聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺的制作方法

文档序号:7264510阅读:349来源:国知局
聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,包括以下步骤:步骤一、在聚偏氟乙烯薄膜的一个面上蒸镀厚度为90~100nm的银作为金属电极;步骤二、将镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜置于加热器内,聚偏氟乙烯薄膜镀有金属电极的一面向下并接地,在聚偏氟乙烯薄膜上方设置网格电极,再在网格电极上方设置铜电极针;步骤三、将加热器内温度调至50~60℃,并向网格电极通5KV电压,向铜电极针通15KV电压,持续3~5min;步骤四、停止加热和通电,并将极化后的聚偏氟乙烯薄膜取出放入干燥器内。采用本发明极化聚偏氟乙烯薄膜,工艺简单,操作便捷,进而能提高聚偏氟乙烯薄膜的制造效率,节省制造成本。
【专利说明】聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺

【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜的制造【技术领域】,具体是聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺。

【背景技术】
[0002]PVDF (聚偏氟乙烯)是由偏氟乙烯单体均聚或共聚而成的含氟多功能材料,为线形结晶性聚合物,其结晶度一般在5(Γ70%之间。由于氟碳链的结合能高,具有良好的耐热、耐腐蚀性能,适用的温度范围为-4(T15(TC,能耐氧化剂、酸、碱、盐类以及卤素、芳烃、脂肪族烃类及氯代溶剂的腐蚀和溶胀,具有优异的抗紫外线和耐老化性能,并具有非极性、抗污染等特点,特别是这种材料能溶于极性溶剂中配制成聚合物溶液。与目前常用的无机物压电材料相比(如石英、压电陶瓷类)相比,聚偏氟乙烯还有声阻抗小、频率响应宽、介电常数小、耐冲击性强、便于加工成任意形状等优点。
[0003]PVDF从溶液中或者熔融状态下结晶不具有压电、铁电、热释电等特性。极化是PVDF材料处理中的一个重要环节,主要目的是让铁电体中杂乱取向的分子偶极电矩沿着特定方向(极化电场方向)一致取向,改善和提高PVDF薄膜的压电性、铁电性与热释电特性。现今在聚偏氟乙烯薄膜的极化过程中,工艺复杂,费时费力,这增加了聚偏氟乙烯薄膜的制造成本。


【发明内容】

[0004]本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供了一种操作简便,省时省力,并能提高极化效率的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺。
[0005]本发明的目的主要通过以下技术方案实现:
聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,包括以下步骤:
步骤一、在聚偏氟乙烯薄膜的一个面上蒸镀厚度为90?10nm的银作为金属电极;步骤二、将镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜置于加热器内,聚偏氟乙烯薄膜镀有金属电极的一面向下并接地,在聚偏氟乙烯薄膜上方设置网格电极,再在网格电极上方设置铜电极针,其中,铜电极针下端和网格电极均位于加热器内;
步骤三、将加热器内温度调至50?60°C,并向网格电极通5KV电压,向铜电极针通15KV电压,持续3?5min ;
步骤四、停止加热和通电,并将极化后的聚偏氟乙烯薄膜取出放入干燥器内。本发明将制造得到的聚偏氟乙烯薄膜放入干燥器内,能减少空气离子引起的电荷衰减。本发明在铜电极针上加有高压,针端附近的空气将产生电晕电离,使铜电极针与网格电极之间的空气产生脉冲式局部击穿,载流子在电场作用下到达聚偏氟乙烯薄膜表面,依据铜电极针针尖电极的极性,或正或负的离子可以沉积于电介质表面,网格电极的作用使聚偏氟乙烯薄膜内捕获电荷均匀分布,同时能有效地控制聚偏氟乙烯薄膜的电荷密度。
[0006]进一步的,所述聚偏氟乙烯薄膜上银电极的厚度为95nm。
[0007]进一步的,所述网格电极与聚偏氟乙烯薄膜的间距为1.5cm,所述铜电极针与网格电极的间距为3.5cm。
[0008]为屏蔽外场干扰和操作安全起见,所述加热器和铜电极针均设于屏蔽金属丝罩内。
[0009]进一步的,所述加热器内温度为55°C,持续时间为4min。
[0010]与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:本发明在高温强电场下,聚偏氟乙烯薄膜中偶极电荷沿电场方向取向,并在降温后保持取向而产生的极化,改善聚偏氟乙烯薄膜的压电、铁电性能,本发明整体工艺简单,便于实现,通过施加高压能使电荷快速移位,进而能提闻极化效率,节省制造成本。

