Led器件及led器件的制作方法
【专利摘要】本发明适用于LED领域，提供了一种LED器件及LED器件的制作方法，该LED器件包括基板、设于基板上的碗杯和LED芯片，基板上设有固晶及焊线区域，固晶及焊线区域设于碗杯底部，LED芯片安装于固晶及焊线区域上；LED器件还包括填充于碗杯中并包裹LED芯片的灌封胶，基板上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷有高反射层，且高反射层环绕固晶及焊线区域。通过在基板上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷高反射层，以替换现有技术中的在基板上镀银、镍或金等。使灌封胶可以通过该高反射层与基板紧密结合，有效提高灌封的气密性；而碗杯成型材料也可以通过该高反射层与基板紧密结合，或直接与基板紧密结合。从而提高LED器件的寿命。
【专利说明】10器件及1^0器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于[￡0领域，尤其涉及一种[￡0器件及[￡0器件的制作方法。
【背景技术】
[0002]现有技术通常是将[￡0芯片封装在基板上制成1^0器件。1^0芯片发出的光一般是向四周发射的。为提高120器件的发光效率，一般是在基板上镀银、镍、金等，并在镀银基板(此处以镀银基板为例，如果镀镍或金等金属，则为相应的镀镍或金等金属的基板)上用成型材料制作碗杯，然后将[￡0芯片固晶、封装在碗杯底部的基板上，从而使[￡0芯片射到基板上的光及发射到120芯片侧边的光被基板上的镀银层和碗杯反射出，以提高120器件的发光效率。为追求[￡0的高光效，目前通常是通过提高基板上镀银层表面银原子排布的紧实性及表面光泽度，来提高镀银层的反射率，进而提高120发光效率。
[0003]但是，在灌封[￡0芯片时，通常采用有机或无机胶材，如灌封胶，且碗杯的成型材料一般也为有机或无机胶材，而这些有机或无机胶材与金属，特别是表面光泽度高的金属(如镀银层、镀镍层等)无法实现紧密结合，即:这些有机或无机胶材与基板无法实现紧密结合，从而严重影响[￡0器件的寿命。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种120器件，旨在解决现有技术中基板上镀银、镍或金等，而使灌封[￡0芯片所用的有机或无机胶材以及碗杯的成型材料无法与基板紧密结合，以致严重影响120器件的寿命的问题。
[0005]本发明是这样实现的，一种1^0器件，包括基板、设于所述基板上的碗杯和1^0芯片，所述基板上设有固晶及焊线区域，所述固晶及焊线区域设于所述碗杯底部，所述120芯片安装于所述固晶及焊线区域上；所述120器件还包括填充于所述碗杯中并包裹所述120芯片的灌封胶，所述基板上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷有高反射层，且所述高反射层环绕所述固晶及焊线区域。
[0006]本发明通过在基板上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷高反射层，以替换现有技术中的在基板上镀银、镍或金等。使灌封胶可以通过该高反射层与基板紧密结合，有效提高灌封的气密性；而碗杯成型材料也可以通过该高反射层与基板紧密结合，或直接与基板紧密结合。从而提高[￡0器件的寿命。另外，通过在基板上丝网印刷该高反射层，替换了现有技术中用银、镍或金等金属作为反射底材，取消了电镀制程。减少了稀有金属银、镍、金等的使用。
[0007]本发明的另一目的在于提供一种120器件的制作方法，包括以下步骤:
