图形化方法
【专利摘要】一种图形化方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上由下至上依次形成富碳层和有机介质层；在所述有机介质层上形成图形化的光刻胶；以所述图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述有机介质层和所述富碳层，形成图形化的有机介质层和图形化的富碳层，所述图形化的有机介质层和图形化的富碳层中形成了窗口，所述窗口侧壁和图形化的有机介质层上表面附着有残渣；去除所述残渣；去除所述残渣后，通过所述窗口刻蚀所述待刻蚀层，形成图形化的待刻蚀层。本发明提供的图形化方法得到的图形化的待刻蚀层形貌良好，且尺寸精确。
【专利说明】图形化方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，特别涉及到一种图形化方法。
【背景技术】
[0002]在半导体集成电路制造工艺中，通过一系列的工序，如淀积、光刻、刻蚀、平坦化等，在半导体衬底上形成半导体结构。其中，光刻工艺用于形成图形化的光刻胶，定义出待刻蚀区域。而刻蚀工艺用于将图形化的光刻胶中的图形转移至待刻蚀层中，在所述待刻蚀层中形成所需结构。
[0003]以刻蚀层间介质层以形成通孔为例，为了增强图形的转移精度，一般先将图形化的光刻胶中的图案转移至硬掩膜层中，然后以图形化的硬掩膜层为掩膜，将图形转移至层间介质层中。
[0004]现有技术中，图形化层间介质层的方法包括:
[0005]参考图1，提供基底1，在所述基底I上由下至上依次形成层间介质层2、硬掩膜层3、富碳层4、有机介质层(ODL) 5、底部抗反射层6和图形化的光刻胶7。
[0006]其中，富碳层4用作刻蚀硬掩膜层3的掩膜，以图形化的富碳层为掩膜，刻蚀硬掩膜层3，可以在硬掩膜层3中形成侧壁形貌良好，且侧壁垂直的窗口。
[0007]有机介质层5用作刻蚀富碳层4的掩膜。如果富碳层4中已形成有图形，所述有机介质层5由于具有很好的填充性能，还可以作为填充材料，为后续形成底部抗反射层6提供平坦的上表面。
[0008]所述底部抗反射层6用于减小光刻胶曝光时的反射效应，以实现精细图案的精确转移。
[0009]参考图2，以所述图形化的光刻胶7为掩膜，刻蚀所述底部抗反射层6、有机介质层5和富碳层4，形成图形化的底部抗反射层61、图形化的有机介质层51和图形化的富碳层41。所述图形化的富碳层41中形成窗口。
[0010]参考图3，去除所述图形化的光刻胶7、图形化的底部抗反射层61和图形化的有机介质层51。
[0011]参考图4，以所述图形化的富碳层41为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层3，形成图形化的硬掩膜层31。
[0012]参考图5，以所述图形化的富碳层41和所述图形化的硬掩膜层31为掩膜，刻蚀所述层间介质层2，形成图形化的层间介质层21。然后去除所述图形化的富碳层41和所述图形化的硬掩膜层31。
[0013]实验发现，由此方法得到的图形化的层间介质层21形貌不好，且尺寸不精确。
【发明内容】
[0014]本发明解决的问题是现有技术中，图形化得到的图形化的层间介质层形貌不好和尺寸不精确。
[0015]为解决上述问题，本发明提供一种图形化方法，包括:提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上由下至上依次形成富碳层和有机介质层；在所述有机介质层上形成图形化的光刻胶；以所述图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述有机介质层和所述富碳层，在所述有机介质层和富碳层中形成了窗口，所述窗口侧壁和底部附着有残渣；去除所述残渣；去除所述残渣后，通过所述窗口刻蚀所述待刻蚀层，形成图形化的待刻蚀层。
[0016]可选的，使用N2和H2的等离子体刻蚀所述有机介质层。
[0017]可选的，使用氟碳基等离子体刻蚀所述富碳层。
[0018]可选的，所述氟碳基等离子体为CF4等离子体或CHF3等离子体。
[0019]可选的，在所述有机介质层上形成图形化的光刻胶前，在所述有机介质层上形成底部抗反射层，所述图形化的光刻胶形成在所述底部抗反射层上。
[0020]可选的，去除所述残渣后，刻蚀所述待刻蚀层前，还包括:去除所述有机介质层；或者，形成所述窗口后，去除所述残渣前，还包括:去除所述有机介质层。
[0021]可选的，所述底部抗反射层为含硅底部抗反射层。
[0022]可选的，使用O2和CF4等离子体刻蚀去除所述残渣。
[0023]可选的，刻蚀去除所述残渣时，待刻蚀层上施加的偏置电压为O。
[0024]可选的，去除所述残渣后，刻蚀所述待刻蚀层前，还包括:去除所述有机介质层。
[0025]可选的，使用O2和N2等离子体刻蚀去除所述有机介质层。
