半导体晶片和封装拼板式基台的制作方法

文档序号:11161522阅读:1048来源:国知局
半导体晶片和封装拼板式基台的制造方法与工艺

本发明的实施方案涉及用于将半导体晶片和/或晶片封装电连接到其所用于的电路的装置和方法。



背景技术:

半导体器件,无论是单组件架构或多组件半导体集成电路(IC)(下文通称为IC),典型地以包含器件的大量复制件的阵列形成在半导体晶片上。通过示例的方式,半导体晶片可以由Si、GaAs或GaN形成。在IC形成之后,晶片分离、“切割”成块,称为“晶片”,其中晶片均包括形成在晶片上的IC的单个复制件。包括在晶片中的需要与外部电路电连接的IC的组件,诸如晶体管的源极、漏极和栅极,电连接到形成在晶片表面上的、也称为晶片焊盘(die pad)的导电接触焊盘,其中IC与该外部电路一起工作。晶片典型地安装到基台上并且通过用保护性环氧树脂或塑料铸封或成型而与基台一起封装在“晶片封装”中。基台机械地支撑晶片以及从封装延伸出或者以其他方式从晶片封装外轻易接近的导电封装引线或焊料凸点(solder bump)。晶片封装引线或焊料凸点用来将“封装的晶片”与外部电路电连接,晶片将要与外部电路一起使用且通过导电键合线与晶片接触焊盘电连接。键合线通常由铜(Cu)、铝(Al)或金(Au)形成。注意的是,晶片封装不限于包括单个晶片,可以包含多于一个晶片,其任选地彼此电连接以及具有用于将封装和晶片连接到外部电路的接触焊盘、焊料凸点和/或封装引线。

然而,封装之前的晶片可以称为“裸片”,封装后的晶片或晶片封装可以称为“芯片”,常规地晶片与芯片之间的区别常模糊化,芯片、晶片和晶片封装经常可互换使用。除非特别指出或者按照上下文,晶片或裸片称为“裸片”,“晶片封装”称为封装晶片(或多个),并且“芯片”一般地是指裸片和晶片封装。

提供当今的多种军事、空间和民用应用的器件,诸如雷达、通信网络元件、计算机、手机、笔记本和平板设备通常需要电子电路,该电子电路包括各种不同的芯片和诸如无源电路元件的电子组件,通常称为“无源器件”,以及提供器件所直线的应用所需的不同功能的其他电子组件。一些设备需要数字功能和模拟功能以及对应的数字芯片和模拟芯片。例如,手机需要用于其RF前端系统以及数字音频和视频信号处理器的模拟电路元件。随着当今许多器件尺寸缩小,和/或配置为提供用于其操作者的较大视频接口,可供用于容纳配合以提供器件的应用的芯片和关联的电路元件以及为所述芯片和关联的电路元件供电的空间和电源减小。

由于可供器件电路使用的空间和电力减少所产生的约束通常可以通过生产具有较小占位面积的电子电路来满足。占位面积指的是电路在支撑有电路的印刷电路板上所占据的面积。减小电路占位面积可以通过减少其组件的占位面积和/或提高组件的包装密度俩实现。一般地,通过将电子电路中的各芯片和电路元件的架构形成为单片集成电路的组件来提供给定电子电路的占位面积的期望程度的减小是不可能的或者无益的。不同的芯片架构可能需要不同的、非兼容的制造工艺。另外,试图复制提供作为单片集成电路的组件架构的所需电路功能的已知运行芯片的可靠性和性能通常是不现实的。

作为单片全集成电路的替代,行业已经发展了用来降低当前多种器件的空间和功率要求的多芯片模块(MCM)或系统级封装(SIP),下文通称为MCM。MCM是一种包括组装到共同的衬底或一叠共享衬底上的多个芯片和/或关联的电子组件的电子系统。通过示例的方式,在本领域可称为“中介层”的衬底可以是印刷电路板(PCB),或者由包含适合的导电迹线图案的如陶瓷、Si、GaAs或GaN的适合的材料形成的薄的或厚的板。一个或多个衬底上的芯片和电子组件利用常规技术彼此电连接且与导电迹线电连接。迹线被设计,芯片和组件定位成相对于芯片和组件作为按常规方式组装在PCB上的单个元件所具有的占位面积减少MCM组件的占位面积,并且使得芯片和组件可以共享共同的电力和热消散资源。在二次成型工艺中封装组装好的芯片和组件,使得MCM出现且充当单晶片封装。

