体氧化物层220。半导体氧化物层220可以包含半导体金属氧化物。例如，半导体金属氧化物可以包括锌、铟、镓、锡、钛、磷的氧化物或它们的各种组合。特别地，半导体金属氧化物可以包括氧化锌(ZnO)、氧化锌锡(ΖΤ0)、氧化锌铟(ZInO)、氧化铟(InO)、氧化钛(TiO)、氧化铟镓锌(IGZ0)、氧化铟锌锡(ΙΖΤ0)等。
[0086]可以通过化学气相沉积法(CVD)方法、等离子体增强的化学气相沉积法(PECVD)方法、溶液涂覆方法等形成半导体氧化物层220。
[0087]参照图4，使半导体氧化物层220图案化以形成半导体氧化物图案区域222。例如，在半导体氧化物层220之上形成光致抗蚀剂图案PR之后，通过将光致抗蚀剂图案PR用作掩模(mask)来蚀刻半导体氧化物层220的暴露部分。因此，缓冲层250的上表面是部分暴露的。
[0088]此后，通过将光致抗蚀剂图案PR用作掩模连续蚀刻缓冲层250和遮光层240以形成过渡图案150和遮光图案140。随后，除去光致抗蚀剂图案PR。其结果是，当从顶部俯视时看出，半导体氧化物图案化区域222、过渡图案150和遮光图案140具有基本上相同的尺寸和相同的形状。
[0089]参照图5，在图4结构的顶部，以列举的次序形成栅极绝缘层262-264和栅极金属层 282-286。
[0090]栅极绝缘层包括上栅极绝缘层262和下栅极绝缘层264。下栅极绝缘层264接触半导体氧化物图案222。因此，下栅极绝缘层264优选包含具有相对较少氢的材料。例如，下栅极绝缘层264可以包含绝缘氧化物如氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化钇等，并且下栅极
绝缘层264的厚度可以在约500A至约3,OOOA之间。在下栅极绝缘层264上形成上栅极
绝缘层262。上栅极绝缘层262可以包含氮化硅等，并且上栅极绝缘层262的厚度可以在约
500A至约2，000A之间。
[0091]在一个实施方式中，栅极绝缘层具有如上述的多层结构。可替代地，栅极绝缘层可以具有包含绝缘氧化物如氧化硅的单层结构。
[0092]栅极金属层包括上覆盖层282、金属层284和下覆盖层286。例如，上覆盖层282和下覆盖层286可以包含氧化物如ΙΖ0，并且金属层284可以包含金属如铜。栅极线金属层可以具有与数据线金属层基本上相同的构造。因此，将省略任何重复的说明。在另一个实施方式中，栅极线金属层可以具有与数据线金属层不同的结构。例如，栅极线金属层可以具有包括铜基层和设置在铜基层之下的钛基阻挡层的双层结构。
[0093]参照图6，将栅极线金属层图案化以形成从相应的栅极线GL完整分支的各自的栅极电极GE (仅显示一对)。
[0094]例如，在上覆盖层282上涂覆光致抗蚀剂组合物以形成具有相当于栅极线GL和栅极电极GE的形状的光致抗蚀剂图案。此后，连续蚀刻不被光致抗蚀剂图案覆盖的上覆盖层282、金属层284和下覆盖层286以形成栅极线GL和栅极电极GE。
[0095]优选地，在相同的过程中使用相同的蚀刻剂组合物蚀刻上覆盖层282、金属层284和下覆盖层286。因此，栅极线GL可以具有相对较大的基础锥角从而理想地提高显示基板的开孔率。
[0096]参照图7，通过将栅极电极GE和栅极线GL用作掩模使上栅极绝缘层262和下栅极绝缘层264图案化以形成栅极绝缘体图案160。因此，栅极绝缘体图案160可以具有与栅极线GL和栅极电极GE基本相同的尺寸和相同的形状。
[0097]在使栅极绝缘层图案化的过程中，半导体氧化物图案222是暴露的。然而，半导体氧化物222包含与栅极绝缘层不同的材料。因此，用于使栅极绝缘层图案化的手段(例如，蚀刻剂)具有关于栅极绝缘层的蚀刻选择性，并且当蚀刻栅极绝缘层时基本上不蚀刻半导体氧化物图案222。
[0098]此后，由半导体氧化物图案222形成通道122、源极(source electrode) 124和漏极(drain electrode) 126。特别地,不被栅极电极GE和栅极绝缘体图案160覆盖的部分半导体氧化物图案222，被转变为源极124和漏极126。
[0099]例如，可以等离子体处理半导体氧化物图案222以形成源极124和漏极126。例如，使半导体氧化物图案222的暴露部分经受含有H2、He、PH3、NH3、SiH4, CH4、C2H2、B2H6、CO2,GeH4、H2Se、H2S、Ar、N2、N20、CHF3等的等离子体气体PT。因此，包含在半导体氧化物图案222中的至少部分半导体材料被还原以形成金属导体。因此，半导体氧化物图案222的被还原部分形成源极124和漏极126，并且由栅极电极GE和栅极绝缘体图案160覆盖的部分半导体氧化物图案222保持不变以便充当所形成的晶体管的通道区域122。[0100]可替代地，可以在还原气体的气氛中加热半导体氧化物图案222或可以进行离子注入(例如，重掺杂)以形成更具导电性的源极124和漏极126。
