具有与凹槽相对准的焊料区的封装件的制作方法

具有与凹槽相对准的焊料区的封装件的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种方法，包括在金属焊盘的一部分上方形成钝化层，在钝化层上方形成聚合物层，以及使用光刻掩模来曝光聚合物层。光刻掩模具有不透明部分、透明部分以及局部透明部分。对经曝光的聚合物层进行显影以形成开口，其中金属焊盘通过开口被暴露。后钝化互连件（PPI）形成在聚合物层上方，其中PPI包括延伸至开口内的部分以与金属焊盘连接。本发明还公开了具有与凹槽对准的焊料区的封装件。
【专利说明】具有与凹槽相对准的焊料区的封装件

【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体【技术领域】，更具体地，涉及一种具有与凹槽对准的焊料区的封 装件。

【背景技术】
[0002] 在集成电路制造工艺中，诸如晶体管的集成电路器件首先形成在晶圆中的半导体 衬底的表面处。然后互连结构形成在集成电路器件上方。金属焊盘形成在互连结构上方， 并且电连接至互连结构。钝化层和第一聚合物层形成在金属焊盘上，使得金属焊盘通过钝 化层和第一聚合物层中的开口而暴露。然后形成后钝化互连（PPI)结构，该结构包括连接 至金属焊盘的再分配线。然后，第二聚合物层形成在PPI上方。形成凸块下金属（UBM)以 延伸到第二聚合物层中的开口内，其中UMB电连接至PPI。然后将焊球放置在UMB上方并且 进行回流。


【发明内容】

[0003] 为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种方法，包 括：
[0004] 在金属焊盘的一部分上方形成钝化层；
[0005] 在所述钝化层上方形成聚合物层；
[0006] 使用光刻掩模来曝光所述聚合物层，其中，所述光刻掩模包括不透明部分、透明部 分以及局部透明部分；
[0007] 对所述聚合物层进行显影以形成开口，其中，所述金属焊盘通过所述开口被暴露； 以及
[0008] 在所述聚合物层上方形成后钝化互连件（PPI)，其中所述PPI包括延伸至所述开 口内的部分以与所述金属焊盘连接。
[0009] 在可选实施例中，所述局部透明部分具有大约20%至大约80%之间的光通过率。
[0010] 在可选实施例中，在曝光步骤期间，所述透明部分与所述聚合物层的第一部分相 对准，其中所述第一部分在显影步骤中被去除以形成所述开口，以及所述局部透明部分与 所述聚合物层的第二部分相对准，所述第二部分的顶层在所述显影步骤中被去除以形成凹 槽，而所述第二部分的底层在所述显影步骤之后被保留。
[0011] 在可选实施例中，所述凹槽并不穿透所述聚合物层。
[0012] 在可选实施例中，所述PPI包括PPI焊盘，通过所述PPI焊盘的顶面形成额外的凹 槽。
[0013] 在可选实施例中，所述方法还包括：将焊球放置在所述PPI的PPI焊盘上方，其中 所述PPI延伸至所述凹槽内；以及，进行回流以将所述焊球接合至所述PPI焊盘。
[0014] 在可选实施例中，所述凹槽具有一深度，所述聚合物层具有一厚度，并且所述深度 与所述厚度的比率在大约0. 2至大约0. 5之间。
[0015] 根据本发明的另一方面，还提供了一种方法，包括：
[0016] 在金属焊盘的一部分上方形成钝化层；
[0017] 在所述钝化层上方形成聚合物层；
[0018] 图案化所述聚合物层以形成：
[0019] 穿透所述聚合物层的开口，其中，所述金属焊盘通过所述开口被暴露；和
[0020] 凹槽，延伸至所述聚合物层内但是并不穿透所述聚合物层；
[0021] 在所述聚合物层上方形成后钝化互连件（PPI)，其中，所述PPI包括：
[0022] PPI通孔，延伸至所述开口内以与所述金属焊盘连接；和
[0023] PPI焊盘，包括位于所述凹槽中的一部分；
[0024] 将金属凸块放置在所述PPI焊盘上方；以及
[0025] 对所述金属凸块进行回流，其中，所述金属凸块与所述凹槽相对准，并且电连接至 所述PPI焊盘。
[0026] 在可选实施例中，所述方法还包括：将所述金属凸块的下部模制在模制材料中。
[0027] 在可选实施例中，所述模制材料与所述PPI和所述聚合物层物理接触。
