复合渐变折射层结构及包括此结构的封装结构的制作方法
【专利摘要】本发明的提供一种复合渐变折射层结构及包括此结构的封装结构，该复合渐变折射层结构包括：一基板；以及一复合渐变折射层，形成于该基板上，其中该复合渐变折射层具有一第一表面与一第二表面，该第一表面为一入光侧，该第二表面为一出光侧，该复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成，且该复合渐变折射层的折射率自该第一表面至该第二表面递减。本发明另提供一种包括此复合渐变折射层结构的封装结构。
【专利说明】复合渐变折射层结构及包括此结构的封装结构
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种复合渐变折射层结构，特别是涉及一种可增进光取出效果及降低水气渗透的复合渐变折射层结构。
【背景技术】
[0002]近年来，有机发光二极管(OLED)以其自发光、无视角、省电、制作工艺简易、低成本、低操作温度范围及高应答速度等优点，使其具有极大的应用潜力，其中白光OLED更被市场所重视，因其可用来做成固态照明光源，也可用来做成LCD背光源及全彩OLED显示器(白光OLED搭配彩色滤光片)。最近，由于各国政府及业界积极投入推动有机发光材料、元件及照明应用的研发，技术进展快速，发光效率已突破601m/W，甚至可达1001m/W。虽白光OLED技术目前仍在实验室研发阶段，一旦突破寿命问题、生产技术成熟，有可能成为白光照明及背光源主角，也被视为显示器外，另一重要应用领域。在白光OLED照明应用中，除寿命问题外，发光效率也是需要提升的问题，对于底部发光的有机发光二极管而言，其外部效率通常被限制为约20%，因有近80%的发射光，由于阳极透明电极与玻璃基板间的折射率差异，以及玻璃基板与空气间的折射率差异造成波导效应，而困于有机发光二极管中，因此，如何提升光取出效率已成为改善有机发光二极管发光效率的最重要因素之一，此问题将限制有机发光二极管整体效率，进而影响其在显示器与固态照明的发展。
[0003]目前，已有许多致力于改善有机电致发光器件光取出效率的方式，例如在玻璃基板表面喷砂造成散射效果、贴附扩散膜、增亮膜与制作微透镜阵列来改善基板与空气间的临界角效应，使其光输出比例获得提升，或在基板表面制作纳米微结构，此外，也可在基板与透明导电膜(例如ΙΤ0)间利用光子晶体结构提升光取出效率，其他诸如利用纳米压印制作方式对基板进行图案化，也对有机发光二极管发光效率有改善效果，然而，上述方式所面临的是制作成本较高，步骤复杂，生产速率慢等问题，较不适合用于现今产业做生产，为考虑以简便方式提升OLED光取出效率，通常会在基板与透明导电膜(例如ΙΤ0)间插入几种不同折射率折射层的方式，使其折射率变化不至过于明显，也可达到降低临界角损耗的功效；一般以高分子材料(例如 fluorinated ethylene propylene (η=1.34)/Acrylicadhesive (n=l.47) /Zeonor cyclo olefin (n=l.53))多层堆叠于透明导电膜与基板之间作为渐变折射层，来达成光取出效果，但，此类结构中折射率的变化范围过小且其与透明导电膜ITO的折射率(n=1.8)仍有些许差距，致出光效果改善较为有限。此外，在基板与透明导电膜(例如ΙΤ0)间加入一图案化薄膜也可改善出光临界角，但其将面临后续蒸镀有机层时因表面不平整所导致整体阻水/阻气效果不佳的情况，造成OLED元件寿命减少或损坏。
【发明内容】
[0004]为解决上述问题，本发明提供一种复合渐变折射层结构，包括:一基板；以及一复合渐变折射(graded refractive index, GRI)层，形成于该基板上,其中该复合渐变折射层具有一第一表面与一第二表面，该第一表面为一入光侧，该第二表面为一出光侧，该复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成，且该复合渐变折射层的折射率自该第一表面至该第二表面递减。
[0005]本发明提供一种封装结构，包括:一基板；一复合渐变折射(GRI)层，形成于该基板上，其中该复合渐变折射层具有一第一表面与一第二表面，该第一表面为一入光侧，该第二表面为一出光侧，该复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成，且该复合渐变折射层的折射率自该第一表面至该第二表面递减；以及一电子元件，设置于该复合渐变折射层的该第一表面。