发明概述

本发明的实施方案的方面涉及提供具有相对小的占位面积的基台,半导体芯片和/或无源器件可以安装到所述基台上,用于将半导体器件连接到外部电路。

在本发明的实施方案中,基台包括具有两个相对大的面表面以及相对窄的边缘表面的平面绝缘衬底。在作为凹槽边界的表面(下面还称为“凹槽表面”)的至少一部分上具有导电“接触层”的凹槽沿着衬底的边缘表面形成。凹槽表面上的接触层可以通过至少一个导电元件电连接到衬底的面表面上的至少一个焊盘。任选地,至少一个导电元件包括位于衬底的面表面上的导电迹线。在本发明的实施方案中,至少一个导电元件包括位于衬底内的内导电元件。任选地,衬底是包括夹在绝缘材料层之间的导电材料图案层的多层衬底,内导电元件包括图案层区域。

连接到接触层的焊盘可以电连接到安装于面表面上的晶片、和/或晶片封装、和/或无源器件,以将晶片、晶片封装和/或无源器件电连接到接触层。晶片或晶片封装上的焊块可用来将晶片或晶片封装与衬底焊盘电连接,或者焊盘可以通过键合线与晶片或晶片封装电连接。晶片和/或晶片封装、和/或无源器件可以通过将凹槽接触层电连接到外电路的电触头而电连接到外电路,电触头可以是连接有外电路的PCB上的迹线。下面,根据本发明的实施方案形成在基台的衬底中且具有用于使安装到衬底上的晶片和/或晶片封装、和或无源器件与外部电路电接触的接触层的凹槽可以称为“接触底板”。限定接触底板的界限的凹槽表面可称为“接触底板表面”或“底板表面”。

在本发明的实施方案中,基台可以形成为具有多个接触底板和/或可以构造为具有安装到其衬底上的多个芯片和/或无源器件。任选地,衬底的两个面表面构造为使得它们安装有芯片和/或无源器件并且将芯片和/或无源器件连接到基台的接触底板。根据本发明的实施方案的具有一个或多个接触底板的基台具有让人联想到拼板式玩具件的形状并且下文可称为“拼板式基台”。下面,虽然参考芯片描述了到拼板式基台的电连接而没有明确参考其他类型的电组件,但是本发明的实施方案的实践不限于实现芯片与拼板式基台的电连接。一般地,可以实现类似于针对芯片所描述的那些拼板式基台的拼板式基台到诸如各种无源器件的其他电组件的电连接。

根据本发明的实施方案的拼板式基台的接触底板可以具有各种不同形状和尺寸中的任一种以及接触层,并且可以构造为在特定工作条件下有益地起作用。例如,与拼板式基台衬底的一个或两个面表面上的相对大量的迹线形成接触或者支撑相对大的电流所要求的接触底板可设计成具有相对大的底板表面。另一方面,预期与一个或相对少量的迹线接触或者预期支撑大电流的接触底板可以具有相对小的底板表面。承载高频信号所要求的第一接触底板可以形成为具有相对小的底板表面且沿着紧靠近载有高频信号的类似的第二接触底板的拼板式基台的边缘定位,任选地180°异相,信号由第一接触底板承载。第一接触底板和第二接触底板的尺寸和接近度可以降低接触底板的电感。接触底板表面还可以定形成提供利于匹配拼板式基台的面表面上的迹线构造的几何结构。底板表面可以例如具有圆形的或多线的形状,其经修整而匹配期望的迹线布局。圆形的底板表面是具有大致为圆弧的边缘的底板表面。多线底板表面是具有大致为多线的边缘的底板表面。