[0028] 在可选实施例中，在图案化所述聚合物层的步骤中，所述开口和所述凹槽同时形 成。
[0029] 在可选实施例中，图案化所述聚合物层的步骤包括：使用光刻掩模对所述聚合物 层进行曝光，其中，所述光刻掩模包括不透明部分、透明部分和局部透明部分；以及，显影所 述聚合物层，其中显影步骤包括：去除所述聚合物层的在所述曝光步骤中与所述不透明部 分和所述透明部分中的一个相对准的第一部分，以形成所述开口；和，去除所述聚合物层的 在所述曝光步骤中与所述局部透明部分相对准的第二部分的顶层，以形成所述凹槽。
[0030] 在可选实施例中，所述凹槽具有一深度，所述聚合物层具有一厚度，并且所述深度 与所述厚度的比率在大约0. 2至大约0. 5之间。
[0031] 在可选实施例中，在回流焊之后，所述金属凸块填充所述凹槽。
[0032] 根据本发明的又一方面，还提供了一种集成电路结构，包括：
[0033] 衬底；
[0034] 位于所述衬底上方的金属焊盘；
[0035] 位于所述金属焊盘的一部分上方的钝化层；
[0036] 位于所述钝化层上方的聚合物层；
[0037] 后钝化互连件（PPI),包括：
[0038] PPI通孔，穿透所述聚合物层以与所述金属焊盘连接；以及
[0039] PPI焊盘，电连接至所述PPI通孔，其中所述PPI焊盘包括延伸至所述聚合物层的 凹槽内的第一部分，所述凹槽从所述聚合物的顶面延伸至所述聚合物层的中间位置；以及
[0040] 焊料区，覆盖在所述PPI焊盘上方并且电连接至所述PPI焊盘，其中所述焊料区直 接位于所述PPI焊盘上方。
[0041] 在可选实施例中，所述PPI焊盘的顶面形成与所述聚合物层的凹槽相对准的额外 凹槽。
[0042] 在可选实施例中，所述焊料区填充所述额外凹槽。
[0043] 在可选实施例中，所述集成电路结构还包括位于所述金属焊盘上方并且填充所述 额外凹槽的金属饰层，其中所述焊料区与所述金属饰层接触。
[0044] 在可选实施例中，所述凹槽具有一深度，所述聚合物层具有一厚度，并且所述深度 与所述厚度的比率在大约〇. 2至大约0. 5之间。
[0045] 在可选实施例中，所述PPI焊盘还包括位于所述聚合物层的平坦表面上方的第二 部分。

【专利附图】

【附图说明】
[0046] 为更完整地理解本发明实施例及其优点，现将结合附图参考以下描述，在附图 中：
[0047] 图1至图12是根据一些示例性实施例的制造晶圆的中间过程的截面图；
[0048] 图13示出了根据一些示例性实施例的晶圆的一部分的截面图，其中聚合物层中 的凹槽具有弯曲底部；
[0049] 图14和15示出了根据一些示例性实施例的后钝化互连（PPI)结构的俯视图；以 及
[0050] 图16A至19示出了根据多个示例性实施例的延伸至底层聚合物层中的凹槽。

【具体实施方式】
[0051] 下面详细讨论了本发明各实施例的制造和使用。然而，应该理解，这些实施例提供 了许多可以在各种具体环境中实施的可应用的概念。所讨论的具体实施例仅为示例性的， 而不用于限制本发明的范围。
[0052] 根据一些实施例，提供了形成后钝化互连（PPI)结构、上覆的焊料区的方法，并提 供了最终得到的结构。根据一些示例性实施例，示出了形成对应晶圆的中间阶段。然后讨 论实施例的变化。在通篇的多个附图和示例性实施例中，相同的参考标号用于指代相同的 元件。
[0053] 参考图1，提供了晶圆100。晶圆100包括衬底20,衬底20可为诸如娃衬底的半导 体衬底，然而它也可以由诸如硅锗、硅碳、砷化镓等其它半导体材料所形成。诸如晶体管的 半导体器件24可形成在衬底20的表面处。包括在其中形成的金属线和通孔26的互连结 构22形成在衬底20的上方，并电连接至半导体器件24。金属线和通孔由铜和铜合金形成， 并且可使用镶嵌工艺来形成。互连结构22可包括介电层25,其可包括层间电介质（ILD，未 示出）和金属间电介质（MD，未示出）。在可选实施例中，晶圆100为中介晶圆或封装衬底， 并且基本不包括晶体管、电阻器、电容器、电感器等集成电路器件。
[0054] 金属焊盘28形成在互连结构22上方。金属焊盘28包括铝（A1)、铜（Cu)、银（Ag)、 金（Au)、镍（Ni)、钨（W)、它们的合金和/或它们的多层结构。金属焊盘28可通过例如下方 的互连结构22电连接至半导体器件24。可形成钝化层30以覆盖金属焊盘28的边缘部分。 在一些示例性实施例中，钝化层30包括氧化硅层以及位于氧化硅层上方的氮化硅层，然而 也可使用其它介电材料。钝化层中形成有开口。
