闪存器件结构以及制作方法与流程

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种闪存器件结构以及制作方法。

背景技术：
存储器用于存储大量的数字信息。目前存在着众多类型的存储器，如RAM(随机存储器)、DRAM(动态随机存储器)、ROM(只读存储器)、EPROM(可擦除可编程只读存储器)、FLASH(闪存)等等。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机、笔记本、掌上电脑和u盘等移动和通讯设备中，闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。现有技术中的闪存器件结构如图1所示，包括：半导体衬底10，形成在所述半导体衬底10上的多个第一氧化物11，在所述第一氧化层11之间上依次形成第二氧化层50和字线23，所述第二氧化层50形成在所述字线23两侧以及底部，形成在所述第二氧化层50的两侧以及第一氧化层11上的两个浮栅(FloatingGate)21，形成在所述浮栅21表面的隔离层30，形成在所述隔离层30上的两个控制栅(ControlGate)22，所述控制栅22与所述第二氧化层50相距一定距离，形成在所述第二氧化层50与控制栅22之间的第一氮化层41，形成在所述控制栅22表面的第三氧化层42，形成在所述第三氧化层42、控制栅22以及浮栅21两侧的补偿侧墙43以及侧墙44。现有技术中，由于闪存器件结构中的所述控制栅21的尺寸较小，导致整个闪存器件结构的电阻过大，影响反应速度，致使响应时间过长。

技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种闪存器件结构以及制作方法，能够形成大尺寸的控制栅，降低闪存器件的电阻，提供反应速度，降低响应时间。为了实现上述目的，本发明提出一种闪存器件的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成栅介质层、浮栅层、第一隔离层以及掩膜层；刻蚀所述掩膜层形成第一窗口；在所述第一窗口内侧壁上依次形成控制栅和第二隔离层；依次刻蚀第一窗口内的第一隔离层、浮栅层和栅介质层，形成第二窗口；在第二窗口内依次形成第三氧化硅和字线；依次刻蚀所述掩膜层、第一隔离层以及浮栅层，形成浮栅；在所述浮栅、第一隔离层以及所述控制栅的两侧形成侧墙。进一步的，在所述的闪存器件的制作方法中，所述第一隔离层的材质为氧化硅或氧化硅-氮化硅-氧化硅组合。进一步的，在所述的闪存器件的制作方法中，在形成第一窗口之后，形成控制栅之前，在所述第一窗口中形成第一氧化硅。进一步的，在所述的闪存器件的制作方法中，所述第二隔离层为两层：一层为形成在所述控制栅表面的第二氧化硅，另一层为形成在所述第二氧化硅表面的氮化硅。进一步的，在所述的闪存器件的制作方法中，在形成第一窗口内侧壁上形成控制栅和第二隔离层之后，在刻蚀第一隔离层和浮栅层形成第二窗口之前，刻蚀所述第二隔离层，暴露出所述控制栅的顶部。进一步的，在所述的闪存器件的制作方法中，在刻蚀形成第二窗口之后，形成字线之前，在第二窗口内形成第三氧化硅，作为字线栅介质层，所述第三氧化硅形成在所述第二窗口的底部和侧壁上，并且覆盖所述第二窗口外暴露的控制栅的顶部以及所述掩膜层的上方。进一步的，在所述的闪存器件的制作方法中，在形成字线之后，采用化学机械研磨对所述字线进行研磨，暴露出所述掩膜层的表面。进一步的，在所述的闪存器件的制作方法中，在化学机械研磨对所述字线进行研磨之后，刻蚀所述字线，使所述字线的高度低于所述第二隔离层的高度。进一步的，在所述的闪存器件的制作方法中，在刻蚀所述字线之后，刻蚀所述掩膜层、第一隔离层以及浮栅层之前，在所述字线的表面形成第四氧化层。进一步的，在所述的闪存器件的制作方法中，所述第四氧化层采用热氧化法形成。进一步的，在刻蚀所述掩膜层为湿法刻蚀，第一隔离层以及浮栅层为各向异性刻蚀。进一步的，在所述的闪存器件的制作方法中，在形成所述侧墙之后，在所述控制栅以及字线的顶部形成自对准硅化物。进一步的，在所述的闪存器件的制作方法中，所述栅介质层的材质为氧化层。进一步的，在所述的闪存器件的制作方法中，所述浮...