[0101]参照图8，形成钝化层117以覆盖栅极电极GE、栅极线GL、源极124、漏极126、和第一平面化层115。随后在钝化层117上形成第二平面化层119。
[0102]钝化层117可以包含氮化硅、氧化硅、氧化铝等。第二平面化层119使基板的表面平面化。可以在钝化层117上旋涂光致抗蚀剂组合物以形成第二平面化层119。
[0103]参照图9，使数据绝缘层113、第一平面化层115、钝化层117和第二平面化层119图案化以形成如示出的多个接触孔。
[0104]例如，将数据绝缘层113、第一平面化层115和钝化层117和第二平面化层119图案化以形成暴露部分数据线DL的第一接触孔CHl，并且使钝化层117和第二平面化层119图案化以形成暴露部分源极124的第二接触孔CH2，以及暴露部分漏极126的第三接触孔CH3。
[0105]特别地，将第二平面化层119 (其可以是光致抗蚀剂)暴露于掩蔽的固化灯下。此后，将显影剂施用至第二平面化层119以除去适当的曝光部分或非曝光部分(取决于PR是正显影或负显影类别)以使第二平面化层119图案化。通过将第二平面化层119用作掩模蚀刻钝化层117、数据绝缘层113和第一平面化层115以形成第一至第三接触孔CH1、CH2和CH3。
[0106]参照图10，在图案化的第二平面化层119上形成透明导电层。可以用于透明导电层的材料的实例可以包括IZO、ITO等。
[0107]使透明导电层图案化以形成连接电极130和像素电极PE。连接电极130通过第一接触孔CHl接触数据线DL，并且通过第二接触孔CH2接触源极124。像素电极PE通过第三接触孔CH3接触漏极124。
[0108]根据所描述的实施方式，可以由相同的蚀刻剂组合物来蚀刻具有多层结构的信号线路配线层以提高生产力。此外，改善信号导线的横截面的基础锥角以实现具有相对较大横截面积的低电阻导线。
[0109]在下文中，将参考实施例和比较例的实验结果来解释根据示范性实施方式的蚀刻剂组合物的效果。
[0110]制备蚀刻剂组合物
[0111]根据以下表I制备包含以下的蚀刻剂组合物:磷酸(Η3Ρ04)、硝酸(HNO3)、乙酸(CH3C00H)、作为铜离子化合物的Cu(NO3)2.3H20、作为氟金属酸的H2TiF6、作为硝酸盐的KNO3、作为乙酸盐的CH3CO2NH4JP DI水。
[0112]表I
[0113]
【权利要求】
1.一种图案化的金属导线和基板的组合，所述基板具有在其上形成的所述金属导线，所述金属导线包括: 包含铟和锌的氧化物层；以及 铜基层，设置在所述包含铟和锌的氧化物层之上或之下，其中，所述包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10%并且低于按重量计35%。
2.根据权利要求1所述的组合，其中，所述铜基层的厚度在I,OOOA至3 μ m之间，并且所述包含铟和锌的氧化物层的厚度在IOOA至500A之间。
3.根据权利要求1所述的组合，其中，所述铜基层的厚度在Iym至3μπι之间。
4.根据权利要求1所述的组合，其中，在所述铜基层之上设置所述包含铟和锌的氧化物层。
5.根据权利要求1所述的组合，其中，所述包含铟和锌氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10%并且低于按重量计35%。
6.根据权利要求1所述的组合，其中，所述铜基层具有基本上梯形的横截面轮廓，并且所述铜基层的所述横截面轮廓的基础锥角基本上大于50°。
7.根据权利要求6所述的组合，其中，所述铜基层的所述基础锥角在60°至85°之间。
8.根据权利要求1所述的组合，其中，在所述铜基层之下设置包含铟和锌的氧化物半导体层。
9.根据权利要求8所述的组合，进一步包括设置在所述包含铟和锌的氧化物层之下的半导体氧化物层，所述半导体氧化物层包含铟和锌。
10.根据权利要求1所述的组合，进一步包括设置在所述铜基层之下的钛层。
【文档编号】H01L27/12GK103715177SQ201310260941
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年6月26日 优先权日:2012年10月5日
【发明者】朴弘植, 李旺宇, 金俸均, 郑钟铉, 林永祐, 金奎布, 徐源国, 申贤哲, 韩筵昊, 李骐范, 曹三永 申请人:三星显示有限公司