[0055] 聚合物层32形成在钝化层30的上方，其中聚合物层32延伸至钝化层30中的开 口内。聚合物层32包括光敏材料，其可为正性光敏材料或者负性光敏材料。例如，聚合物 层32可包括聚酰亚胺、聚苯并恶唑（ΡΒ0)等。聚合物层32在施加到钝化层30上之后对其 进行固化。在一些实施例中，聚合物层32具有平坦表面。
[0056] 在接下来的步骤中，对聚合物层32进行图案化。在一些实施例中，使用部分上色 (也被称作部分色，partial tone)的光刻掩模200实施对聚合物层32的曝光。光刻掩模 200包括部分200A、200B和200C。部分200A为用于阻挡光210的不透明部分，它用于曝光 聚合物层32。透明部分200B为透明部分，其中光210能够在不损失光强度的情况下穿过。 局部阻挡部分200C，也即局部透明部分，阻挡期望百分比的光210,以致光210'（也即穿过 局部阻挡部分200C的那部分光）的光强LI2低于光210的光强LI1。在一些实施例中，局 部阻挡部分200C具有的光通过率LI2/LI1大于大约0. 2、0. 3、0. 4、0. 5、0. 6,或者为任何其 它小于1. 〇的正值。光通过率LI2/LI1还可小于大约0. 8、0. 7、0. 6、0. 5、0. 4,或者为任何大 于〇. 〇的其它正值。作为对比，不透明部分200A可阻挡超过大约99%的光(使用光强度来 进行测量)，而透明部分200B可允许超过99%的光(使用光强度来进行测量）通过。现已发 现，取决于光刻掩模200的材料，部分200A和200B的光通过率和光阻挡率可轻微地变化。
[0057] 在一些实施例中，光刻掩模200包括透明衬底202,其可由玻璃、石英等形成。不透 明层204形成在衬底202上。对不透明层204进行图案化，不透明层204的剩余部分形成不 透明部分200A。衬底202的一部分不具有在其上的不透明层204,因此该相应的部分为透 明部分200B或者局部透明部分200C。在一些示例性实施例中，不透明层204包括铬，然而 也可使用其它能够有效阻挡光的材料。可以理解，某层是否透明与材料和其厚度有关。因 此，不透明层204足够厚(例如具有超过1 〇()() A的厚度）以阻挡光。局部透明部分200C可 包括局部透明层206,其由硅化钥（MoSi)或其它类型的材料形成，并且可通过调整局部透 明层206的材料和/或厚度来调整光通过率LI2/LI1。例如，MoSi层206可具有大约800A 至大约1600A之间的厚度。
[0058] 在通过光刻掩模200将聚合物层32曝光之后，去除光刻掩模200。然后对聚合物 层32进行显影，并且去除曝光的部分。图2示出了所得到的结构。在图2中，示出光刻掩模 200以说明一些部件的相对位置，尽管在此时光刻掩模200还未在晶圆100的上方。因此， 使用虚线示出光刻掩模200。如图2所示，当曝光聚合物层32时，聚合物层32的一部分与 透明部分200B相对准，并且在显影聚合物层32之后，该部分被去除以形成金属焊盘28通 过其暴露的开口 29。聚合物层32的与不透明部分相对准的部分保持为不被去除。聚合物 层32的与局部透明部分200C对准的部分被部分去除，这意味着尽管这部分受到曝光，但光 量不足以导致聚合物层32的该部分在显影步骤中被完全去除。因此，在对聚合物层32进 行显影之后，聚合物层32的局部曝光部分的顶层被去除，而聚合物层32的局部曝光部分的 底层未被去除。因此在聚合物层32中形成了凹槽34,其具有小于聚合物层32的厚度T1的 深度D1。在一些实施例中，比率D1/T1在大约0. 2至0. 8之间，或者在0. 2到0. 5之间，然 而也可使用其它值。深度D1可大于大约1. 6 μ m以允许后面实施的焊球能够稳定在适当的 位置。
[0059] 应该理解，在图1和2中使用的实例中，聚合物层32是正性感光材料（photo material)，因此在显影步骤中曝光的部分被去除，未曝光的部分不被去除。当聚合物层32 是负性感光材料时，还可使用相同的概念来形成开口 29和凹槽34。然而在那些实施例中， 不透明部分200A和透明部分200B的位置互换，而局部透明部分200C的位置不变。
