透光性导电图案部件及使用了其的透光性电磁屏蔽·天线部件的制作方法
【专利摘要】本发明提供通过金属图案部自身具有透光性而难以见到金属图案部、减少波纹、衍射导致的散射、且兼具充分的导电性的透光性导电图案部件。通过具备使用含有氮原子的化合物构成的基底层、使用银或以银为主要成分的合金而在上述基底层上的至少一部分上设置的具有透光性的导电图案部的具有透光性的导电图案部件来达到。
【专利说明】透光性导电图案部件及使用了其的透光性电磁屏蔽?天线 部件
【技术领域】
[0001] 本发明涉及导电部自身也具有透光性的透光性导电图案部件、及其制造方法、进 而使用了其的透光性电磁屏蔽部件、透光性频率选择性电磁波屏蔽部件、透光性天线部件、 触摸面板。
【背景技术】
[0002] 透光性导电图案部件，在例如等离子体显示面板的电磁波屏蔽等中得到利用。
[0003] 进而，因最近的无线环境的扩展，为了维持无线数据的安全、或者为了防止利用 了维持通信品质的、例如多个的IC标记时的混台等，尝试对窗玻璃、处理带有IC标记的 商品的收银机间、商品分类道的透明分离板附加电磁波屏蔽功能。在单纯的屏蔽中，连 手机、公共无线的电波也屏蔽了，因此可频率选择性地进行电磁波屏蔽的FSS (Frequency Selective Surface)正备受关注。FSS的特征在于在基材表面形成根据要屏蔽的电磁波的 频率的导电性的独立图案。该图案在面内不连续地接合，因此表面电阻变高，但为了反射电 磁波，各自的图案自身需要高的导电性。
[0004] 另外，透光性导电图案部件可作为电视、收音机、无线LAN的透明接收天线而利 用，例如可在窗玻璃上附加这样的透明接收天线。进而，如果在非接触IC卡的天线、无线标 记的接收发送天线也利用透光性导电图案部件，则可在IC卡表面具有天线，或制作透明的 无线标记。
[0005] 作为这样的透光性导电图案部件，已知通过以下的方法而形成了的透光性导电图 案部件：应用卤化银照片感光材料的技术而将银核形成为图案状来进行物理显像、镀敷的 方法（专利文献1)，用喷墨、丝网等的印刷法将含有钯催化剂的墨涂布成图案状、进行化学 镀敷的方法（专利文献2)，在形成为图案状的含有导电性高分子的涂膜上进行化学镀敷的 方法（专利文献3)，进而用光刻将金属薄膜形成为图案状的方法。
[0006] 但是，在用镀敷、光刻而制作了的金属图案部件中，没有金属图案的部分具有透光 性，金属图案部本身没有透光性。因此，进行将金属图案部细化，尽管如此，仍可见到图案 部，或者，根据图案形状在图案部发生光的衍射，外光在选择的方向被强烈地散射，或产生 波纹。另外，如果金属图案部自身将金属部减薄至通过光的水平，则不出现导电性。
[0007] 作为减薄金属而金属部自身一边具有透光性一边呈现导电性的方法，已知层叠了 ITO/银/ITO而成的电磁波屏蔽部件（专利文献4)。
[0008] 现有技术文献
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献1 :日本特开2008-277675号公报 [0011] 专利文献2 :日本特开平11-170420号公报
[0012] 专利文献3 :日本特开2009-16496号公报
[0013] 专利文献4 :日本特开2005-277228号公报
【发明内容】
[0014] 发明要解决的课题
[0015] 但是，ITO使用稀有金属的铟，因此材料成本高，另外为了降低电阻，需要在成膜后 在300°C左右下进行退火处理。因此，需要用于高温退火的大规模的装置、用于处理的能量， 进而，由于一般的膜基材没有耐热性而不能应用。进而，即使以这样的层叠 ITO/银/ITO的 构成也难以谋求充分的导电性和透光性的并存。
[0016] 因此，本发明的目的在于，提供通过金属图案部自身具有透光性而难以见到金属 图案部、减少波纹（干涉条纹）及衍射导致的散射、且兼具充分的导电性的透光性导电图 案部件、及提供通过使用该透光性导电图案部件来谋求了性能的提高的透光性电磁屏蔽部 件、透光性频率选择性电磁波屏蔽部件、透光性天线部件、触摸面板。