[0006]本发明提供一种封装结构，包括:一基板；一第一复合渐变折射(GRI)层，形成于该基板上，其中该第一复合渐变折射层具有一第一表面与一第二表面，该第一表面为一入光侧，该第二表面为一出光侧，该第一复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成，且该第一复合渐变折射层的折射率自该第一表面至该第二表面递减；以及一电子元件，设置于该第一复合渐变折射层的该第一表面与该基板之间。
[0007]本发明提供一种应用于有机发光二极管(OLED)元件的光取出结构，以两种折射率差异较大的氧化物(氧化锌、二氧化硅)作为靶材通过调变氧化锌溅镀功率与二氧化娃派镀功率制作成以氧化锌娃(ZnxSiyOz)无机氧化层为主的复合渐变折射(gradedrefractive index, GRI)层,其折射率大小自入光侧至出光侧之间依序由大至小排列，一方面利用复合渐变折射层的折射率渐变特性使光由例如ITO的透明导电层入射至复合渐变折射层时，可有效降低入射光临界角损失，另方面，具有高阻水气效果(<0.01g/m2-day)的复合渐变折射层也可阻挡入侵的水气/氧气，大幅增进OLED元件的光取出效果。此外，本发明复合渐变折射层可利用共溅镀(co-sputter)技术于同一腔体中连续镀制，免去一般制作工艺须传片与传片时的微粒污染，可达省时、提高良率及降低成本的目的。此外，本发明整体封装结构的可见光穿透率可达95%，具有极高光穿透率。
[0008]为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，作详细说明如下:
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是根据本发明的一实施例，一种复合渐变折射层结构；
[0010]图2是根据本发明的一实施例，一种复合渐变折射(GRI)层；
[0011]图3是根据本发明的一实施例，一种复合渐变折射(GRI)层；
[0012]图4是根据本发明的一实施例，一种复合渐变折射(GRI)层；
[0013]图5是根据本发明的一实施例，一种复合渐变折射(GRI)层；
[0014]图6是根据本发明的一实施例，一种封装结构；
[0015]图6-1是根据本发明的一实施例，一种封装结构；
[0016]图7是根据本发明的一实施例，一种封装结构；
[0017]图8是根据本发明的一实施例，一种封装结构；
[0018]图8-1是根据本发明的一实施例，一种封装结构；
[0019]图9是根据本发明的一实施例，OLED封装结构的光取出效率；
[0020]图10是根据本发明的一实施例,不同锌、娃比例的单一氧化锌娃(ZnxSiyOz)化合物层的阻水气率(WVTR)。[0021]主要元件符号说明
[0022]10?复合渐变折射层结构；
[0023]12、120 ?基板；
[0024]14、140、140’?复合渐变折射层；
[0025]16、160、160’?复合渐变折射层第一表面；
[0026]18、180、180’?复合渐变折射层第二表面；
[0027]20?第一折射层；
[0028]22?第二折射层；
[0029]24?第三折射层；
[0030]26?第四折射层；
[0031]28?第五折射层；
[0032]100、100，、100” ?封装结构；
[0033]300?电子元件；
[0034]320?第一电极；
[0035]340?发光层；
[0036]360?第二电极；
[0037]nl?第一折射率；
[0038]n2?第二折射率；
[0039]n3?第三折射率；
[0040]n4?第四折射率；
[0041]n5?第五折射率。
【具体实施方式】
[0042]本发明的一实施例，请参阅图1，说明一种复合渐变折射层结构。复合渐变折射层结构10包括一基板12与一复合渐变折射(graded refractive index, GRI)层14。复合渐变折射(GRI)层14形成于基板12上。基板12可为玻璃基板。复合渐变折射层14具有一第一表面16与一第二表面18,第一表面16为一入光侧,第二表面18为一出光侧。值得注意的是，复合渐变折射层14的各层由氧化锌硅所构成，例如具有化学式ZnxSiyOz，化学式中，1，0l，0〈z<3。此外，复合渐变折射层14的折射率自第一表面16至第二表面18递减，变化范围大体介于1.46?2.3之间。