[0060] 接着，如图3中所示，晶种层40形成在聚合物层32的上方。晶种层40可包括层 40A和40B。层40A可为钛层、氮化钛层、钽层、氮化钽层等。层40B的材料可包括铜或铜合 金。在一些实施例中，可使用物理气相沉积来形成晶种层40,然而也可使用其它可适用的方 法。
[0061] 图4不出了掩模46的形成。在一些实施例中，掩模46由光刻胶形成，因此在通篇 说明书中可选地被称作光刻胶46,然而也可使用其它材料。晶种层40的一部分通过掩模46 中的开口 48被暴露。接下来，如图5所示，进行电镀步骤以在开口 48中形成PPI50。PPI50 可由铜或铜合金形成，并且可包括PPI线50A、PPI焊盘50B以及PPI通孔50D。图14中示 出了示例性PPI50的俯视图。
[0062] 在PPI50形成之后，去除掩模46。接着，之前由光刻胶46所覆盖的晶种层40的暴 露部分通过蚀刻被去除，而晶种层40的被PPI50所覆盖的部分保持为不被去除。图6示出 了所得到的结构。在通篇说明书中，晶种层40的剩余部分被认为是PPI50的一部分。
[0063] 如图6所示，PPI焊盘50B包括位于聚合物层32的凹槽34 (图2)中的一部分。 PPI焊盘50B还可包括位于凹槽34之外、聚合物层32上方的额外部分。PPI焊盘50B可为 共形层，因此PPI焊盘50B的位于凹槽34中的部分、PPI焊盘50B的位于聚合物层32上方 的部分以及凹槽34的侧壁上的可能的倾斜部分具有基本相同的厚度。因此，在PPI焊盘 50B中形成有凹槽34'，其可具有与图2中的深度D1相似的深度D1'。
[0064] 在一些示例性实施例中，如图7所示，金属饰层（metal finish)形成在PPI焊盘 50B上。在可选实施例中，不形成金属饰层56,并且金属凸块58 (图8)直接附着在PPI焊 盘50B上。因此，使用虚线示出金属饰层56以表明它们可以存在或不存在。在形成金属饰 层56的实施例中，金属饰层56可为化学镀镍钯浸金（ENEPIG)，其包括镍层、镍层上的钯层 以及钯层上的金层。可使用浸镀来形成金层。在其它实施例中，金属饰层56可由其它饰 层材料并使用其它方法来形成，包括但不限于，化学镀镍浸金（ENIG)、直接浸金（DIG)等方 式。在一些实施例中，金属饰层56形成在光刻胶52中的开口中。在金属饰层56形成之后， 去除光刻胶52。在一些实施例中，金属凸块58为焊球，并因此在通篇说明书中被称作焊球 58,然而它也可为其它类型的金属凸块，诸如铜球。
[0065] 图8示出了助焊剂54应用到PPI焊盘50B上(或金属饰层56上，如果存在)。接 着，将模板57放置在晶圆100上，并且焊球58落入模板57的开口 60中。开口 60与PPI 焊盘50B相对准，以便焊球58可精确地放置在PPI焊盘50B或者金属饰层56上。接着，去 除模板57,并且实施回流以对焊球58进行回流，因此焊球58接合或接触PPI焊盘50B或金 属饰层56。图9中示出了所得到的结构。
[0066] 在对焊球58进行回流期间，由于焊球58与凹槽34'（图6)以及凹槽34 (图2)自 对准，因此焊球58很难改变位置，并因此焊球58的位置与期望位置精确对准，期望位置也 即由模板57中的开口 60所限定的位置（图8)。
[0067] 接着如图10所示，将液态模塑料62施加到晶圆100上，其中焊球58可淹没在液 态模塑料62下。参考图11，释放膜64施加到液态模塑料62上。如箭头63所示，施加压 力。释放膜64由软材料形成，因此焊球58的一部分被压进释放膜64中。此外，释放膜64 将一些液态模塑料62从晶圆100的顶面推走，并且释放膜64的底面低于焊球58的顶端。 随着继续相对于焊球58和液态模塑料62推释放膜64,实施硬化以硬化并凝固液态模塑料 62。在模塑料62凝固之后，焊球58的顶端高于模塑料62的顶面。
[0068] 然后从现已是固态形式的模塑料62剥去释放膜64。图12中示出了所得到的结 构。遗留在焊球58的顶面的模塑料残留物被蚀刻。在最后得到的结构中，模塑料62被形 成为焊球58的一部分埋在模塑料62中。焊球58的顶端可高于模塑料62的顶面。