[0017] 用于解决课题的手段
[0018] 本发明的上述课题，通过以下的构成而达到。
[0019] 即，本发明通过透光性导电图案部件而达到，所述透光性导电图案部件具备使用 含有氮原子的化合物而构成的基底层、使用银或以银为主要成分的合金而在上述基底层上 的至少一部分上设置的具有透光性的导电图案部。
[0020] 另外，本发明通过透光性导电图案部件的制造方法来实现，其特征在于，其为具备 使用含有氮原子的化合物而构成的基底层和使用银或以银为主要成分的合金而在上述基 底层上的至少一部分上设置的具有透光性的导电图案部而成的透光性导电图案部件的制 造方法，其中，在所述基底层上形成了的银或以银为主要成分的合金是经由形成了图案的 掩模而通过蒸镀法来形成为导电图案部的。
[0021] 进而，本发明通过透光性电磁屏蔽部件、透光性频率选择性电磁屏蔽部件、透光性 天线部件而达到，其特征在于，使用上述透光性导电图案部件。
[0022] 如以上构成了的本发明的透光性导电图案部件为以下构成：在使用含有氮原子的 化合物而构成了的基底层上的至少一部分上设置使用了银或以银为主要成分的合金的具 有透光性的导电图案部。
[0023] -般而言，如果要形成银的薄膜层，贝U银由于成为核生长型（Volumer-Weber :VW 型）的膜生长而形成以岛状孤立了的微小银部的集合体。因此，微小银部形成比推测的还 厚的膜厚，微小银部的透光性大大降低。另外，由于为各自孤立了的状态，导电图案部没有 呈现导电性。为了使导电性呈现，需要使银生长至以岛状孤立了的微小银部进行连接，若使 其生长至该水平，则银层自身的透射率进一步大大地降低。
[0024] 在本发明中，在基底层的上部成膜导电图案部时，构成导电图案部的银原子与构 成基底层的含有氮原子的化合物相互作用，银原子在基底层表面的扩散距离减少，银的凝 聚受到抑制。因此，银层通过单层生长型（Frank-van der Merwe :FW型）的膜生长而成膜。 因此，可得到虽然为薄的膜厚但均匀的膜厚的导电图案部。其结果，可形成更薄的膜厚、具 有透光性的同时确保了导电性的导电图案部。
【专利附图】
【附图说明】
[0025] 图IA是表示本发明的透光性导电图案部件的一实施方式的构成的平面示意图； 图IB是沿图IA的1B-1B线的剖面示意图。
[0026] 图2A是表示本发明的透光性导电图案部件的其它的实施方式的构成的剖面示意 图；图2B是表示将图2A的透光性导电图案部件与基体侧（对方侧）粘接而转印、剥下具有 脱模性的基材的情形的剖面示意图。
[0027] 图3是对于导电图案部的形状示出了几个例子的附图。其中，图3A是表示直线状 的导电图案的附图。图3B是表示网眼状的图案中、示出了三角形状的导电图案的附图。图 3C是示出了圆形状的导电图案的附图。
[0028] 图4示出了作为导电图案部的形状开放了端部的天线图案例。
[0029] 图5是表示将本发明的实施方式的透光性导电图案部件作为触摸面板用透明电 极1-1、1-2而使用了的触摸面板21的示意构成的透视图。
[0030] 图6是表示触摸面板21的电极构成的2张透明电极（本发明的实施方式的透光 性导电图案部件）1-1、1-2的俯视图。
[0031] 图7是表不在构成各y电极图案5yl、5y2、…的菱形的图案部分相对于构成X电 极图案5xl、5x2、…的菱形的图案部分配置而在俯视地没有重叠的位置上配置、形成在没有 重叠的范围尽量占大的范围的形状的情形的透明电极（本发明的实施方式的透光性导电 图案部件）1-1、1-2的俯视图。
[0032] 图8是表示将本发明的实施方式的透光性导电图案部件作为触摸面板用透明电 极1-1U-2而使用了的触摸面板21的概略构成的剖面图。
