鳍式场效应晶体管结构及其制作方法
【专利摘要】本发明提供一种鳍式场效应晶体管结构及其制作方法，所述鳍式场效应晶体管结构包括衬底，所述衬底中凹设形成有分立的第一栅极及第二栅极；第二栅介质层，为条状并覆盖所述第一栅极与第二栅极；所述第二栅介质层中间区域上形成有第二栅极材料层，所述第二栅极材料层及其下方的第二栅介质层构成第三栅极；一对侧墙，形成于所述第二栅介质层纵向相对的两侧壁上，所述侧墙两侧的衬底中分别形成有源极区域和漏极区域。本发明的鳍式场效应晶体管结构具有三个独立的栅极，可以分别在三个栅极上加不同的电压对沟道进行控制，操作更灵活，可获得更大的电流及更快的响应速度，有效提升晶体管结构的性能；且沟道位于衬底中，降低了工艺难度并节约成本。
【专利说明】鳍式场效应晶体管结构及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体制造领域，涉及一种晶体管，特别是涉及一种鳍式场效应晶体管结构及其制作方法。
【背景技术】
[0002]当今半导体制造业在摩尔定律的指导下迅速发展，不断地提高集成电路的性能和集成密度，同时尽可能的减小集成电路的功耗。因此，制备高性能、低功耗的超短沟道器件将成为未来半导体制造业的焦点。对于全耗尽型晶体管，为了获得晶体管的理想亚阈值梯度，硅主体的厚度必须约是晶体管栅极长度的三分之一。然而随着栅极长度缩小，尽量降低硅膜厚度的需求变得越来越不实际，因为厚度小于10纳米的硅膜的加工是极其困难的。一方面，在一个纳米的量级上获得晶片的一致性异常艰难，另一方面，薄硅膜很容易在后续的各种清洁工艺中被消耗掉，使得后续源漏极生长变得极其艰难。
[0003]目前已出现双栅或多栅结构的鳍式半导体器件，可以在一定程度上解决上述问题。一般来说，双栅器件在沟道两侧都有电极，所以硅主体的厚度可以是单栅极的两倍，并且仍可以获得全耗尽型晶体管；多栅结构同理。通过多栅结构，能够很好加强栅对于沟道的控制能力，使得电场线难以从漏端直接穿过沟道到达源端，这样就能大幅度的改善漏至势垒降低效应，减小漏电流，并且很好的抑制短沟道效应。此外，沟道区域不需要像传统平面场效应晶体管一样进行重掺杂来抑制短沟道效应，轻掺杂沟道区域的优势在于减小了散射带来的迁移率下降，从而使多栅结构器件的迁移率得到大幅度改善。鳍式场效应晶体管作为一种新结构器件，很有潜力替代传统平面场效应晶体管。
[0004]目前的鳍式场效应晶体管结构具有如下缺点:(I)工艺要求高，因为形成条状鳍需要刻蚀掉衬底表面大部分材料，只留下很小的条状鳍结构，工艺难度较高，通常在刻蚀完毕后还需要通过再生长以得到理想形状的鳍结构，工艺相对复杂；(2)两个或多个栅极上只能加相同的电压，操作灵活性不高，不利于进一步提高晶体管的性能。
【发明内容】
[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种鳍式场效应晶体管结构及其制作方法，用于解决现有技术中鳍式场效应晶体管结构工艺复杂、操作灵活性不高的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种鳍式场效应晶体管结构的制作方法，至少包括以下步骤:
[0007]S1:提供一衬底，在所述衬底中凹设形成分立的第一栅极及第二栅极；所述第一栅极及第二栅极均包括第一栅极材料层及包围所述第一栅极材料层侧壁和底部的第一栅介质层；所述第一栅极及第二栅极上表面与所述衬底上表面齐平；
[0008]S2:在所述衬底上形成一覆盖所述第一栅极与第二栅极的条状结构；所述条形结构自下而上依次包括第二栅介质层及第二栅极材料层；
[0009]S3:在所述条状结构纵向相对的两个侧面上分别形成一侧墙；然后在一对侧墙两侧的衬底中分别形成源极区域和漏极区域；
[0010]S4:刻蚀所述条形结构两端直至露出部分第二栅介质层上表面；刻蚀之后剩余的第二栅极材料层及其下方的第二栅介质层构成第三栅极；