[0043]在一实施例中，请同时参阅图1与图2，复合渐变折射(GRI)层14包括一第一折射层20与一第二折射层22。第一折射层20具有一第一折射率nl，第二折射层22具有一第二折射率n2。第一折射层20包括第一表面16,第二折射层22包括第二表面18,第一表面16为一入光侧,第二表面18为一出光侧。第一折射率nl大于第二折射率n2。
[0044]在一实施例中，请同时参阅图1与图3，复合渐变折射(GRI)层14包括一第一折射层20、一第二折射层22与一第三折射层24。第一折射层20具有一第一折射率nl,第二折射层22具有一第二折射率n2，第三折射层24具有一第三折射率n3。第一折射层20包括第一表面16,第三折射层24包括第二表面18,第一表面16为一入光侧,第二表面18为一出光侧。第一折射率nl大于第二折射率n2，第二折射率n2大于第三折射率n3。[0045]在一实施例中，请同时参阅图1与图4，复合渐变折射(GRI)层14包括一第一折射层20、一第二折射层22、一第三折射层24与一第四折射层26。第一折射层20具有一第一折射率nl，第二折射层22具有一第二折射率n2，第三折射层24具有一第三折射率n3，第四折射层26具有一第四折射率n4。第一折射层20包括第一表面16，第四折射层26包括第二表面18,第一表面16为一入光侧,第二表面18为一出光侧。第一折射率nl大于第二折射率n2，第二折射率n2大于第三折射率n3，第三折射率n3大于第四折射率n4。
[0046]在一实施例中，请同时参阅图1与图5，复合渐变折射(GRI)层14包括一第一折射层20、一第二折射层22、一第三折射层24、一第四折射层26与一第五折射层28。第一折射层20具有一第一折射率nl，第二折射层22具有一第二折射率n2，第三折射层24具有一第三折射率n3,第四折射层26具有一第四折射率n4,第五折射层28具有一第五折射率n5。第一折射层20包括第一表面16,第五折射层28包括第二表面18,第一表面16为一入光侧，第二表面18为一出光侧。第一折射率nl大于第二折射率n2,第二折射率n2大于第三折射率n3，第三折射率n3大于第四折射率n4，第四折射率n4大于第五折射率n5。
[0047]值得注意的是，复合渐变折射(GRI)层14的水气渗透率(WVTR)低于5 X 10_3g/m2/day。
[0048]本发明的一实施例，请参阅图6，说明一种封装结构。封装结构100包括一基板120、一复合渐变折射层140与一电子元件300。基板120可为玻璃基板。复合渐变折射层140具有一第一表面160与一第二表面180，第一表面160为一入光侧，第二表面180为一出光侧。复合渐变折射层140形成于基板120上。电子元件300设置于复合渐变折射层140的第一表面160。值得注意的是，复合渐变折射层140的各层由氧化锌硅所构成，例如具有化学式ZnxSiyOz,化学式中，O ^ x ^ 1,0 ^ y ^ 1,0<ζ ( 3。此外，复合渐变折射层140的折射率自第一表面160至第二表面180递减，变化范围大体介于1.46~2.3之间。
[0049]在此实施例中，电子兀件300为一有机发光二极管(OLED)兀件，由一第一电极320, —发光层340与一第二电极360所构成。第一电极320例如为铟锡氧化物(ITO)电极，第二电极360例如为金属电极，因此，在此实施例中，电子元件300为一下发光装置。
[0050]在此实施例中，封装结构100更包括一第二复合渐变折射层140’，形成于电子元件300上，如图6-1所示。
[0051]第二复合渐变折射层140’的各层由氧化锌娃所构成,例如具有化学式ZnxSiyOz,化学式中，O ^ X ^ 1,0 ( Y ( 1,0<z < 3。
[0052]值得注意的是，复合渐变折射层140与第二复合渐变折射层140’的水气渗透率(WVTR)低于 5X 10_3g/m2/day。