通过提供用于将芯片连接到外部电路的沿着拼板式基台的边缘的接触底板,拼板式基台的两个面表面的区域变得可供将芯片安装到拼板式基台上。另外,底板的底板表面增加了可供将安装到拼板式面表面上的芯片电连接到外部电路的拼板式边缘表面的表面积。结果,根据本发明的实施方案的具有给定面表面的拼板式基台可以安装有并且提供在具有相对小的占位面积的空间构造中用于多个芯片的电连接。

本发明的实施方案的方面涉及到提供母板,任选地称为“拼板式母板”,拼板式基台可以安装到母板上以将它们所包含的各个芯片电连接且配置提供期望的功能或成套功能的电路。在本发明的实施方案中,拼板式母板包括位于母板的面表面上用于与接触底板形成接触的导电接触区域,下文称为“接触触点(contact land)”。当接触底板定位在接触触点上时使适合的焊料流到接触触点上使得焊料流动且湿化接触底板的接触层形成了触点与接触底板的接触层之间的电连接。接触触点可以通过适合的导电迹线连接到母板上的导电触头,该导电触头将母板电连接到可以插入母板的插座的对应触头以及因此将触点电连接到可以插入母板的插座的对应触头。通过示例的方式,拼板式母板上的导电触头可以是类似于用来将常规PCB连接到计算机母板的扩展槽的常规的边缘连接器的边缘连接器。

在本发明的实施方案中,拼板式母板可以形成为具有凹槽,当基台安装到母板上时,拼板式基台上的芯片安置到所述凹槽中。形成为具有这种凹槽的拼板式母板可以支撑将芯片安装到拼板式基台的两个面表面上的拼板式基台。

在论述中,除非特别指出,修饰本发明的实施方案的一个或多个特征的条件或关系特征的如“大致”和“大约”的副词应理解为意指条件或特征被限定成对于预期的应用实施方案的操作可接受的容差内。

提供该概述以便通过下面的详述进一步描述的简化形式来引入构思的选择。该概述不意在确定权利要求主题的关键特征或主要特征,也不意在用来限制权利要求主题的范围。

附图说明

下面参考该段之后列出的附于此的附图来描述本发明的实施方案的非限制示例。在多于一个的图中出现的相同的结构、元件或零件通常在它们出现的所有图中由相同的标号来标记。在图中标记代表本发明的实施方案的给定特征的图标的标签可用来指代该给定特征。为方便以及清晰呈现来选择在图中显示的组件和特征的尺寸,不必按比例显示。

图1A和1B示意性地示出了根据本发明的实施方案的形成为具有多个接触底板且构造为在两个面表面上安装有裸片或晶片封装的拼板式基台的第一面表面和第二面表面的立体图;

图2A-2D示意性地图示出根据本发明的实施方案的将晶片封装安装到图1A和1B所示的拼板式基台的第一面表面上;

图3A-3D示意性地显示出将裸片安装到图1A-1B所示的拼板式基台的第二面表面上;

图4A-4C示意性地示出了根据本发明的实施方案将晶片封装和裸片安装到拼板式基台的第一和第二表面的拼板式基台安装到拼板式母板上;

图5A示意性地显示出根据本发明的实施方案的形成为具有用于接收安装到拼板式基台上的芯片的凹槽的拼板式母板;

图5B示意性地示出了根据本发明的实施方案的安装有拼板式MCM的图5A所示的拼板式母板;以及

图5C示意性地示出了根据本发明的实施方案的具有刻面边缘的图5A所示的拼板式母板。

发明详述

图1A和1B示意性地示出根据本发明的实施方案的用于将裸片和/或晶片封装电连接到晶片或晶片封装预期与其一起工作的电路的拼板式基台20的立体图。拼板式基台20可以包括衬底30,该衬底30形成为具有多个接触底板,一般由标号40来标记,该接触底板沿着衬底的边缘表面34形成。通过示例的方式,接触底板40包括一行相对小的矩形接触底板41、相对大的矩形、弯曲接触底板42和43、矩形接触底板44以及半圆形接触底板45。每个接触底板40均包括导电层,即,接触层49,其覆盖了接触底板的底板表面的至少一部分,用于提供与基台以及与可以安装到拼板式基台上的裸片和/或晶片封装的电接触。