[0011]S5:在步骤S4获得的结构上形成绝缘层并进行抛光直至所述绝缘层上表面与所述第三栅极上表面齐平；最后分别在所述第一栅极、第二栅极、源极区域及漏极区域上方形成接触孔。
[0012]可选地，所述第一栅极及第二栅极在水平面上的投影为方形，高度范围是20nm?60nm,宽度范围是1nm?30nm。
[0013]可选地，所述第三栅极的纵向宽度大于或等于所述第一栅极及第二栅极的纵向宽度。
[0014]可选地，所述第三栅极的横向宽度小于或等于所述第一栅极与第二栅极的间距。
[0015]可选地，所述源极区域和漏极区域通过掺杂形成，掺杂的深度小于或等于所述第一栅极及第二栅极的高度。
[0016]可选地，于所述步骤SI中形成第一栅极及第二栅极之前还包括对所述衬底进行等离子体处理的步骤；所述等离子体包括N、F或Ar中的一种或多种。
[0017]可选地，所述衬底为Si衬底或SOI衬底。
[0018]本发明还提供一种鳍式场效应晶体管结构，包括:
[0019]衬底，所述衬底中凹设形成有分立的第一栅极及第二栅极；所述第一栅极及第二栅极均包括第一栅极材料层及包围所述第一栅极材料层侧壁和底部的第一栅介质层；所述第一栅极及第二栅极上表面与所述衬底上表面齐平；
[0020]第二栅介质层，所述第二栅介质层为条状并覆盖所述第一栅极与第二栅极；所述第二栅介质层中间区域上形成有第二栅极材料层，所述第二栅极材料层及其下方的第二栅介质层构成第三栅极；
[0021]一对侧墙，形成于所述第二栅介质层纵向相对的两侧壁及所述第二栅极材料层纵向相对的两侧壁上，所述侧墙上表面与所述第三栅极上表面齐平；所述侧墙两侧的衬底中分别形成有源极区域和漏极区域；
[0022]绝缘层，所述绝缘层形成于所述第三栅极两端的第二栅介质层表面、所述源极区域表面及所述漏极区域表面；所述绝缘层上表面与所述第三栅极上表面齐平；所述第一栅极、第二栅极、源极及漏极区域上方形成有接触孔。
[0023]可选地，所述第三栅极的纵向宽度大于或等于所述第一栅极及第二栅极的纵向宽度。
[0024]可选地，所述第三栅极的横向宽度小于或等于所述第一栅极与第二栅极的间距。
[0025]如上所述，本发明的鳍式场效应晶体管结构及其制作方法，具有以下有益效果:本发明鳍式场效应晶体管结构具有三个独立的栅极，可以分别在三个栅极上加不同的电压对沟道进行控制，获得更大的电流及更快的响应速度，有效提升晶体管结构的性能；本发明的鳍式场效应晶体管沟道位于衬底中，制作时无需刻蚀掉大量的衬底，因此减少了刻蚀时间、节约了成本，且降低了工艺难度。
【专利附图】
【附图说明】
[0026]图1显示为本发明的鳍式场效应晶体管结构的制作方法的工艺流程图。
[0027]图2显示为本发明的鳍式场效应晶体管结构的制作方法在衬底上形成掩膜并图形化后的剖面结构示意图。
[0028]图3显示为图2所示结构的俯视图。
[0029]图4显示为本发明的鳍式场效应晶体管结构的制作方法刻蚀衬底形成沟槽并在沟槽侧壁及底部形成第一栅介质层后的剖面结构示意图。
[0030]图5显示为图4所示结构的俯视图。
[0031]图6显示为本发明的鳍式场效应晶体管结构的制作方法形成第一栅极材料层后的剖面结构示意图。
[0032]图7显示为本发明的鳍式场效应晶体管结构的制作方法形成第一栅极及第二栅极后的剖面结构示意图。
[0033]图8显示为图7所示结构的俯视图。
[0034]图9显示为本发明的鳍式场效应晶体管结构的制作方法形成一覆盖第一栅极与第二栅极的条状结构后的剖面结构示意图。
[0035]图10显示为图9所示结构的俯视图。
[0036]图11显示为本发明的鳍式场效应晶体管结构的制作方法在条状结构纵向相对的两个侧面上形成侧墙后的结构俯视图。
[0037]图12显示为本发明的鳍式场效应晶体管结构的制作方法形成源极区域及漏极区域后的结构俯视图。
[0038]图13显示为本发明的鳍式场效应晶体管结构的制作方法形成第三栅极后的结构俯视图。
[0039]图14显示为图13所示结构的剖面示意图。