[0008]31)在基板上预留固晶及焊线区域，用硅胶或环氧系高反射材料在基板上丝网印刷高反射层，并且使所述高反射层环绕所述固晶及焊线区域；
[0009]32)用成型材料在所述基板上成型出碗杯，并使所述固晶及焊线区域位于所述碗杯底部；
[0010]83)将[￡0芯片安装在所述固晶及焊线区域；
[0011]84)在所述碗杯中填充灌封胶，并使灌封胶包裹所述1^0芯片。
[0012]该制作方法中，通过在基板上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷高反射层，以替换现有技术中用银、镍或金等金属作为反射底材，取消了电镀制程。简化了制作方法，减少了稀有金属银、镍、金等的使用。使灌封胶及碗杯成型材料通过该高反射层与基板紧密结合，有效提闻灌封的气密性；从而提闻[￡0器件的寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1是本发明提供的[￡0器件实施例一的剖视结构示意图。
[0014]图2是本发明提供的1^0器件实施例二的剖视结构示意图。
[0015]图3是本发明提供的[￡0器件实施例三的剖视结构示意图。
[0016]图4是本发明提供的1^0器件实施例四的剖视结构示意图。
[0017]图5是本发明提供的1^0器件制作方法实施例一的流程示意图。
[0018]图6是本发明提供的1^0器件制作方法实施例二的流程示意图。
【具体实施方式】
[0019]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0020]一种[￡0器件，包括基板、设于所述基板上的碗杯和1^0芯片，所述基板上设有固晶及焊线区域，所述固晶及焊线区域设于所述碗杯底部，所述[￡0芯片安装于所述固晶及焊线区域上；所述[￡0器件还包括灌封于所述碗杯中并包裹所述[￡0芯片的灌封胶，所述基板上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷有高反射层，且所述高反射层环绕所述固晶及焊线区域。
[0021]本发明通过在基板上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷高反射层，以替换现有技术中的在基板上镀银、镍或金等。从而使灌封胶可以通过该高反射层与基板紧密结合，有效提高灌封的气密性；而碗杯成型材料也可以通过该高反射层与基板紧密结合，或直接与基板紧密结合。从而提高[￡0器件的寿命。另外，通过在基板上丝网印刷该高反射层，替换了现有技术中用银、镍或金等金属作为反射底材，取消了电镀制程。减少了稀有金属银、镍、金等的使用。相应地可以防止后续使用中由于银层硫化、卤化而造成的120发光效率的衰减的现象发生。
[0022]下面通过具体实施例对本发明的120器件进一步说明:
[0023]本发明120器件实施例一:请参阅图1，一种120器件，包括基板匕、碗杯3^1、120芯片如和灌封胶如。基板匕上预留有固晶及焊线区域1匕，并且在基板匕上用硅胶或环氧系闻反射材料丝网印刷有闻反射层2已，闻反射层2?环绕固晶及焊线区域11&。碗杯3已设在高反射层23上，并使固晶及焊线区域1匕位于碗杯33的底部，120芯片如安装在固晶及焊线区域1匕上，灌封胶53填充在碗杯33中，并包裹[￡0芯片如。高反射材料是指反射率在80%以上的材料，可以使用反射率高的硅胶，对于其它一些反射率高的环氧系材料，如反射率高的环氧树脂也可以使用。
[0024]通过在基板匕上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷高反射层2^以现有技术中用银、镍或金等金属作为反射底材，取消了电镀制程。使[￡0器件制作工序得到减化。同时减少了稀有金属银、镍、金等的使用。