[0033] 图9是表示使用铝掩模的图案而在由设于上述PET基材上的上述TH)构成的基底 层上形成了的、由试样101的银构成的网眼形状的导电图案部和在评价用中形成了的由银 构成的实体部（?夕部）的平面示意图。
[0034] 图IOA是用于说明网眼状（格子状）的图案部的L/S的平面示意图；图IOB是用 于示出比较试样205的图案部的构成的沿图IOA(镀敷后）的10B-10B线的剖面示意图。
[0035] 图11是表示衰减率的评价装置的配置的示意图。
【具体实施方式】
[0036] 以下，对本发明的优选的方式进行说明。
[0037]〈透光性导电图案部件〉
[0038] 本发明一方式涉及的透光性导电图案部件，其特征在于，具备使用含有氮原子的 化合物而构成的基底层和使用银或以银为主要成分的合金而在上述基底层上的至少一部 分上设置的具有透光性的导电图案部。通过采用上述构成，根据本发明的透光性导电图案 部件，可在透光性导电图案部件中金属图案部自身具有透光性的同时，谋求与金属图案部 的导电性的并存，另外，可谋求使用了该透光性导电图案部件的透光性电磁屏蔽部件、透光 性频率选择性电磁波屏蔽部件、透光性天线部件的性能的提高。
[0039] 以下，一边参照附图，一边对本发明的实施方式进行说明。予以说明，在附图的说 明中，对同一技术特征赋予同一符号，省略重复的说明。另外，附图的尺寸比率，为了方便说 明而进行夸张，有时与实际的比率不同。
[0040] 图IA是表示本发明的透光性导电图案部件的一实施方式的构成的平面示意图。 图IB是沿图IA的1B-1B线的剖面示意图。图2A是表示本发明的透光性导电图案部件的其 它的实施方式的构成的剖面示意图。图2B是表示将图2A的透光性导电图案部件粘接于基 体侧（配对侧）而转印、剥下具有脱模性的基材的情形的剖面示意图。如图1A、B中所示， 透光性导电图案部件11为层叠了基底层15和在其上部的至少一部上成膜了的具有透光性 的导电图案部17的结构，例如，在基材13的上部依次设有基底层15、具有透光性的导电图 案部17。其中基底层15为使用含有氮原子的化合物而构成了的层，具有透光性的导电图案 部17为使用银或以银为主要成分的合金而构成了的层。另外，如图2A、B中所示，透光性导 电图案部件11例如可以为在具有脱模性的基材13上依次设置保护层14、基底层15、具有 透光性的导电图案部17、粘接层18而转印到适当的基体19(被转印体，例如窗玻璃车的后 面玻璃等）来使用的构成。优选这些基材13、保护层14、基底层15、具有透光性的导电图案 部17、粘接层18、进而基体19均具有高的透光性。
[0041] 接着，对在这样的透光性导电图案部件11中使用的基材13、基底层15及导电图案 部17以该顺序说明详细的构成。
[0042] (基材）
[0043] 在本发明的透光性导电图案部件11中，优选使用基材13。基材13为透明基材。 作为透明基材，只要具有高的透光性就没有特别限制。例如，可以使用透明树脂膜、玻璃，但 从挠性等的观点考虑，更优选为透明树脂膜。特别是由于在本发明中不需要层叠 ITO/银/ ITO这样的高温处理，因此可优选应用。
[0044] 对上述透明树脂膜没有特别限制，对于其材料、形状、结构、厚度等可以从公知的 物质中适宜选择。例如可以举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、改 性聚酯等双轴拉伸聚酯系膜；聚乙烯（PE)树脂膜、聚丙烯（PP)树脂膜、聚苯乙烯树脂膜、 环状烯烃系树脂等聚烯烃类树脂膜；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯等乙烯基系树脂膜；聚醚醚酮 (PEEK)树脂膜、聚砜（PSF)树脂膜、聚醚砜（PES)树脂膜、聚碳酸酯（PC)树脂膜、聚酰胺树 脂膜、聚酰亚胺树脂膜、丙烯酸类树脂膜、三乙酰纤维素（TAC)树脂膜等。
[0045] 〈基底层〉