[0040]图15显示为本发明的鳍式场效应晶体管结构的制作方法形成绝缘层后的剖面结构示意图。
[0041]图16显示为图15所示结构的俯视图。
[0042]图17显示为本发明的鳍式场效应晶体管结构的剖面结构示意图。
[0043]图18显示为图17所示结构的俯视图。
[0044]元件标号说明
[0045]SI ?S5步骤
[0046]I衬底
[0047]2掩膜
[0048]3凹槽
[0049]4第一栅介质层
[0050]5第一栅极材料层
[0051]6第一栅极
[0052]7第二栅极
[0053]8第二栅介质层
[0054]9第二栅极材料层
[0055]10侧墙
[0056]11源极区域
[0057]12漏极区域
[0058]13第三栅极
[0059]14绝缘层
[0060]15接触孔
[0061]Cl1第一栅极的高度
[0062]d2第一栅极的宽度
[0063]d3第一栅极的纵向宽度
[0064]d4第一栅极与第二栅极的间距
[0065]d5第三栅极的纵向宽度
[0066]d6第三栅极的横向宽度
【具体实施方式】
[0067]以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0068]请参阅图1至图18。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0069]实施例1
[0070]请参阅图1，显示为本发明的鳍式场效应晶体管结构的制作方法的工艺流程图，本发明的鳍式场效应晶体管结构的制作方法至少包括以下步骤:
[0071]步骤SI，提供一衬底，在所述衬底中凹设形成分立的第一栅极及第二栅极；所述第一栅极及第二栅极均包括第一栅极材料层及包围所述第一栅极材料层侧壁和底部的第一栅介质层；所述第一栅极及第二栅极上表面与所述衬底上表面齐平。
[0072]具体的，所述衬底可为任意公知的半导体衬底，包括但不限于Si衬底或SOI衬底。本实施例中所述衬底以Si衬底为例进行说明。请参阅图2，如图所示，首先在衬底I上通过化学气相沉积等常规方法形成一掩膜2，然后在图形化所述掩膜2，在所述掩膜2中形成两个凹槽3。所述掩膜2可以为光刻胶或硬掩膜，本实施例中优选为硬掩膜，有利于形成更平整的表面。所述硬掩膜的材料包括但不限于SiN。请参阅图3，显示为图2所示结构的俯视图。
[0073]请参阅图4，如图所示，图形化所述掩膜2之后，在该掩膜的基础上对所述衬底I进行刻蚀，在所述凹槽3区域下的衬底I中凹蚀出两个分别用于形成第一栅极及第二栅极的沟槽，然后在所述沟槽的侧壁及底部上形成第一栅介质层4。所述第一栅介质层4的材料包括但不限于常规氧化物或高K介质，高K介质是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料，它具备良好的绝缘属性，同时可在栅和硅底层通道之间产生较高的场效应，高K介质材料包括Zr02、Hf02、Al203、HfSi0、HfS1N中的一种或多种。本实施例中所述衬底采用Si衬底进行说明，可以直接对所述沟槽侧壁及底部进行氧化，形成氧化硅第一栅介质层4。对于为其它材料的衬底I，也可以采用沉积等方法形成所述第一栅介质层4。请参阅图5，显示为图4所示结构的俯视图。
[0074]请参阅图6，如图所示，在所述沟槽中填充第一栅极材料层5，所述第一栅极材料层5的材料包括但不限于多晶硅或金属材料，本实施例中以多晶硅为例。形成所述第一栅极材料层5之后，采用化学机械抛光等方法去除所述沟槽外多余的第一栅极材料层材料及掩膜，从而形成第一栅极及第二栅极，请参阅图7，显示为上述结构的剖面示意图，如图所示，所述第一栅极6及第二栅极7分立且凹设形成于所述衬底I中。所述第一栅极6及第二栅极7均包括第一栅极材料层5及包围所述第一栅极材料层5侧壁和底部的第一栅介质层4 ;所述第一栅极6及第二栅极7上表面与所述衬底I上表面齐平。本实施例中，所述第一栅极6及第二栅极7在水平面上的投影为方形，如图7所示，第一栅极的高度为Cl1，第一栅极的宽度为d2，其中Cl1的取值范围是20nm?60nm，d2的取值范围是1nm?30nm，所述第二栅极7与所述第一栅极6的高度及宽度范围相同。请参阅图8，显示为图7所示结构的俯视图，图中示出了第一栅极的纵向宽度屯及第一栅极与第二栅极的间距d4。本实施例中，所述第二栅极7与第一栅极6具有相同的纵向宽度。