[0025]另外，通过在基板匕上丝网印刷该高反射层2^替换了现有技术中用银、镍或金等金属作为反射底材，从而防止了后续使用中由于银层硫化、卤化而造成的[￡0发光效率的衰减的现象发生。
[0026]当前基板匕一般使用铜基板、招基板或81'板。81 (81811181611111(16板又称81树脂基板。由于铜/氧化铜、铝及81板(相对于银、镍等金属)与硅胶或环氧系高反射材料、碗杯33的成型材料等有机或无机胶材结合较好。用硅胶或环氧系高反射材料在基板匕上丝网印刷高反射层2^使灌封胶53可以通过该高反射层23与基板匕紧密结合，有效提高灌封的气密性；而碗杯％成型材料也可以通过该高反射层23与基板匕紧密结合从而提高[￡0器件的寿命。
[0027]碗杯33由成型材料模具压合(膨也叩)而成。成型材料可以是环氧树脂、硅胶或硅树脂。由于碗杯33成型在高反射层23上，而高反射层23是由硅胶或环氧系材料制成，其相对于金属而言具有较高的弹性，在模具压合过程中可以起到合模缓冲的作用，减少溢胶的效果，提高模具压合制程的良品率。
[0028]硅胶或环氧系高反射材料一般使用吸光性较小的颜色，如白色、灰白色、银白色等颜色，提高出光效率。当120器件发出的光为特定颜色，如红光、绿光、黄光、蓝光等时，高反射材料的颜色也可以为相应的颜色，以减少对相应色光的吸收。当使用的硅胶或环氧系高反射材料的反射率能维持在95%以上时，可以有效维持120器件的高光效输出。
[0029]本发明[￡0器件实施例二:请参阅图2，一种[￡0器件，包括基板1以碗杯36、120芯片仙和灌封胶5匕基板化上预留有固晶及焊线区域11比并且在基板化上用硅胶或环氧系闻反射材料丝网印刷有闻反射层26,闻反射层26环绕固晶及焊线区域1113。碗杯36设在高反射层26上，并使固晶及焊线区域1化位于碗杯36的底部，120芯片仙安装在固晶及焊线区域1化上，灌封胶56填充在碗杯36中，并包裹[￡0芯片4匕本实施例与本发明[即器件实施例一的区别为:基板化上阵列有多个碗杯31每个碗杯36底部均安装有120芯片仙，并且[￡0芯片仙通过灌封胶56灌封在相应的碗杯36中。通过在基板化上阵列多个碗杯31并在每个碗杯36底部安装[￡0芯片仙，实现在同一基板化上集成多个120芯片仙，提高该[￡0器件的功率。该实施例的其它结构与本发明[￡0器件实施例一相同，也具有与本发明[￡0器件实施例一相同的效果，在此不再重复。
[0030]本发明[￡0器件实施例三:请参阅图3，一种[￡0器件，包括基板碗杯3匕120芯片如和灌封胶50。该实施例与本发明[￡0器件实施例一的区别为:基板上预留有固晶及焊线区域11。和碗杯成型区域120，并且碗杯成型区域120与固晶及焊线区域11。间隔设置，且碗杯成型区域12。环绕固晶及焊线区域1化。基板化上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷有高反射层20，高反射层2。设于碗杯成型区域12。和固晶及焊线区域1化之间。碗杯3(3设在碗杯成型区域12(3上，此时，固晶及焊线区域11(3位于碗杯3(3的底部。1^0芯片如安装在固晶及焊线区域1化上，灌封胶5。填充在碗杯3。中，并包裹[￡0芯片如。
[0031]本实施例中，将碗杯3。直接设置于基板上，而当前基板一般使用铜基板、铝基板或81'板。81 (81811181611111(16 11*1^121116 )板又称81'树脂基板。由于铜/氧化铜、招及81'板(相对于银、镍等金属)与硅胶或环氧系高反射材料、碗杯3^的成型材料等有机或无机胶材结合较好。因而可以保证碗杯3。与基板间结合紧密，灌封胶50可以通过该高反射层2^与基板化紧密结合，有效提高灌封的气密性；从而提高[￡0器件的寿命。本实施例其它结构与本发明1^0器件实施例一相同，也具有相同的效果，在此不再重复。