[0046] 基底层15为使用含有氮原子的化合物而构成的层。在这样的基底层15为在基材 13上所成膜的层的情况下、作为其成膜方法，可以举出：使用涂布法、喷墨法、涂敷法、浸渍 法等的湿法的方法、及使用蒸镀法（电阻加热、EB法（电子束蒸镀法）等）、溅射法、CVD法 (化学气相蒸镀法）等干法的方法等。其中，可优选使用蒸镀法。
[0047] 基底层15的厚度只要可起到本发明的效果即可，优选可为0. Inm以上（1分子膜 以上）。基底层15的厚度的上限没有特别限制，但优选为1 μ m以下，更优选为IOOnm以下。 若基底层15的厚度为0. Inm以上（1分子膜以上），则构成导电图案部的银原子与构成基 底层的含有氮原子的化合物相互作用，银原子在基底层表面中的扩散距离减少，银的凝聚 受到抑制。因此，银层可通过单层生长型（FW型）的膜生长而成膜。若基底层15的厚度为 1 μ m以下，则可以在不损伤高的透光性的情况下，起到上述效果。
[0048] 构成基底层15的含有氮原子的化合物只要为分子内含有氮原子的化合物就没有 特别限定，但优选具有以氮原子作为杂原子的杂环的化合物。作为以氮原子作为杂原子的 杂环，可以举出：吖丙啶、吖丙因、吖丁啶、吖丁、氮杂环戊烷、唑、六氢吡啶、吡啶、氮杂环庚 烷、氮卓、咪唑、吡唑、噁唑、噻唑、咪唑啉、吡嗪、吗啉、噻嗪、喷哚、异吲哚、苯并咪唑、嘌呤、 喹啉、异喹啉、喹喔啉、噌啉、蝶陡、η 丫陡、咔唑、苯并-C-噌啉、吓啉、二氢吓酚、胆碱等。其 中，优选具有吡啶环的化合物。另外，更优选在化合物的末端具有以氮原子作为杂原子的杂 环。
[0049] 另外，作为如以上的具有以氮原子作为杂原子的杂环的化合物，特别优选为由下 述通式⑴?⑶表示的化合物。
[0050] [通式⑴]
[0051] 通式（1)
[0052] (Arl) n I-Yl
[0053] 在通式（1)的式中，nl表示1以上的整数，Yl在nl为1的情况下表示取代基，在 nl为2以上的情况下表示单纯的连接键或nl价的连接基团。Arl表示由后述的通式（A) 表示的基团，在nl为2以上的情况下，多个Arl可以相同，也可以不同。其中，由上述通式 (1)表示的化合物在分子内具有至少2个由3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环，
[0054] 在通式⑴中，作为由Yl表示的取代基的例子，可以举出：烧基（例如：甲基、乙 基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、己基、半基、十-烧基、十二烧基、十四烧基、十五烧基等）、 环烧基（例如：环戊基、环己基等）、稀基（例如：乙稀基、稀丙基等）、块基（例如：乙块基、 炔丙基等）、芳香族烃基（也称为芳香族碳环基、芳基等，例如：苯基、对氯苯基、均三甲苯 基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基、奧基、苊基、芴基、菲基、茚基、芘基、联苯基）、芳香族杂环 基（例如：呋喃基、噻吩基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、咪唑基、吡唑基、噻唑 基、喹唑啉基、咔唑基、咔啉基、二氮杂咔唑基（表示上述咔啉基的构成咔啉环的任意的碳 原子之一用氮原子替换了的基团）、酞嗪基等）、杂环基（例如：吡咯烷基、咪唑烷基、吗啉 基、卩惡唑烧基等）、烧氧基（例如：甲氧基、乙氧基、丙氧基、戊氧基、己氧基、半氧基、十_烧 氧基等）、环烷氧基（例如、环戊氧基、环己氧基等）、芳氧基（例如：苯氧基、萘氧基等）、烷 硫基（例如：甲硫基、乙硫基、丙硫基、戊硫基、己硫基、半硫基、十-烧硫基等）、环烧硫基 (例如：环戊硫基、环己硫基等）、芳硫基（例如：苯硫基、奈硫基等）、烧氧基撰基（例如：甲 氧基撰基、乙氧基撰基、丁氧基撰基、半氧基撰基、十-烧氧基撰基等）、芳氧基撰基（例如： 苯氧基羰基、萘氧基羰基等）、氨磺酰基（例如：氨基磺酰基、甲基氨基磺酰基、二甲基氨基 