[0075]具体的，在形成第一栅极6及第二栅极7之前还可以对所述衬底I进行等离子体处理，所述等离子体包括N、F或Ar中的一种或多种，其作用是利用离子态与衬底表面不饱和态进行化学反应从而降低衬底表面悬挂键，提高器件可靠性。
[0076]步骤S2，请参阅图9至图10，在所述衬底上形成一覆盖所述第一栅极与第二栅极的条状结构；所述条形结构自下而上依次包括第二栅介质层及第二栅极材料层。
[0077]首先请参阅图9，显示为上述结构的剖面结构示意图，所述条形结构包括第二栅介质层8及形成于其上的第二栅极材料层9。所述第二栅介质层8的材料包括但不限于氧化物或高K介质。所述第二栅极材料层9的材料包括但不限于多晶硅或金属。对于所述衬底I为Si衬底的情况，所述条形结构的形成过程可以是先将步骤SI获得的结构上表面全部氧化，然后沉积第二栅极材料层，再对其图案化得到所述条形结构。请参阅图10，显示为图9所示结构的俯视图，如图所示，所述条形结构覆盖所述第一栅极6及第二栅极7。
[0078]步骤S3，请参阅图11至图12，在所述条状结构纵向相对的两个侧面上分别形成一侧墙；然后在一对侧墙两侧的衬底中分别形成源极区域和漏极区域。
[0079]首先请参阅图11，如图所示，所述条形结构纵向相对的两个侧面上分别形成有侧墙10，所述侧墙10的材料包括但不限于SiN，所述侧墙通过沉积及刻蚀等常规工艺形成。再请参阅图12，如图所示，一对侧墙10两侧的衬底中分别形成有源极区域11及漏极区域12。具体的，所述源极区域11和漏极区域12通过在衬底中掺杂形成，掺杂的深度小于或等于所述第一栅极6及第二栅极7的高度，可以使得沟道区域形成于所述第一栅极及第二栅极之间。
[0080]需要指出的是，所述源极区域及所述漏极区域的横向宽度大于或等于所述第一栅极与第二栅极之间的间距，优选为大于所述第一栅极与第二栅极之间的间距，以保证所述第一栅极与第二栅极相邻的沟道中载流子正常通过。图12中显示的是源极区域及漏极区域横向宽度很宽的情形。另外，所述侧墙的横向宽度同样大于或等于所述第一栅极与第二栅极之间的间距，所述侧墙的横向宽度越宽，越有利于降低源极区域与各个栅极之间的寄生电容，提闻器件性能。
[0081]步骤S4，请参阅图13至图14，刻蚀所述条形结构两端直至露出部分第二栅介质层上表面；刻蚀之后剩余的第二栅极材料层及其下方的第二栅介质层构成第三栅极。
[0082]其中，图13显示为步骤S4获得的结构的俯视图，图14显示为该结构的剖面示意图，如图14所示，刻蚀之后剩余的第二栅极材料层9及其下方的第二栅介质层构成第三栅极13。图13中还示出了第三栅极的纵向宽度d5及第三栅极的横向宽度(16，其中，第三栅极的纵向宽度d5大于或等于所述第一栅极的纵向宽度d3，第三栅极的纵向宽度d5也大于或等于第二栅极的纵向宽度；第三栅极的横向宽度d6小于或等于所述第一栅极6与第二栅极7的间距d4。图14显示的是第三栅极的横向宽度d6等于所述第一栅极6与第二栅极7的间距d4的情形。对于第三栅极的纵向宽度大于所述第一栅极及第二栅极纵向宽度的情形，因为源漏离子注入的窗口位置实际是由第三栅极的纵向宽度加上侧墙决定的，所以虽然第三栅极的纵向宽度大于所述第一栅极及第二栅极的纵向宽度，但只要通过优化退火等手段保证源漏区离子扩散足以搭界到三个栅的边界，就可以保证各沟道正常导通。对于第三栅极的横向宽度d6小于所述第一栅极6与第二栅极7的间距d4的情形，可以降低第三栅极与第一栅极之间的寄生电容以及第三栅极与第二栅极之间的寄生电容，器件性能更好。