[0032]本发明[￡0器件实施例四:请参阅图4，一种[￡0器件，包括基板1(1、碗杯3(1、120芯片4(1和灌封胶5(1。基板1(1上预留有固晶及焊线区域11(1和碗杯成型区域12山并且碗杯成型区域12(1与固晶及焊线区域11(1间隔设置，且碗杯成型区域12(1环绕固晶及焊线区域11(1。基板1(1上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷有高反射层2山高反射层2(1设于碗杯成型区域12(1和固晶及焊线区域11(1之间。碗杯3(1设在碗杯成型区域12(1上，此时，固晶及焊线区域11(1位于碗杯3(1的底部。[￡0芯片4(1安装在固晶及焊线区域11(1上，灌封胶5(1填充在碗杯3(1中，并包裹[￡0芯片4(1。本实施例与本发明[￡0器件实施例三的区别为:基板1(1上阵列有多个碗杯3山每个碗杯3(1底部均安装有[￡0芯片4山并且[￡0芯片4(1通过灌封胶5(1灌封在相应的碗杯3(1中。通过在基板1(1上阵列多个碗杯3山并在每个碗杯3(1底部安装[￡0芯片4山实现在同一基板1(1上集成多个[￡0芯片4山提高该[￡0器件的功率。该实施例的其它结构与本发明120器件实施例三相同，也具有与本发明120器件实施例三相同的效果，在此不再重复。
[0033]本发明还提供120器件的制作方法，包括以下步骤:
[0034]31)丝网印刷高反射层:在基板上预留固晶及焊线区域，用硅胶或环氧系高反射材料在基板上丝网印刷高反射层，并且使所述高反射层环绕所述固晶及焊线区域；
[0035]32)成型碗杯:用成型材料在所述基板上成型出碗杯，并使所述固晶及焊线区域位于所述碗杯底部；
[0036]83)安装[￡0芯片:将[￡0芯片安装在所述固晶及焊线区域；
[0037]84)填充灌封胶:在所述碗杯中填充灌封胶，并使灌封胶包裹所述120芯片。
[0038]由于铜/氧化铜、铝及81板(相对于银、镍等金属)与硅胶或环氧系高反射材料、碗杯的成型材料等有机或无机胶材结合较好。因而基板可以是铜基板、铝基板或81板。8丁(81811181611111(16 1116 )板又称81'树脂基板。用娃胶或环氧系高反射材料在基板上丝网印刷高反射层，使灌封胶可以通过该高反射层与基板紧密结合，有效提高灌封的气密性；而碗杯成型材料也可以通过该高反射层与基板紧密结合或直接与基板紧密结合，从而提高120器件的寿命。
[0039]通过在基板上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷高反射层，以现有技术中用银、镍或金等金属作为反射底材，取消了电镀制程。使[￡0器件制作工序得到减化。同时减少了稀有金属银、镍、金等的使用。
[0040]另外，通过在基板上丝网印刷该高反射层，替换了现有技术中用银、镍或金等金属作为反射底材，从而防止了后续使用中由于银层硫化、卤化而造成的[￡0发光效率的衰减的现象发生。
[0041]下面通过具体实施例进一步说明[￡0器件的制作方法:
[0042]请参阅图1和图5，本发明[￡0器件制作方法实施例一:一种1^0器件的制作方法，该方法可以对应制作出上述本发明120器件实施例一的120器件。该方法包括以下步骤:
[0043]811)丝网印刷高反射层(基板匕上预留固晶及焊线区域11。:在基板匕上预留固晶及焊线区域1匕，用硅胶或环氧系高反射材料在基板匕上丝网印刷高反射层2^并且使所述高反射层23环绕所述固晶及焊线区域1匕；
[0044]812)成型碗杯:在基板匕上的高反射层23上用成型材料成型碗杯3^1，并使所述固晶及焊线区域1匕位于所述碗杯33底部；
[0045]813)安装[￡0芯片:将[￡0芯片如安装在所述固晶及焊线区域1匕；