[0053]本发明的一实施例，请参阅图7，说明一种封装结构。封装结构100’包括一基板120、一复合渐变折射层140与一电子元件300。基板120可为玻璃基板。复合渐变折射层140具有一第一表面160与一第二表面180,第一表面160为一入光侧，第二表面180为一出光侧。复合渐变折射层140形成于基板120上。电子元件300设置于复合渐变折射层140的第一表面160与基板120之间。值得注意的是，复合渐变折射层140的各层由氧化锌硅所构成，例如具有化学式ZnxSiyOz,化学式中，O ^x^l,0^y^ 1,0<ζ ( 3。此外，复合渐变折射层140的折射率自第一表面160至第二表面180递减，变化范围大体介于1.46~
2.3之间。[0054]在此实施例中，电子兀件300为一有机发光二极管(OLED)兀件，由一第一电极320, —发光层340与一第二电极360所构成。第一电极320例如为铟锡氧化物(ITO)电极，第二电极360例如为金属电极，因此，在此实施例中，电子元件300为一上发光装置。
[0055]本发明的一实施例，请参阅图8，说明一种封装结构。封装结构100’’包括一基板120、一复合渐变折射层140与一电子元件300。基板120可为玻璃基板。复合渐变折射层140具有一第一表面160与一第二表面180，第一表面160为一入光侧，第二表面180为一出光侧。复合渐变折射层140形成于基板120上。电子元件300设置于复合渐变折射层140的第一表面160与基板120之间。值得注意的是，复合渐变折射层140的各层由氧化锌硅所构成，例如具有化学式ZnxSiyOz,化学式中，O ≤x≤l,0≤y≤ 1,0<ζ≤ 3。此外，复合渐变折射层140的折射率自第一表面160至第二表面180递减，变化范围大体介于1.46~
2.3之间。
[0056]在此实施例中，电子兀件300为一有机发光二极管(OLED)兀件，由一第一电极320, —发光层340与一第二电极360所构成。第一电极320例如为铟锡氧化物(ITO)电极，第二电极360例如为金属电极，因此，在此实施例中，电子元件300为一上发光装置。
[0057]在此实施例中，封装结构100’’更包括一第二复合渐变折射层140’，形成于电子元件300与基板120之间。值得注意的是，第二复合渐变折射层140’的各层由氧化锌硅所构成，例如具有化学式ZnxSiyOz,化学式中,O ≤ x≤1,0 ≤y≤l,0〈z≤ 3。
[0058]值得注意的是，复合渐变折射层140与第二复合渐变折射层140’的水气渗透率(WVTR)低于 5X 10_3g/m2/day。
[0059]本发明的一实施例，请参阅图8-1，说明一种封装结构。封装结构100’’’包括一基板120、一复合渐变折射层140与一电子元件300。基板120可为玻璃基板。复合渐变折射层140具有一第一表面160与一第二表面180，第一表面160为一入光侧，第二表面180为一出光侧。复合渐变折射层140形成于基板120上。电子元件300设置于复合渐变折射层140的第一表面160与基板120之间。值得注意的是，复合渐变折射层140的各层由氧化锌娃所构成，例如具有化学式ZnxSiyOz,化学式中,O≤x≤1,0≤ y≤ 1,0<ζ≤3。此外，复合渐变折射层140的折射率自第一表面160至第二表面180递减，变化范围大体介于
1.46~2.3之间。
[0060]在此实施例中，电子兀件300为一有机发光二极管(OLED)兀件，由一第一电极320, 一发光层340与一第二电极360所构成。当第一电极320与第二电极360同样为铟锡氧化物(ITO)电极时，电子元件300为一上下两面发光装置。
[0061]在此实施例中，封装结构100’’’更包括一第二复合渐变折射层140’，形成于电子元件300与基板120之间。第二复合渐变折射层140’具有一第一表面160’与一第二表面180’，第一表面160’为一入光侧，第二表面180’为一出光侧。在此实施例中，电子元件300设置于复合渐变折射层140的第一表面160与第二复合渐变折射层140’的第一表面160’之间。值得注意的是，第二复合渐变折射层140’的各层由氧化锌硅所构成，例如具有化学式ZnxSiyOz,化学式中，O ≤ x≤ 1,0 ≤ y ≤ 1,0<ζ ≤ 3。此外,第二复合渐变折射层140’的折射率自第一表面160’至第二表面180’递减，变化范围大体介于1.46~2.3之间。