[0083]步骤S5，请参阅图15至图18，在步骤S4获得的结构上形成绝缘层并进行抛光直至所述绝缘层上表面与所述第三栅极上表面齐平；最后分别在所述第一栅极、第二栅极、源极区域及漏极区域上方形成接触孔。
[0084]首先请参阅图15，显示为在步骤S4获得的结构上沉积绝缘层14并进行抛光直至所述绝缘层14上表面与所述第三栅极上表面齐平后的剖面结构示意图，图16显示为图15所示结构的俯视图。图17显示为形成接触孔15后的结构的剖面示意图，至此，形成了本发明的鳍式场效应晶体管结构。图18显示为该结构的俯视图。
[0085]本发明的鳍式场效应晶体管结构的制作方法形成了三个分立的栅极:第一栅极6、第二栅极7及第三栅极13，从而在衬底I中形成了三个沟道，分别位于所述第一栅极6与第二栅极7横向相对的两个内侧面相邻的衬底中及所述第三栅极下表面相邻的衬底中。工作时，可以分别在三个栅极上加不同的电压对沟道进行控制，获得更大的电流及更快的响应速度，有效提升晶体管结构的性能；另外，本发明的鳍式场效应晶体管沟道位于衬底中，制作时无需刻蚀掉大量的衬底，因此减少了刻蚀时间、节约了成本，且降低了工艺难度。
[0086]实施例2
[0087]请参阅图17及图18，本发明还提供一种鳍式场效应晶体管结构，包括:
[0088]衬底I，所述衬底I中凹设形成有分立的第一栅极6及第二栅极7 ;所述第一栅极6及第二栅极7均包括第一栅极材料层5及包围所述第一栅极材料层5侧壁和底部的第一栅介质层4 ;所述第一栅极6及第二栅极7上表面与所述衬底I上表面齐平；
[0089]第二栅介质层8，所述第二栅介质层8为条状并覆盖所述第一栅极6与第二栅极7 ;所述第二栅介质层8中间区域上形成有第二栅极材料层9，所述第二栅极材料层9及其下方的第二栅介质层构成第三栅极13 ；
[0090]一对侧墙10，形成于所述第二栅介质层8纵向相对的两侧壁及所述第二栅极材料层9纵向相对的两侧壁上，所述侧墙10上表面与所述第三栅极13上表面齐平；所述侧墙10两侧的衬底中分别形成有源极区域和漏极区域；
[0091]绝缘层14，所述绝缘层14形成于所述第三栅极13两端的第二栅介质层8表面、所述源极区域表面及所述漏极区域表面；所述绝缘层14上表面与所述第三栅极13上表面齐平；所述第一栅极6、第二栅极7、源极及漏极区域上方形成有接触孔15。
[0092]具体的，所述第三栅极13的纵向宽度大于或等于所述第一栅极6及第二栅极7的纵向宽度，所述第三栅极13的横向宽度小于或等于所述第一栅极6与第二栅极7的间距。
[0093]具体的，所述第一栅极6、第二栅极7及第三栅极13为基于多晶硅的栅极结构或为高K金属栅结构，还可以为多晶硅与金属复合结构，所述第一栅极6、第二栅极7及第三栅极13中可包括掺杂物。所述第一栅极材料层5及第二栅极材料层9可以为单层结构，也可以为复合叠层结构。
[0094]本发明的鳍式场效应晶体管结构包括三个分立的栅极，在衬底中形成有三个沟道，三个栅极上可以分别加相同的或不同的电压，可操作范围大，更具灵活性，可获得更大的电流及更快的响应速度，从而有效提升晶体管结构的性能。
[0095]综上所述，本发明鳍式场效应晶体管结构的制作方法在晶体管结构中制作出三个独立的栅极，可以分别在三个栅极上加不同的电压对沟道进行控制，获得更大的电流及更快的响应速度，有效提升晶体管结构的性能；本发明的鳍式场效应晶体管沟道位于衬底中，制作时无需刻蚀掉大量的衬底，因此减少了刻蚀时间、节约了成本，且降低了工艺难度。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0096]上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属【技术领域】中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
【权利要求】