[0046]814)填充灌封胶:在所述碗杯中填充灌封胶5^并使灌封胶包裹所述[￡0芯片43。
[0047]811)步骤中，在基板匕上丝网印刷高反射层并使高反射层环绕固晶及焊线区域1匕，即在丝网印刷时，将基板匕上的固晶及焊线区域1匕裸露出来，以便安装[即芯片43。
[0048]312)步骤中，成型碗杯33时，使固晶及焊线区域113位于碗杯33底部，即碗杯3已的侧壁环绕固晶及焊线区域1匕，当[￡0芯片如安装于固晶及焊线区域1匕上后，[￡0芯片43也位于碗杯33底部，即碗杯33侧壁环绕[￡0芯片如。[￡0芯片如发出的光被碗杯33及高反射层23定向反射出，提高120器件的了光效率。
[0049]313)步骤中，一般是通过固晶工序和焊线工序将[￡0芯片如安装在固晶及焊线区域1匕上。固晶工序又称为016 8011(1工序或装片工序，是指通过胶体把[￡0芯片粘结在基板的指定区域，形成热通路或电通路的工序。焊线工序指将金线或铝线等导线两端分别焊接在1^0芯片的电极上与基板上，以实现1^0芯片与基板电连接的工序。
[0050]314)步骤中，在碗杯33中填充灌封胶5^1，并包裹120芯片如，实现120芯片如的灌封。灌封胶53主要起到保护120芯片如的作用。
[0051]由于铜/氧化铜、铝及81板(相对于银、镍等金属)与硅胶或环氧系高反射材料、碗杯33的成型材料等有机或无机胶材结合较好。因而基板匕可以是铜基板、铝基板或8丁板。81 (81811181611111(16 11*1^121116 )板又称81'树脂基板。用娃胶或环氧系高反射材料在基板匕上丝网印刷高反射层21使灌封胶53可以通过该高反射层23与基板匕紧密结合，有效提高灌封的气密性；而碗杯33成型材料也可以通过该高反射层23与基板紧密结合，从而提闻[￡0器件的寿命。
[0052]通过在基板匕上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷高反射层以现有技术中用银、镍或金等金属作为反射底材，取消了电镀制程。使[￡0器件制作工序得到减化。同时减少了稀有金属银、镍、金等的使用。
[0053]另外，通过在基板匕上丝网印刷该高反射层替换了现有技术中用银、镍或金等金属作为反射底材，从而防止了后续使用中由于银层硫化、卤化而造成的[￡0发光效率的衰减的现象发生。
[0054]进一步地，碗杯3^1由成型材料模具压合(1110(11118)而成。制作简单，便于工业生产。成型材料可以是环氧树脂、硅胶或硅树脂。由于碗杯％成型在高反射层如上，而高反射层23是由硅胶或环氧系材料制成，其相对于金属而言具有较高的弹性，在模具压合过程中可以起到合模缓冲的作用，减少溢胶的效果，提高模具压合制程的良品率。
[0055]硅胶或环氧系高反射材料一般使用吸光性较小的颜色，如白色、灰白色、银白色等颜色，提高出光效率。当120器件发出的光为特定颜色，如红光、绿光、黄光、蓝光等时，高反射材料的颜色也可以为相应的颜色，以减少对相应色光的吸收。当使用的硅胶或环氧系高反射材料的反射率能维持在95%以上时，可以有效维持120器件的高光效输出。
[0056]进一步地，在312)步骤之后和313)步骤之前还包括步骤:312.5)清洗基板:即在固晶工序前对基板匕进行清洗，使基板匕上固晶焊线区域干净，以提高焊线工序中焊线的良品率。
[0057]另一种优选地方案为:采用覆晶工艺安装[￡0芯片如，即采用覆晶工艺进行固晶工序和焊线工序，则可以不对基板匕进行清洗。
[0058]当然若在311)步骤中设置多个固晶及焊线区域，对应地在312)步骤中成型多个碗杯，并在每个碗杯中对应安装120芯片，则可以实现多个120芯片的集成，即该方法可以对应制作出本发明120器件实施例二的120器件。