[0062]值得注意的是，复合渐变折射层140与第二复合渐变折射层140’的水气渗透率(WVTR)低于 5X l0~3g/m2/day。[0063]以下说明本发明复合渐变折射层的制备方法，以共溅镀(co-sputter)技术为例作说明，首先，通入氩气(流量IOsccm)至真空腔体中，在工作压力5mtorr，基板温度25°C条件下，调变氧化锌(ZnO)与二氧化硅(Si02)溅镀功率，以将两种不同折射率的氧化锌与二氧化硅靶材制镀成多层折射率渐变的氧化锌硅(ZnxSiyOz)化合物层。氧化锌溅镀功率调变范围可介于O~1，000W，二氧化硅溅镀功率调变范围可介于O~1，000W。
[0064]本发明提供一种应用于有机发光二极管(OLED)元件的光取出结构，以两种折射率差异较大的氧化物(氧化锌、二氧化硅)作为靶材通过调变氧化锌溅镀功率与二氧化娃派镀功率制作成以氧化锌娃(ZnxSiyOz)无机氧化层为主的复合渐变折射(gradedrefractive index, GRI)层,其折射率大小自入光侧至出光侧之间依序由大至小排列，一方面利用复合渐变折射层的折射率渐变特性使光由例如ITO的透明导电层入射至复合渐变折射层时，可有效降低入射光临界角损失，另方面，具有高阻水气效果(<0.01g/m2-day)的复合渐变折射层也可阻挡入侵的水气/氧气，大幅增进OLED元件的光取出效果。此外，本发明复合渐变折射层可利用共溅镀(co-sputter)技术于同一腔体中连续镀制，免去一般制作工艺须传片与传片时的微粒污染，可达省时、提高良率及降低成本的目的。此外，本发明整体封装结构的可见光穿透率可达95%，具有极高光穿透率。
[0065]【实施例】
[0066]【实施例1】
[0067]本发明渐变折射(GRI)层的折射率范围
[0068]表1为本发明在不同氧化锌溅镀功率与二氧化硅溅镀功率条件下所制得渐变折射(GRI)层(氧化锌硅(ZnxSiyOz)化合物层)的折射率变化范围。
[0069]表1`
[0070]
氧化锌溅镀功二氧化硅溅镀功锌/(锌+硅)(％)折射率 率(W)率(W)(at 460nm)
12510083.321.94
12512582.961.89
12515080.491.82
10015071.781.78
7515058.011.67
2515034.681.62
[0071]由表1可看出，本发明通过调变氧化锌溅镀功率与二氧化硅溅镀功率所制得的渐变折射(GRI)层(氧化锌硅(ZnxSiyOz)化合物层)其折射率可达大的变化范围。
[0072]【实施例2】
[0073]本发明渐变折射(GRI)层的穿透率
[0074]表2为本发明在不同氧化锌功率与二氧化硅功率条件下所制得渐变折射(GRI)层(氧化锌硅(ZnxSiyOz)化合物层)的穿透率。
[0075]表2[0076]
【权利要求】
1.一种复合渐变折射层结构，包括: 基板；以及 复合渐变折射(graded refractive index, GRI)层,形成于该基板上,其中该复合渐变折射层具有第一表面与一第二表面，该第一表面为一入光侧，该第二表面为一出光侧，该复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成，且该复合渐变折射层的折射率自该第一表面至该第二表面递减。
2.如权利要求1所述的复合渐变折射层结构，其中该氧化锌硅具有化学式ZnxSiyOz，O ^ X ^ 1,0 ^ y ^ l，0〈z ( 3。
3.如权利要求1所述的复合渐变折射层结构，其中该复合渐变折射层的折射率介于1.46~2.3之间。
4.如权利要求1所述的复合渐变折射层结构，其中该复合渐变折射层包括第一折射层与第二折射层，该第一折射层具有第一折射率，该第二折射层具有第二折射率，该第一折射层包括该第一表面，该第二折射层包括该第二表面，该第一折射率大于该第二折射率。
5.如权利要求1所述的复合渐变折射层结构，其中该复合渐变折射层包括第一折射层、第二折射层与一第三折射层，该第一折射层具有第一折射率，该第二折射层具有第二折射率，该第三折射层具有第三折射率，该第一折射层包括该第一表面，该第三折射层包括该第二表面，该第一折射率大于该第二折射率，该第二折射率大于该第三折射率。