磺酰基、丁基氨基磺酰基、己基氨基磺酰基、环己基氨基磺酰基、辛基氨基磺酰基、十二烷基 氨基磺酰基、苯基氨基磺酰基、萘基氨基磺酰基、2-吡啶基氨基磺酰基等）、酰基（例如：乙 醜基、乙基撰基、丙基撰基、戊基撰基、环己基撰基、半基撰基、2_乙基己基撰基、十_烧基撰 基、苯基撰基、蔡基撰基、批陡基撰基等）、醜氧基（例如、乙醜氧基、乙基撰基氧基、丁基撰 基氧基、辛基羰基氧基、十二烷基羰基氧基、苯基羰基氧基等）、酰胺基（例如：甲基羰基氨 基、乙基撰基氣基、-甲基撰基氣基、丙基撰基氣基、戊基撰基氣基、环己基撰基氣基、2_乙 基己基羰基氨基、辛基羰基氨基、十二烷基羰基氨基、苯基羰基氨基、萘基羰基氨基等）、氨 基甲醜基（例如：氣基撰基、甲基氣基撰基、-甲基氣基撰基、丙基氣基撰基、戊基氣基撰 基、环己基氣基撰基、半基氣基撰基、2_乙基己基氣基撰基、十_烧基氣基撰基、苯基氣基撰 基、蔡基氣基撰基、2 -批陡基氣基撰基等）、脈基（例如：甲基脈基、乙基脈基、戊基脈基、环 己基脲基、辛基脲基、十二烷基脲基、苯基脲基、萘基脲基、2-吡啶基氨基脲基等）、亚磺酰 基（例如：甲基亚磺酰基、乙基亚磺酰基、丁基亚磺酰基、环己基亚磺酰基、2-乙基己基亚磺 酰基、十二烷基亚磺酰基、苯基亚磺酰基、萘基亚磺酰基、2-吡啶基亚磺酰基等）、烷基磺酰 基（例如：甲基磺酰基、乙基磺酰基、丁基磺酰基、环己基磺酰基、2-乙基己基磺酰基、十二 烷基磺酰基等）、芳基磺酰基或杂芳基磺酰基（例如：苯基磺酰基、萘基磺酰基、2-吡啶基磺 酰基等）、氨基（例如：氨基、乙基氨基、二甲基氨基、丁基氨基、环戊基氨基、2-乙基己基氨 基、十二烷基氨基、苯胺基、萘基氨基、2-吡啶基氨基、哌啶基（也称为哌啶基）、2, 2, 6, 6-四 甲基哌啶基等）、卤素原子（例如：氟原子、氯原子、溴原子等）、氟代烃基（例如：氟甲基、 三氟甲基、五氟乙基、五氟苯基等）、氰基、硝基、羟基、巯基、甲硅烷基（例如：三甲基甲硅烷 基、二异丙基甲娃烧基、二苯基甲娃烧基、苯基-乙基甲娃烧基等）、憐酸醋基（例如：-己 基憐醜基等）、亚憐酸醋基（例如：-苯基氧勝基等）、勝醜基等。
[0055] 这些取代基可以被上述的取代基进一步取代。另外，这些取代基可以多个互相键 合而形成环。
[0056] 在通式⑴中，作为由Yl表示的nl价的连接基团，具体而言，可以举出2价的连 接基团、3价的连接基团、4价的连接基团等。
[0057] 在通式⑴中，作为由Yl表示的2价的连接基团，可以举出：亚烷基（例如：亚乙 基、三亚甲基、四亚甲基、亚丙基、乙基亚乙基、五亚甲基、六亚甲基、2, 2, 4-三甲基六亚甲 基、七亚甲基、八亚甲基、九亚甲基、十亚甲基、i^一亚甲基、十二亚甲基、亚环己基（例如： 1，6-环己烷二基等）、亚环戊基（例如：1，5-环戊烷二基等）等）、亚烯基（例如：亚乙烯基、 亚丙烯基、亚丁烯基、亚戊烯基、1-甲基亚乙烯基、1-甲基亚丙烯基、2-甲基亚丙烯基、1-甲 基亚戊烯基、3-甲基亚戊烯基、1-乙基亚乙烯基、1-乙基亚丙烯基、1-乙基亚丁烯基、3-乙 基亚丁烯基等）、亚炔基（例如：亚乙炔基、1-亚丙炔基、1-亚丁炔基、1-亚戊炔基、1-亚己 炔基、2-亚丁炔基、2-亚戊炔基、1-甲基亚乙炔基、3-甲基-1-亚丙炔基、3-甲基-1-亚丁 炔基等）、亚芳基（例如：邻亚苯基、对亚苯基、萘二基、蒽二基、丁省二基、芘二基、萘基萘二 基、联苯二基（例如：[1，1' _联苯]_4, 4' -二基、3, 3' -联苯二基、3, 6_联苯二基等）、二 联苯二基、四联苯二基、五联苯二基、六联苯二基、七联苯二基、八联苯二基、九联苯二基、十 联苯二基等）、亚杂芳基（例如：从由咔唑环、咔啉环、二氮杂咔唑环（也称为一氮杂咔啉 环，表示构成咔啉环的碳原子之一以氮原子替换了的构成的环构成）、三唑环、吡咯环、吡啶 环、吡嗪环、喹喔啉环、噻吩环、噁二唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、吲哚环构成的组衍 