[0026]可选的，所述待刻蚀层为硬掩膜层。
[0027]可选的，所述硬掩膜层为氮化钛层、氮化硅层或氮氧硅层。
[0028]可选的，所述富碳层为S1C层或SiC层。
[0029]可选的，去除有机介质层以及残渣后，刻蚀所述待刻蚀层前，还包括:重复所述形成有机介质层、图形化的光刻胶、刻蚀所述有机介质层和所述富碳层的步骤，以在有机介质层和富碳层中的另一位置形成窗口，重复去除残渣的步骤。
[0030]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0031]在刻蚀所述待刻蚀层之前，去除所述窗口侧壁和图形化的有机介质层上表面的残渣。去除所述残渣可以提高窗口侧壁的形貌，通过所述窗口刻蚀所述待刻蚀层后，得到的图形化的待刻蚀层也具有良好的形貌，且尺寸精确。
【专利附图】
【附图说明】
[0032]图1至图5是现有技术中图形化方法各步骤的剖面结构示意图；
[0033]图6至图12是本发明第一实施例中图形化方法各步骤的剖面结构示意图；
[0034]图13至图22是本发明第二实施例中图形化方法各步骤的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0035]刻蚀所述富碳层4时，不可避免的会对图形化的有机介质层51再进行刻蚀，即刻蚀气体与富碳层4、图形化的有机介质层51反应，该反应会生成一些分子量很大的高分子及一些其他非挥发的产物，这些非挥发的产物难以被刻蚀气体带走，作为残渣附着在窗口的侧壁和图形化的有机介质层51的上表面。残渣的存在会影响后续的刻蚀工艺，造成图形化的硬掩膜层的形貌变差，从而造成图形化的层间介质层21的形貌变差、尺寸不精确。
[0036]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0037]第一实施例
[0038]本实施例提供一种图形化方法，包括:
[0039]参考图6，提供待刻蚀层110。
[0040]在具体实施例中，所述待刻蚀层110可以为硬掩膜层，如氮化钛层、氮化硅层或氮氧硅层等本领域所熟知的硬掩膜层。
[0041]参考图7，在所述待刻蚀层110上由下至上依次形成富碳层120、有机介质层130、底部抗反射层140和图形化的光刻胶150。
[0042]其中，富碳层120用作刻蚀待刻蚀层110的掩膜，以图形化的富碳层为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层110，可以在待刻蚀层110中形成侧壁形貌良好，且侧壁垂直的窗口。
[0043]在具体实施例中，所述富碳层120为S1C层、SiC层或本领域所熟知的其他富碳层。
[0044]有机介质层130用作刻蚀富碳层120的掩膜。如果富碳层120中已形成有图形，所述有机介质层130由于具有很好的填充性能，还可以作为填充材料，为后续形成底部抗反射层140提供平坦的上表面。
[0045]所述底部抗反射层140用于减小光刻胶曝光时的反射效应，以实现精细图案的精确转移。
[0046]在具体实施例中，为了增加曝光过程中曝光景深(D0F)，实现光刻胶的均匀曝光，所述底部抗反射层140可以为含Si底部抗反射层(S1-ARC)。由于含Si底部抗反射层硬度较大，还可以作为刻蚀所述有机介质层130的掩膜。
[0047]参考图8，以所述图形化的光刻胶150为掩膜，刻蚀所述底部抗反射层140、有机介质层130和富碳层120，形成图形化的底部抗反射层、图形化的有机介质层131和图形化的富碳层121。然后去除所述图形化的光刻胶150和图形化的底部抗反射层。
[0048]所述图形化的有机介质层131和图形化的富碳层121中形成了窗口 101。
[0049]在具体实施例中，使用CF4等离子体刻蚀所述底部抗反射层140 ;然后，使用N2和H2的等离子体刻蚀所述有机介质层130 ;再使用氟碳基等离子体刻蚀所述富碳层120，如CF4等离子体或CHF3等离子体。
[0050]刻蚀所述富碳层120时，不可避免的会对图形化的有机介质层131和图形化的底部抗反射层再进行刻蚀，即刻蚀气体与富碳层120、图形化的有机介质层131、图形化的底部抗反射层反应，该反应会生成一些非挥发的、分子量很大的高分子及一些其他非挥发的产物，这些非挥发的产物难以被刻蚀气体带走。去除所述图形化的光刻胶150和图形化的底部抗反射层后，这些非挥发的产物会作为残渣102附着在窗口 101的侧壁和图形化的有机介质层131上表面。
[0051]窗口 101的侧壁附着的残渣102会影响后续的刻蚀工艺，造成图形化的待刻蚀层的形貌变差、尺寸不精确。图形化的有机介质层131上表面附着的残渣102很可能在后续刻蚀中，被刻蚀气体带入窗口 101内；或去除图形化的有机介质层131后，这些残渣转移到图形化的富碳层121的上表面；也会影响后续的刻蚀工艺，造成图形化的待刻蚀层的形貌变差、尺寸不精确。