6.如权利要求1所述的复合渐变折射层结构`，其中该复合渐变折射层包括第一折射层、第二折射层、第三折射层与第四折射层，该第一折射层具有第一折射率，该第二折射层具有第二折射率，该第三折射层具有第三折射率，该第四折射层具有第四折射率，该第一折射层包括该第一表面，该第四折射层包括该第二表面，该第一折射率大于该第二折射率，该第二折射率大于该第三折射率，该第`三折射率大于该第四折射率。
7.如权利要求1所述的复合渐变折射层结构，其中该复合渐变折射层包括第一折射层、第二折射层、第三折射层、第四折射层与第五折射层，该第一折射层具有第一折射率，该第二折射层具有第二折射率，该第三折射层具有第三折射率，该第四折射层具有第四折射率，该第五折射层具有第五折射率，该第一折射层包括该第一表面，该第五折射层包括该第二表面，该第一折射率大于该第二折射率，该第二折射率大于该第三折射率，该第三折射率大于该第四折射率，该第四折射率大于该第五折射率。
8.—种封装结构,包括: 基板； 复合渐变折射层，形成于该基板上，其中该复合渐变折射层具有第一表面与第二表面，该第一表面为一入光侧，该第二表面为一出光侧，该复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成，且该复合渐变折射层的折射率自该第一表面至该第二表面递减；以及 电子元件，设置于该复合渐变折射层的该第一表面。
9.如权利要求8所述的封装结构,其中该氧化锌娃具有化学式ZnxSiyOz,O ^ x ^ I,O ^ y ^ l，0〈z ( 3。
10.如权利要求8所述的封装结构，其中该复合渐变折射层的折射率介于1.46~2.3之间。
11.如权利要求8所述的封装结构，还包括第二复合渐变折射层，形成于该电子元件上。
12.如权利要求11所述的封装结构，其中该第二复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成。
13.如权利要求12所述的封装结构,其中该氧化锌娃具有化学式ZnxSiyOz,O ≤x ≤ 1,.O ≤ y ≤ l，0≤z ≤ 3。
14.一种封装结构，包括: 基板； 第一复合渐变折射层，形成于该基板上，其中该第一复合渐变折射层具有第一表面与第二表面，该第一表面为一入光侧，该第二表面为一出光侧，该第一复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成，且该第一复合渐变折射层的折射率自该第一表面至该第二表面递减；以及 电子元件，设置于该第一复合渐变折射层的该第一表面与该基板之间。
15.如权利要求14所述的封装结构,其中该氧化锌娃具有化学式ZnxSiyOz,O ≤ x ≤ I,.O ≤y ≤ l，0≤z ≤ 3。
16.如权利要求14所述的封装结构，其中该第一复合渐变折射层的折射率介于1.46~.2.3之间。
17.如权利要求14所述的封装结构，还包括一第二复合渐变折射层，形成于该电子元件与该基板之间。
18.如权利要求17所述的封装结构，其中该第二复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成。
19.如权利要求18所述的封装结构,其中该氧化锌娃具有化学式ZnxSiyOz,O ≤x ≤ I,.O ≤y ≤l，0≤z ≤ 3。
20.如权利要求14所述的封装结构，其中该电子元件为一上下两面发光装置。
21.如权利要求20所述的封装结构，还包括第二复合渐变折射层，形成于该电子元件与该基板之间，其中该第二复合渐变折射层具有第一表面与第二表面，该第一表面为一入光侧，该第二表面为一出光侧，该第二复合渐变折射层的各层由氧化锌娃所构成，且该第二复合渐变折射层的折射率自该第一表面至该第二表面递减。
22.如权利要求21所述的封装结构，其中该电子元件设置于该第一复合渐变折射层的该第一表面与该第二复合渐变折射层的该第一表面之间。
23.如权利要求21所述的封装结构，其中该第二复合渐变折射层的折射率介于1.46~.2.3之间。
【文档编号】H01L51/54GK103887441SQ201310586720
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年11月20日 优先权日:2012年12月19日
【发明者】陈俊廷, 林昆蔚, 赖丰文 申请人:财团法人工业技术研究院