[0059]请参阅图3和图6，本发明[￡0器件制作方法实施例二:一种[￡0器件的制作方法，该方法可以对应制作出上述本发明120器件实施例三的120器件。该方法包括以下步骤:
[0060]821)丝网印刷高反射层(基板上预留固晶及焊线区域11。和碗杯成型区域120):在基板上预留固晶及焊线区域11。及碗杯成型区域120，并使所述碗杯成型区域120与所述固晶及焊线区域11。间隔设置，且所述碗杯成型区域12。环绕所述固晶及焊线区域1化，用硅胶或环氧系高反射材料在所述碗杯成型区域12^与所述固晶及焊线区域11(3之间丝网印刷高反射层2(3 ；
[0061]822)成型碗杯:用成型材料在所述碗杯成型区域12^模具压合成型碗杯3(3 ；
[0062]823)安装[￡0芯片:将[￡0芯片4。安装在所述固晶及焊线区域1化；
[0063]824)填充灌封胶:在所述碗杯3。中填充灌封胶5(3，并使灌封胶5。包裹所述120芯片知。
[0064]821)步骤中，在基板1(3上丝网印刷高反射层2(3，并使高反射层2(3位于固晶及焊线区域1化与碗杯成型区域12。之间，即在丝网印刷时，将基板上的固晶及焊线区域1化和碗杯成型区域12(3裸露出来，以便在固晶及焊线区域1化安装[￡0芯片如，在碗杯成型区域12^成型出碗杯3(3。另外，由于碗杯成型区域12^环绕固晶及焊线区域1化，且碗杯成型区域12。与固晶及焊线区域11。间隔设置，而高反射层2。位于碗杯成型区域12。与固晶及焊线区域11。之间，则高反射层2。也必然环绕固晶及焊线区域1化。
[0065]822)步骤中，在碗杯成型区域12。成型碗杯3。，而碗杯成型区域12。环绕固晶及焊线区域110，且与固晶及焊线区域11(3间隔设置，则碗杯3。成型后，固晶及焊线区域1化位于碗杯3。底部，即碗杯3。的侧壁环绕固晶及焊线区域1化，当1^0芯片如安装于固晶及焊线区域11。上后，[￡0芯片4。也位于碗杯3。底部，即碗杯3。侧壁环绕[￡0芯片如。[￡0芯片如发出的光被碗杯3^及高反射层2^定向反射出，提高120器件的了光效率。
[0066]323)步骤中，一般是通过固晶工序和焊线工序将[￡0芯片40安装在固晶及焊线区域1化上。固晶工序又称为016 8011(1工序或装片工序，是指通过胶体把[￡0芯片4。粘结在基板化的指定区域，形成热通路或电通路的工序。焊线工序指将金线或铝线等导线两端分别焊接在[￡0芯片4。的电极上与基板上，以实现[￡0芯片4。与基板电连接的工序。
[0067]324)步骤中，在碗杯3。中填充灌封胶5。，并包裹[￡0芯片4。，实现[￡0芯片如的灌封。灌封胶5^主要起到保护120芯片如的作用。
[0068]由于铜/氧化铜、铝及81板(相对于银、镍等金属)与硅胶或环氧系高反射材料、碗杯30的成型材料等有机或无机胶材结合较好。因而基板1(3可以是铜基板1(3、铝基板1(3或8丁板。用硅胶或环氧系高反射材料在基板化上丝网印刷高反射层2(3，使灌封胶5(3可以通过该高反射层1与基板化紧密结合，有效提高灌封的气密性；而碗杯3^成型材料可以直接与基板化紧密结合，从而提高[￡0器件的寿命。
[0069]通过在基板1(3上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷高反射层2(3，以现有技术中用银、镍或金等金属作为反射底材，取消了电镀制程。使[￡0器件制作工序得到减化。同时减少了稀有金属银、镍、金等的使用。
[0070]另外，通过在基板10上丝网印刷该高反射层2(3，替换了现有技术中用银、镍或金等金属作为反射底材，从而防止了后续使用中由于银层硫化、卤化而造成的[￡0发光效率的衰减的现象发生。
[0071]具体地，碗杯3(3由成型材料模具压合(膨也叩)而成。制造方便，便于工业生产。成型材料可以是环氧树脂、硅胶或硅树脂。