1.一种鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤: S1:提供一衬底，在所述衬底中凹设形成分立的第一栅极及第二栅极；所述第一栅极及第二栅极均包括第一栅极材料层及包围所述第一栅极材料层侧壁和底部的第一栅介质层；所述第一栅极及第二栅极上表面与所述衬底上表面齐平； 52:在所述衬底上形成一覆盖所述第一栅极与第二栅极的条状结构；所述条形结构自下而上依次包括第二栅介质层及第二栅极材料层； 53:在所述条状结构纵向相对的两个侧面上分别形成一侧墙；然后在一对侧墙两侧的衬底中分别形成源极区域和漏极区域； 54:刻蚀所述条形结构两端直至露出部分第二栅介质层上表面；刻蚀之后剩余的第二栅极材料层及其下方的第二栅介质层构成第三栅极； 55:在步骤S4获得的结构上形成绝缘层并进行抛光直至所述绝缘层上表面与所述第三栅极上表面齐平；分别在所述第一栅极、第二栅极、源极区域及漏极区域上方形成接触孔。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于:所述第一栅极及第二栅极在水平面上的投影为方形，高度范围是20nm?60nm，宽度范围是1nm?30nmo
3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于:所述第三栅极的纵向宽度大于或等于所述第一栅极及第二栅极的纵向宽度。
4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于:所述第三栅极的横向宽度小于或等于所述第一栅极与第二栅极的间距。
5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于:所述源极区域和漏极区域通过掺杂形成，掺杂的深度小于或等于所述第一栅极及第二栅极的高度。
6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于:于所述步骤SI中形成第一栅极及第二栅极之前还包括对所述衬底进行等离子体处理的步骤；所述等离子体包括N、F或Ar中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于:所述衬底为Si衬底或SOI衬底。
8.—种鳍式场效应晶体管结构，其特征在于，包括: 衬底，所述衬底中凹设形成有分立的第一栅极及第二栅极；所述第一栅极及第二栅极均包括第一栅极材料层及包围所述第一栅极材料层侧壁和底部的第一栅介质层；所述第一栅极及第二栅极上表面与所述衬底上表面齐平； 第二栅介质层，所述第二栅介质层为条状并覆盖所述第一栅极与第二栅极；所述第二栅介质层中间区域上形成有第二栅极材料层，所述第二栅极材料层及其下方的第二栅介质层构成第三栅极； 一对侧墙，形成于所述第二栅介质层纵向相对的两侧壁及所述第二栅极材料层纵向相对的两侧壁上，所述侧墙上表面与所述第三栅极上表面齐平；所述侧墙两侧的衬底中分别形成有源极区域和漏极区域； 绝缘层，所述绝缘层形成于所述第三栅极两端的第二栅介质层表面、所述源极区域表面及所述漏极区域表面；所述绝缘层上表面与所述第三栅极上表面齐平；所述第一栅极、第二栅极、源极及漏极区域上方形成有接触孔。
9.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构，其特征在于:所述第三栅极的纵向宽度大于或等于所述第一栅极及第二栅极的纵向宽度。
10.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构，其特征在于:所述第三栅极的横向宽度小于或等于所述第一栅极与第二栅极的间距。
【文档编号】H01L29/78GK104377136SQ201310360739
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2013年8月16日 优先权日:2013年8月16日
【发明者】赵猛 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司