一种新型led发光二级管的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种新型LED发光二极管，包括基座，及设置在基座上方的壳体，及设置在基座上左侧的正电极，及设置在基座上右侧的负电极，及与正电极和负电极相连接的LED发光二级管芯片，及设置在LED发光二级管芯片外侧的电流扩展层，及设置在电流扩展层外侧的透光层，及设置在透光层外侧的表面粗化层，及设置在表面粗化层外侧的荧光粉层；通过减轻LED发出的光斑黄圈，提高LED发光二级管芯片的折射率，可以有效提升除出光量，提升了照射的亮度，延长产品的使用寿命，降低了生产成本，适用于各种需要使用LED发光二极管的场合。
【专利说明】一种新型LED发光二级管
【技术领域】
[0001]本发明涉及发光二极管【技术领域】，具体涉及一种新型LED发光二极管。
【背景技术】
[0002]自从红色、黄色发光二极管在20世纪90年代的早起出现，和稍后的蓝色、绿色和白色发光二极管的研发，这些发光二极管已经在很多高效固态照明【技术领域】上有广泛的用途，例如全色彩屏幕显示器、汽车用灯、背光源、交通信号灯、景观及日常照明等。
[0003]LED发光二级管结构已日趋成熟，但是由于许多原因，LED发光二级管的外量子效率偏低，其中一个重要的原因就是许多有源区发射出来的光，在经过外延层反射时，由于折射率差，发生全反射，使得许多有源区发射出来的光最终无法从外延层中射出，这就降低了LED发光二级管的照射度，而且LED发光二级管的使用寿命也会受到影响。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种提升照射的亮度，延长产品的使用寿命，降低生产成本，适用于各种需要使用LED发光二极管的场合的新型LED发光二极管
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是:
本发明的一种新型LED发光二极管，包括基座，及设置在基座上方的壳体，及设置在基座上左侧的正电极，及设置在基座上右侧的负电极，及与正电极和负电极相连接的LED发光二级管芯片，及设置在LED发光二级管芯片外侧的电流扩展层，及设置在电流扩展层外侧的透光层，及设置在透光层外侧的表面粗化层，及设置在表面粗化层外侧的荧光粉层。
[0005]作为优选的技术方案，所述的电流扩展层厚度为200微米，其折射率为0.5-0.6。
[0006]作为优选的技术方案，所述的透光层厚度为150微米，其折射率为1.40-1.65，所述的透光层为硅胶材料层。
[0007]作为优选的技术方案，所述的表面粗化层厚度为100微米，其折射率为1.0-1.35。
[0008]本发明的新型LED发光二级管有益效果是:通过减轻LED发出的光斑黄圈，提高LED发光二级管芯片的折射率，可以有效提升除出光量，提升了照射的亮度，延长产品的使用寿命，降低了生产成本，适用于各种需要使用LED发光二极管的场合。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1是本发明的新型LED发光二级管的结构示意图。
[0011]附图标记说明:1-基座；2-正电极；3-负电极；4-LED发光二级管芯片；5-电流扩展层；6_透光层；
7-表面粗化层；8_荧光粉层；9_壳体。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0013]如图1所示，本发明的一种新型LED发光二极管，包括基座I，及设置在基座I上方的壳体9，及设置在基座I上左侧的正电极2，及设置在基座I上右侧的负电极3，及与正电极2和负电极3相连接的LED发光二级管芯片4，及设置在LED发光二级管芯片4外侧的电流扩展层5，及设置在电流扩展层5外侧的透光层6，及设置在透光层6外侧的表面粗化层7，及设置在表面粗化层7外侧的荧光粉层8。
[0014]所述的电流扩展层5厚度为200微米，其折射率为0.5-0.6。
[0015]所述的透光层6厚度为150微米，其折射率为1.40-1.65，所述的透光层6为硅胶材料层。
[0016]所述的表面粗化层7厚度为100微米，其折射率为1.0-1.35。
[0017]本发明的新型LED发光二级管的有益效果是:通过减轻LED发出的光斑黄圈，提高LED发光二级管芯片的折射率，可以有效提升除出光量，提升了照射的亮度，延长产品的使用寿命，降低了生产成本，适用于各种需要使用LED发光二极管的场合。
[0018]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种新型LED发光二极管，其特征在于:包括基座，及设置在基座上方的壳体，及设置在基座上左侧的正电极，及设置在基座上右侧的负电极，及与正电极和负电极相连接的LED发光二级管芯片，及设置在LED发光二级管芯片外侧的电流扩展层，及设置在电流扩展层外侧的透光层，及设置在透光层外侧的表面粗化层，及设置在表面粗化层外侧的荧光粉层。
2.根据权利要求1所述的新型LED发光二极管，其特征在于:所述的电流扩展层厚度为200微米，其折射率为0.5-0.6。
3.根据权利要求1所述的新型LED发光二极管，其特征在于:所述的透光层厚度为150微米，其折射率为1.40-1.65，所述的透光层为硅胶材料层。
4.根据权利要求1所述的新型LED发光二极管，其特征在于:所述的表面粗化层厚度为100微米，其折射率为1.0-1.35。
【文档编号】H01L33/62GK103545433SQ201310501962
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年10月23日 优先权日:2013年10月23日
【发明者】周肇炎 申请人:周肇炎