[0069] 图15示出了模塑料62、下层PPI50和凹槽34的俯视图。图15示出了 PPI线50A、 PPI焊盘50B以及连接PPI线50A与PPI焊盘50B的过渡部分50C。过渡部分30C可具有 逐渐变化的宽度，因此PPI线50A和PPI焊盘50B之间的连接并不生硬。凹槽34'/34可与 PPI焊盘50B的中心相对准。
[0070] 再参考图12,在后续步骤中，晶圆100被锯成多个管芯，其中每个管芯粘合至诸如 封装衬底、中介层（interposer)、印刷电路板（PCB)等的另一封装元件以形成封装件。焊球 58也会与其它封装元件上的导电部件接合。由于焊球58的位置因聚合物32中形成有凹槽 34而被精确限定（图2)，因此减小了焊球58和封装组件的导电部件之间的不对准。
[0071] 图13示出了 PPI焊盘50B和金属饰层56 (如存在）的可能轮廓。在一些实施例 中，聚合物层32中凹槽34 (被PPI焊盘50B填充）具有弯曲且平滑的底面。因此，金属饰 层56也具有弯曲且平滑的顶面和底面。该弯曲表面可通过光学作用来形成。
[0072] 图16A至图19示出了根据可选实施例的PPI焊盘50B的截面图和俯视图，其中一 个以上的凹槽34与同一 PPI焊盘50B相对应。与每个PPI焊盘50B相对应的凹槽34的数 量可为诸如2、3、4、5等的任何正整数。例如，图16A示出了一些实施例的截面图，其中两个 凹槽34形成在聚合物层32中，其中PPI焊盘50B延伸至凹槽34中。图16B示出了与图 16A中示出的相对应的凹槽34的俯视图。图16C进一步示出了模制材料62。
[0073] 在图14、15以及16C中，凹槽34具有圆形的俯视形状。图17示出了多个矩形凹 槽34/34'，矩形凹槽34/34'可具有正方形俯视形状。图18示出了凹槽34/34'具有条状， 例如，其长度L1大于其宽度W1的两倍。在图18中，凹槽34的长度方向与相应连接的PPI 线50A的长度方向平行。图19示出了与图18中示出的相似的实施例，区别之处在于凹槽 34的长度方向与相应连接的PPI线50A的长度方向垂直。
[0074] 在本说明书的实施例中，通过使用部分上色光刻掩模图案化聚合物层，在聚合物 层上形成PPI，聚合物层可具有形成在其中的凹槽，其中PPI焊盘延伸至凹槽内。因此PPI 焊盘也具有凹槽。因此，可有效地消除位于其上的焊球的位置的偏移。实施例提高了焊球 的对准精度，同时不会产生额外的制造成本。
[0075] 根据一些实施例，一种方法包括在金属焊盘的一部分上方形成钝化层，在钝化层 上方形成聚合物层，以及使用光刻掩模来曝光聚合物层。光刻掩模具有不透明部分、透明部 分以及局部透明部分。对被曝光的聚合物层进行显影以形成开口，其中金属焊盘通过该开 口露出。后钝化互连（PPI)形成在聚合物层上方，其中PPI包括延伸至开口内以与金属焊 盘连接的部分。
[0076] 根据其它实施例，一种方法包括在金属焊盘的一部分上方形成钝化层，在钝化层 上方形成聚合物层，以及图案化聚合物层以形成开口和凹槽。开口穿透聚合物层，其中金属 焊盘通过开口被暴露。凹槽延伸至聚合物层内，但是并不穿透聚合物层。PPI形成在聚合物 层上方，其中PPI包括延伸至开口内以与金属焊盘连接的PPI通孔，并且PPI焊盘包括凹槽 中的部分。该方法还包括将焊球放置在PPI焊盘上方，并且对焊球进行回流。焊球与凹槽 相对准，并且电连接至PPI焊盘。
[0077] 根据其它实施例，一种器件包括衬底、位于衬底上方的金属焊盘、位于金属焊盘的 一部分上方的钝化层、位于钝化层上方的聚合物层以及PPI。PPI包括穿透聚合物层以与金 属焊盘连接的PPI通孔，PPI焊盘电连接至PPI通孔。PPI焊盘包括延伸至聚合物层中的凹 槽内的部分，凹槽从聚合物的顶面延伸至聚合物层的中间位置。焊料区覆盖在PPI焊盘上， 并电连接至PPI焊盘，其中焊料区直接位于PPI焊盘上方。