生的2价的基团等）、由氧及硫等硫属元素原子、3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族 杂环衍生的基团等（在此，作为3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环，优选为含有 选自N、0及S的杂原子作为构成稠合环的元素的芳香族杂稠合环，具体而言，吖啶环、苯并 喹啉环、咔唑环、吩嗪环、菲陡环、邻二氮菲环、咔啉环、哌嗪环、喹叨啉环、哌唑嗪环、喹宁叨 啉环、三苯二噻嗪环、三苯二噁嗪环、菲咯啉环、二蒽并哒嗪环、伯啶环、二氮杂咔唑环（表 示构成咔啉环的碳原子的任意一个以氮原子替换了的基团）、邻二氮菲环、二苯并呋喃环、 二苯并噻吩环、萘并呋喃环、萘并噻吩环、苯并二呋喃环、苯并二噻吩环、萘并二呋喃环、萘 并二噻吩环、蒽并呋喃环、蒽并二呋喃环、蒽并噻吩环、蒽并二噻吩环、噻嗯环、吩噁嗪环、萘 并噻吩环（萘并噻吩环）等）。
[0058] 在通式（1)中，作为Yl表示的3价的连接基团，例如可以举出：乙烷三基、丙烷三 基、丁烷三基、戊烷三基、己烷三基、庚烷三基、辛烷三基、壬烷三基、癸烷三基、十一烷三基、 十二烧二基、环己烧二基、环戊烧二基、苯二基、蔡二基、批陡二基、咔唑二基等。
[0059] 在通式（1)中，作为由Yl表示的4价的连接基团，为对上述的3价的基团进一步 赋予一个键合基而成的基团，例如可以举出：丙烷二亚基、1，3-丙烷二基-2-亚基、丁烷二 亚基、戊烷二亚基、己烷二亚基、庚烷二亚基、辛烷二亚基、壬烷二亚基、癸烷二亚基、i^一烷 二亚基、十二烷二亚基、环己烷二亚基、环戊烷二亚基、苯四基、萘四基、吡啶四基、咔唑四基 等。
[0060] 予以说明，上述的2价的连接基团、3价的连接基团、4价的连接基团可以分别进一 步具有在通式（1)中由Yl表示的取代基。
[0061] 作为由通式（1)表示的化合物的优选的方式，优选Yl表示由3环以上的环进行稠 合而成的稠合芳香族杂环衍生的基团，作为该3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂 环，优选二苯并呋喃环或二苯并噻吩环。另外，优选nl为2以上。
[0062] 进而，由通式（1)表示的化合物在分子内具有至少2个上述的3环以上的环进行 稠合而成的稠合芳香族杂环。
[0063] 另外，在Yl表示nl价的连接基团的情况下，为了高地保持由通式（1)表示的化合 物的三重态激发能量，Yl优选为非共轭，进而，从提高Tg(也称为玻璃化转变点、玻璃化转 变温度）的观点考虑，优选由芳香环（芳香族烃环+芳香族杂环）构成。
[0064] 在此，所谓非共轭，是指连接基团无法由单键（也称为单键）和双键的重复来表 记、或构成连接基团的芳香环彼此的共轭被空间上切割的情况。
[0065] [由通式㈧表示的基团]
[0066] 通式（1)中的Arl表示由下述通式⑷表示的基团。
[0067] [化学式1]
[0068] 通式⑷
[0069]
【权利要求】
1. 一种透光性导电图案部件，其具备： 使用含有氮原子的化合物而构成的基底层、 使用银或以银为主要成分的合金而在所述基底层上的至少一部分上设置的具有透光 性的导电图案部。
2. 如权利要求1所述的透光性导电图案部件，其中，所述导电图案部的膜厚为4nm以上 且9nm以下。
3. 如权利要求1或2所述的透光性导电图案部件，其特征在于，所述含有氮原子的化合 物具有以氮原子作为杂原子的杂环。
4. 如权利要求1?3的任一项所述的透光性导电图案部件，其特征在于，所述含有氮原 子的化合物含有具有吡啶环的基团。