[0052]由于刻蚀气体会轰击窗口 101的底部，所以窗口 101底部附着的残渣102较少，不会阻碍刻蚀的进行，也不会响应图形化的待刻蚀层的形貌。
[0053]参考图9，去除所述残渣102。
[0054]由于残渣102的成分绝大部分是高分子材料，由于底部抗反射层140为含硅底部抗反射层，所以残渣102中还有含硅的非挥发物质。
[0055]在具体实施例中，使用O2和CF4等离子体刻蚀去除所述残渣102。所述O2等离子体用于刻蚀去除残渣102中的高分子材料，所述CF4等离子体用于刻蚀去除所述残渣102中的含硅的非挥发物质。
[0056]去除所述残渣102时，为了不损伤所述待刻蚀层110，等离子体刻蚀时，所述待刻蚀层110上不施加偏置电压，即待刻蚀层110上施加的偏置电压为O。所述待刻蚀层110上不施加偏置电压可以减弱等离子体刻蚀对所述待刻蚀层110的刻蚀。
[0057]如果不去除所述残渣102，以所述图形化的富碳层121为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层110时，会使形成的图形化的待刻蚀层形貌很差，且尺寸不精确。在本实施例中，去除所述残渣102，可以优化所述图形化的富碳层121的形貌，最终得到形貌良好、尺寸精确的图形化的待刻蚀层。
[0058]参考图10，去除所述图形化的有机介质层131。
[0059]在具体实施例中，使用O2和N2等离子体刻蚀去除所述图形化的有机介质层131。
[0060]如果不去除所述图形化的有机介质层131，刻蚀所述待刻蚀层110时，刻蚀所述待刻蚀层110的等离子体难以进入窗口 101，并与待刻蚀层110反应，进而影响待刻蚀层110的刻蚀。
[0061]所以，去除所述图形化的有机介质层131，有利于以所述图形化的富碳层121为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层110，
[0062]参考图11，以所述图形化的富碳层121为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层110，形成图形化的待刻蚀层111。
[0063]参考图12，去除所述图形化的富碳层121。所述图形化的待刻蚀层111具有良好的形貌和精确的尺寸。
[0064]若待刻蚀层110为硬掩膜层，由于图形化的待刻蚀层111具有良好的形貌和精确的尺寸，以所述图形化的待刻蚀层111为掩膜，可以其他材料层时，也可以在其他材料层中得到良好的形貌和精确的尺寸。
[0065]以上描述以在去除所述残渣102之后，再去除所述图形化的有机介质层131为例，对图形化方法进行描述。在其他实施例中，也可以先去除图形化的有机介质层131，再去除所述残渣102。
[0066]以上描述以去除所述图形化的有机介质层131为例，对图形化方法进行描述。在其他实施例中，也可以不去除所述图形化的有机介质层131。
[0067]以上描述以形成底部抗反射层140为例，对图形化方法进行描述。在其他实施例中，也可以不形成底部抗反射层140。
[0068]第二实施例
[0069]本实施例与第一实施例的区别在于:形成所述图形化的待刻蚀层的方法为二次刻蚀双重图形(DEDP)法刻蚀工艺。所述二次刻蚀双重图形法采用曝光-刻蚀-曝光-刻蚀(LELE)的双重图形法。
[0070]本实施例的图形化方法包括:
[0071]参考图13，提供待刻蚀层110，在所述待刻蚀层110上由下至上依次形成富碳层
120、有机介质层130、底部抗反射层140和图形化的光刻胶150。
[0072]该步骤可以参考第一实施例中的相关步骤。
[0073]参考图14，以图形化的光刻胶150为掩膜，刻蚀底部抗反射层140、有机介质层130和富碳层120，形成图形化的底部抗反射层、图形化的有机介质层131和图形化的富碳层
121。然后，去除所述图形化的光刻胶150和图形化的底部抗反射层。
[0074]所述图形化的有机介质层131和图形化的富碳层121中形成了窗口 101，所述窗口101的侧壁和所述图形化的有机介质层131的上表面附着有残渣102。
[0075]该步骤可以参考第一实施例中的相关步骤。
[0076]参考图15，去除所述残渣102。
[0077]该步骤可以参考第一实施例中的相关步骤。
[0078]参考图16，去除所述图形化的有机介质层131。
[0079]参考图17，在所述图形化的富碳层121上由下至上依次形成有机介质层132、底部抗反射层141和图形化的光刻胶151。
[0080]有机介质层132填充了所述图形化的富碳层121中形成的窗口，为后续形成底部抗反射层141提供了平坦的上表面。
[0081]该步骤可以参考第一实施例中的相关步骤。