【具体实施方式】
[0011]下面结合实施例对本发明做进一步的详细说明,但本发明的实施方式不限于此。实施例
[0012]聚合物PVDF薄膜中的电荷可以分为空间电荷和偶极电荷两类。空间电荷是被捕获在PVDF电介质表面(表面电荷)或体内(体电荷)的带电粒子,也称为捕获电荷。捕获电荷有三个来源:一是电荷从介质外经极化电场的作用,沉积到介质表面或注入到介质表层一定深度,被那里的陷阱所捕获;第二个来源是介质内部杂质离子在极化电场的作用下做宏观位移,移至异号电极近旁的介质层内,被那里的陷阱所捕获;第三,PVDF高聚物电介质,它们的内部结构是不均匀的,由结晶区和非结晶区交错在一起,结晶区通常是一些微小的晶粒,当电流通过介质时,在晶粒两个断面将积聚相反的电荷,积聚的电荷为界面上的陷阱所捕获,形成与取向极化类似的极化。
[0013]聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,包括以下步骤:步骤一、在聚偏氟乙烯薄膜的一个面上蒸镀厚度为90?10nm的银作为金属电极;步骤二、将镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜置于加热器内,聚偏氟乙烯薄膜镀有金属电极的一面向下并接地,在聚偏氟乙烯薄膜上方设置网格电极,再在网格电极上方设置铜电极针,其中,铜电极针下端和网格电极均位于加热器内,铜电极针和加热器均位于屏蔽金属丝罩内;步骤三、将加热器内温度调至50?60°C,并向网格电极通5KV电压,向铜电极针通15KV电压,持续3?5min ;步骤四、停止加热和通电,并将极化后的聚偏氟乙烯薄膜取出放入干燥器内。本实施例中聚偏氟乙烯薄膜上银电极的厚度优选为95nm。网格电极与聚偏氟乙烯薄膜的间距为1.5cm,铜电极针与网格电极的间距为3.5cm。本实施例中加热器内温度优选为55°C,持续时间优选为4min。
[0014]以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明作的进一步详细说明,不能认定本发明的【具体实施方式】只局限于这些说明。对于本发明所属【技术领域】的普通技术人员来说,在不脱离本发明的技术方案下得出的其他实施方式,均应包含在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1.聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,包括以下步骤: 步骤一、在聚偏氟乙烯薄膜的一个面上蒸镀厚度为90?10nm的银作为金属电极; 步骤二、将镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜置于加热器内,聚偏氟乙烯薄膜镀有金属电极的一面向下并接地,在聚偏氟乙烯薄膜上方设置网格电极,再在网格电极上方设置铜电极针,其中,铜电极针下端和网格电极均位于加热器内; 步骤三、将加热器内温度调至50?60°C,并向网格电极通5KV电压,向铜电极针通15KV电压,持续3?5min ; 步骤四、停止加热和通电,并将极化后的聚偏氟乙烯薄膜取出放入干燥器内。
2.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,所述聚偏氟乙烯薄膜上银电极的厚度为95nm。
3.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,所述网格电极与聚偏氟乙烯薄膜的间距为1.5cm,所述铜电极针与网格电极的间距为3.5cm。
4.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,所述加热器和铜电极针均设于屏蔽金属丝罩内。
5.根据权利要求1?4中任意一项所述的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,其特征在于,所述加热器内温度为55°C,持续时间为4min。
【文档编号】H01L41/45GK104425704SQ201310406937
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年9月10日 优先权日:2013年9月10日
【发明者】龚伶 申请人:龚伶
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