5. 如权利要求1?4的任一项所述的透光性导电图案部件，其特征在于，所述含有氮原 子的化合物为由下述通式（1)表示的化合物； [化学式1] 通式（1) (Arl)nl-Yl 在通式（1)的式中，nl表示1以上的整数，Yl在nl为1的情况下表示取代基、在nl为 2以上的情况下表示单纯的连接键或nl价的连接基团；Arl表示由下述通式（A)表示的基 团，在nl为2以上的情况下，多个Arl可以相同也可以不同；其中，所述由通式⑴表示的 化合物在分子内具有至少2个由3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环， [化学式2] 通式⑷
在通式⑷的式中，X表示-N(R)-、-0-、-S-或-Si (R) (R'）-，El?E8表示-C (Rl)= 或-N =，R、R'及Rl表示氢原子、取代基或与Yl的连接部位；*表示与Yl的连接部位，Y2 表示单纯的连接键或2价的连接基团；Y3及Y4分别表示由5元或6元的芳香族环衍生的 基团，至少一者表示由含有氮原子作为环构成原子的芳香族杂环衍生的基团；n2表示1?4 的整数。
6. 如权利要求5所述的透光性导电图案部件，其中，所述由通式（1)表示的化合物为由 下述通式（2)表示的化合物； [化学式3] 通式（2)
在上述通式（2)的式中，Y5表示亚芳基、亚杂芳基或由这些的组合构成的2价的连接 基团；Ε51?Ε66分别表示-C(R3)=或-N =，R3表示氢原子或取代基；Υ6?Υ9分别表示 由芳香族烃环衍生的基团或由芳香族杂环衍生的基团，Y6或Y7的至少一者及Y8或Y9的至 少一者表示由含有N原子的芳香族杂环衍生的基团；n3及n4表示O?4的整数，但n3+n4 为2以上的整数。
7. 如权利要求6所述的透光性导电图案部件，其中，所述由通式（2)表示的化合物为由 下述通式（3)表示的化合物； [化学式4] 通式（3)
在上述通式（3)的式中，Y5表示亚芳基、亚杂芳基或由这些的组合构成的2价的连接 基团；E51?E66、E71?E88分别表示-C(R3)=或-N=，R3表示氢原子或取代基；其中， E71?E79的至少1个及E80?E88的至少1个表示-N = ;n3及n4表示O?4的整数，但 n3+n4为2以上的整数。
8. 如权利要求1?7的任一项所述的透光性导电图案部件，其特征在于，其形成于透明 树脂膜上。
9. 一种透光性导电图案部件的制造方法，其特征在于，其为具备使用含有氮原子的化 合物而构成的基底层、和使用银或以银为主要成分的合金而在所述基底层上的至少一部分 上设置的具有透光性的导电图案部的透光性导电图案部件的制造方法，其中， 在所述基底层上通过蒸镀法而形成银或以银为主要成分的合金层。
10. -种透光性导电图案部件的制造方法，其特征在于，其为具备使用含有氮原子的化 合物而构成的基底层、和使用银或以银为主要成分的合金而在所述基底层上的至少一部分 上设置的具有透光性的导电图案部的透光性导电图案部件的制造方法， 在所述基底层上形成了的银或以银为主要成分的合金层是经由形成了图案的掩模而 通过蒸镀法来形成为导电图案部的。
11. 一种透光性导电图案部件的制造方法，其特征在于，其为具备使用含有氮原子的 化合物而构成的基底层、和使用银或以银为主要成分的合金而在所述基底层上的至少一部 分上设置的具有透光性的导电图案部的透光性导电图案部件的制造方法， 在所述基底层上形成银或以银为主要成分的合金层后， 在所述导电图案部以外的区域将脱银液进行图案印刷， 接着，进行水洗，由此形成导电图案部。
12. -种透光性电磁屏蔽部件，其特征在于，使用有权利要求1?8的任一项所述的透 光性导电图案部件。
13. -种透光性频率选择性电磁屏蔽部件，其特征在于，使用有权利要求1?8的任一 项所述的透光性导电图案部件。
14. 一种透光性天线部件，其特征在于，使用有权利要求1?8的任一项所述的透光性 导电图案部件。
【文档编号】H01Q17/00GK104396358SQ201380020451
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2013年4月5日 优先权日:2012年4月18日
【发明者】小山博和 申请人:柯尼卡美能达株式会社