[0082]参考图18，以图形化的光刻胶151为掩膜，刻蚀所述底部抗反射层141、有机介质层132和图形化的富碳层121，形成图形化的底部抗反射层、图形化的有机介质层133和图形化的富碳层122。然后，去除所述图形化的光刻胶151和图形化的底部抗反射层。
[0083]所述图形化的有机介质层133和图形化的富碳层122中形成了窗口 103，所述窗口103的侧壁和所述图形化的有机介质层133的上表面附着有残渣104。
[0084]该步骤可以参考第一实施例中的相关步骤。
[0085]参考图19，去除所述残渣104。
[0086]该步骤可以参考第一实施例中的相关步骤。
[0087]参考图20，去除所述图形化的有机介质层133。
[0088]参考图21，以所述图形化的富碳层122为掩膜刻蚀所述待刻蚀层110，形成图形化的待刻蚀层111。
[0089]该步骤可以参考第一实施例中的相关步骤。
[0090]参考图22，去除所述图形化的富碳层122。
[0091]该步骤可以参考第一实施例中的相关步骤。
[0092]也就是说，第二实施例相对于第一实施例，在去除有机介质层以及残渣后，刻蚀所述待刻蚀层前，还包括:重复所述形成有机介质层、图形化的光刻胶、刻蚀所述有机介质层和所述富碳层的步骤，以在有机介质层和富碳层中的另一位置形成窗口，重复去除残渣的步骤。虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【权利要求】
1.一种图形化方法，其特征在于，包括: 提供待刻蚀层； 在所述待刻蚀层上由下至上依次形成富碳层和有机介质层； 在所述有机介质层上形成图形化的光刻胶； 以所述图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述有机介质层和所述富碳层，形成图形化的有机介质层和图形化的富碳层，所述图形化的有机介质层和图形化的富碳层中形成了窗口，所述窗口侧壁和图形化的有机介质层上表面附着有残渣； 去除所述残渣； 去除所述残渣后，通过所述窗口刻蚀所述待刻蚀层，形成图形化的待刻蚀层。
2.如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，使用N2和H2的等离子体刻蚀所述有机介质层。
3.如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，使用氟碳基等离子体刻蚀所述富碳层。
4.如权利要求3所述的图形化方法，其特征在于，所述氟碳基等离子体为CF4等离子体或CHF3等离子体。
5.如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，在所述有机介质层上形成图形化的光刻胶前，在所述有机介质层上形成底部抗反射层，所述图形化的光刻胶形成在所述底部抗反射层上。
6.如权利要求5所述的图形化方法，其特征在于，形成所述窗口后，去除所述残渣前，还包括: 去除所述图形化的光刻胶和底部抗反射层。
7.如权利要求5所述的图形化方法，其特征在于，所述底部抗反射层为含硅底部抗反射层。
8.如权利要求1或7所述的图形化方法，其特征在于，使用O2和CF4等离子体刻蚀去除所述残渣。
9.如权利要求8所述的图形化方法，其特征在于，刻蚀去除所述残渣时，待刻蚀层上施加的偏置电压为O。
10.如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，去除所述残渣后，刻蚀所述待刻蚀层前，还包括:去除所述有机介质层；或者， 形成所述窗口后，去除所述残渣前，还包括:去除所述有机介质层。
11.如权利要求10所述的图形化方法，其特征在于，使用O2和N2等离子体刻蚀去除所述有机介质层。
12.如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述待刻蚀层为硬掩膜层。
13.如权利要求12所述的图形化方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氮化钛层、氮化硅层或氮氧硅层。
14.如权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述富碳层为S1C层或SiC层。
15.如权利要求10所述的图形化方法，其特征在于，去除有机介质层以及残渣后，刻蚀所述待刻蚀层前，还包括:重复所述形成有机介质层、图形化的光刻胶、刻蚀所述有机介质层和所述富碳层的步骤，以在有机介质层和富碳层中的另一位置形成窗口，重复去除残渣的步骤。
【文档编号】H01L21/033GK104425221SQ201310382866
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年8月28日 优先权日:2013年8月28日
【发明者】周俊卿, 张海洋 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司