[0078] 尽管已经详细地描述了本发明及其优势，但应该理解，可以在不背离所附权利要 求限定的本发明主旨和范围的情况下，做各种不同的改变，替换和更改。而且，本申请的范 围并不仅限于本说明书中描述的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法和步骤的特定实施 例。作为本领域普通技术人员应理解，通过本发明，现有的或今后开发的用于执行与根据本 发明所采用的所述相应实施例基本相同的功能或获得基本相同结果的工艺、机器、制造，材 料组分、装置、方法或步骤根据本发明可以被使用。因此，所附权利要求应该将这样的工艺、 机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤包括在范围内。此外，各权利要求构成单独的实施 例，并且多个权利要求和实施例的组合也在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1. 一种方法，包括： 在金属焊盘的一部分上方形成钝化层； 在所述钝化层上方形成聚合物层； 使用光刻掩模来曝光所述聚合物层，其中，所述光刻掩模包括不透明部分、透明部分以 及局部透明部分； 对所述聚合物层进行显影以形成开口，其中，所述金属焊盘通过所述开口被暴露；以及 在所述聚合物层上方形成后钝化互连件（PPI)，其中所述PPI包括延伸至所述开口内 的部分以与所述金属焊盘连接。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述局部透明部分具有大约20%至大约80%之间 的光通过率。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，在曝光步骤期间，所述透明部分与所述聚合物层 的第一部分相对准，其中所述第一部分在显影步骤中被去除以形成所述开口，以及所述局 部透明部分与所述聚合物层的第二部分相对准，所述第二部分的顶层在所述显影步骤中被 去除以形成凹槽，而所述第二部分的底层在所述显影步骤之后被保留。
4. 一种方法，包括： 在金属焊盘的一部分上方形成钝化层； 在所述钝化层上方形成聚合物层； 图案化所述聚合物层以形成： 穿透所述聚合物层的开口，其中，所述金属焊盘通过所述开口被暴露；和 凹槽，延伸至所述聚合物层内但是并不穿透所述聚合物层； 在所述聚合物层上方形成后钝化互连件（PPI)，其中，所述PPI包括： PPI通孔，延伸至所述开口内以与所述金属焊盘连接；和 PPI焊盘，包括位于所述凹槽中的一部分； 将金属凸块放置在所述PPI焊盘上方；以及 对所述金属凸块进行回流，其中，所述金属凸块与所述凹槽相对准，并且电连接至所述 PPI焊盘。
5. -种集成电路结构，包括： 衬底； 位于所述衬底上方的金属焊盘； 位于所述金属焊盘的一部分上方的钝化层； 位于所述钝化层上方的聚合物层； 后钝化互连件（PPI),包括： PPI通孔，穿透所述聚合物层以与所述金属焊盘连接；以及 PPI焊盘，电连接至所述PPI通孔，其中所述PPI焊盘包括延伸至所述聚合物层的凹槽 内的第一部分，所述凹槽从所述聚合物的顶面延伸至所述聚合物层的中间位置；以及 焊料区，覆盖在所述PPI焊盘上方并且电连接至所述PPI焊盘，其中所述焊料区直接位 于所述PPI焊盘上方。
6. 根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述PPI焊盘的顶面形成与所述聚合物 层的凹槽相对准的额外凹槽。
7. 根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述焊料区填充所述额外凹槽。
8. 根据权利要求6所述的集成电路结构，还包括位于所述金属焊盘上方并且填充所述 额外凹槽的金属饰层，其中所述焊料区与所述金属饰层接触。
9. 根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述凹槽具有一深度，所述聚合物层具 有一厚度，并且所述深度与所述厚度的比率在大约〇. 2至大约0. 5之间。
10. 根据权利要求5所示的集成电路结构，其中，所述PPI焊盘还包括位于所述聚合物 层的平坦表面上方的第二部分。
【文档编号】H01L23/488GK104253053SQ201310422055
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2013年9月16日 优先权日:2013年6月25日
【发明者】杨庆荣, 陈宪伟, 杜贤明, 黄章斌, 赖昱嘉, 邵栋梁 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司