[0072]硅胶或环氧系高反射材料一般使用吸光性较小的颜色，如白色、灰白色、银白色等颜色，提高出光效率。当120器件发出的光为特定颜色，如红光、绿光、黄光、蓝光等时，高反射材料的颜色也可以为相应的颜色，以减少对相应色光的吸收。当使用的硅胶或环氧系高反射材料的反射率能维持在95%以上时，可以有效维持120器件的高光效输出。
[0073]进一步地，在322)步骤之后和323)步骤之前还包括步骤:322.5)清洗基板:即在固晶工序前对基板10进行清洗，使基板10上固晶焊线区域干净，以提高焊线工序中焊线的良品率。
[0074]另一种优选地方案为:采用覆晶工艺安装1^0芯片如，即采用覆晶工艺进行固晶工序和焊线工序，则可以不对基板化进行清洗。
[0075]当然若在321)步骤中设置多个固晶及焊线区域，并对应设置多个碗杯成型区域，对应地在322)步骤中成型多个碗杯，并在每个碗杯中对应安装120芯片，则可以实现多个120芯片的集成，即该方法可以对应制作出本发明120器件实施例四的120器件。
[0076]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种LED器件，包括基板、设于所述基板上的碗杯和LED芯片，所述基板上设有固晶及焊线区域，所述固晶及焊线区域设于所述碗杯底部，所述LED芯片安装于所述固晶及焊线区域上；所述LED器件还包括填充于所述碗杯中并包裹所述LED芯片的灌封胶，其特征在于:所述基板上用硅胶或环氧系高反射材料丝网印刷有高反射层，且所述高反射层环绕所述固晶及焊线区域。
2.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于:所述碗杯成型于所述高反射层上。
3.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于:所述基板上设有碗杯成型区域，所述碗杯成型于所述碗杯成型区域上，所述碗杯成型区域与所述固晶及焊线区域间隔设置，且所述碗杯成型区域环绕所述固晶及焊线区域，所述高反射层设于所述碗杯成型区域与所述固晶及焊线区域之间。
4.如权利要求1-3任一项所述的LED器件，其特征在于:所述基板为铜基板、铝基板或BT板。
5.如权利要求1-3任一项所述的LED器件，其特征在于:所述碗杯由成型材料模具压合而成。
6.如权利要求1-3任一项所述的LED器件，其特征在于:所述基板上阵列有多个所述碗杯，每个所述碗杯底部均安装有所述LED芯片。
7.—种LED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 51)在基板上预留固晶及焊线区域，用硅胶或环氧系高反射材料在基板上丝网印刷高反射层，并且使所述高反射层环绕所述固晶及焊线区域； 52)用成型材料在所述基板上成型出碗杯，并使所述固晶及焊线区域位于所述碗杯底部; 53)将LED芯片安装在所述固晶及焊线区域； 54)在所述碗杯中填充灌封胶，并使灌封胶包裹所述LED芯片。
8.如权利要求7所述的LED器件的制作方法，其特征在于，在S2)步骤之后和S3)步骤之前还包括步骤:S2.5)清洗基板。
9.如权利要求7所述的LED器件的制作方法，其特征在于:所述S3)步骤中，LED芯片采用覆晶工艺安装。
10.如权利要求7所述的LED器件的制作方法，其特征在于:所述碗杯采用模具压合成型。
【文档编号】H01L33/60GK104465969SQ201310442945
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2013年9月25日 优先权日:2013年9月25日
【发明者】韩婷婷 申请人:深圳市瑞丰光电子股份有限公司