通过示例的方式,衬底30构造为使得裸片和/或晶片封装可以安装到图1A所示的衬底的第一面表面31、和/或图1B所示的衬底的第二面表面32。第一面表面31任选地具有圆形接触焊盘51的阵列50以及矩形接触焊盘53的阵列52。接触焊盘51或53可以电连接到接触底板40的接触层49,并且可以通过例如焊接到晶片或晶片封装上的接触焊盘、焊料块或封装引线而电连接到晶片或晶片封装,从而将晶片或晶片封装连接到接触底板。类似地,图1B所示的第二面表面32具有用于将晶片或晶片封装连接到拼板式基台20的接触底板的接触焊盘55。

接触焊盘51、或53可以通过如图1A示意性示出的衬底30的第一面表面31上的导电迹线61或者通过衬底30内的内导体(未示出)而电连接到接触底板40的导电层49。类似地,图1B所示的第二面表面32上的接触焊盘55可以通过第二面表面上的导电迹线62而电连接到接触底板40的导电层49上。衬底30可以利用本领域已知的方法形成为多层衬底,包括夹在绝缘材料层之间的导电材料图案层以提供用于将接触焊盘51、53或55连接到接触底板40的接触层49上的内导体(未示出)。接触焊盘51或53可以通过适合的通孔电连接到内接触层。

衬底的接触焊盘也可以通过导电迹线、键合线或内导体而连接到衬底的另一接触焊盘,从而将安装于衬底上的芯片的不同组件或者两个不同芯片的组件电连接。例如,拼板式基台20的第一表面31包括两个导电迹线63,其中每个迹线将圆形接触焊盘51连接到矩形接触焊盘53。通过将一个或多个芯片的适合的接触焊盘焊接到由导电迹线连接的接触焊盘,每个迹线63和迹线所连接的圆形以及方形的接触焊盘51和53可用来将同一芯片或不同芯片中的组件连接。

如图1A和1B中所示的拼板式基台20中形成的接触底板40的各种形状所表明的,根据本发明的实施方案的接触底板可以形成为具有不同的形状和/或尺寸以及由具有不同的导电性和不同的厚度的材料形成的接触层。接触底板可以呈现的各种形状和尺寸可以响应于期望接触底板支持的工作条件来确定。例如,可能要求拼板式基台20中的较大的矩形接触底板42为安装到第一面表面31和/或第二面表面32上的一个或多个芯片中的相对较大数量的场效应晶体管(FET)的大电流提供支撑。可能需要较大的弯曲的接触底板43来为FET的漏极端子提供到电源的接触以及承载相对较大的漏极电流,该电源提供漏极电压VDD。可能需要相对较小的接触底板41来提供承载由控制电路发送到FET的栅极的高频控制信号的电触头。

通过数值示例的方式,假设拼板式基台的接触底板的导电层要用来提供等于约5伏特的电压(通常称为电压Vdd)到安装于拼板式基台上的一个或多个芯片且承载等于约1A(安培)的峰值电流。进一步假设要求接触底板在从等于约20°的室温到等于约80℃的最大工作温度的温度范围内工作。底板的接触层可以由在25°下具有等于约19.2nΩm(纳欧姆表)的电阻以及等于约0.393%的每K/度的每度开尔文的导电率变化的温度系数的铜形成。然后,接触底板表面可以有益地具有等于约0.32mm(毫米)的长度以及等于约35μm(微米)的厚度。

注意的是,一般地,形成具有圆形底板表面的接触底板更容易且更廉价。然而,对于沿着拼板式基台的边缘的给定长度,具有多线底板表面的接触底板能够提供具有比圆形底板表面大或者实质上大的面积的底板表面。

图2A-2D示意性地图示出将晶片封装80和90安装到图1A和1B所示的拼板式基台20的第一面表面31上。图2A示出了在图1A所示的视角上的拼板式基台。图2B和2C分别示意性地示出了晶片封装80和90。晶片封装80形成为具有在晶片封装的“底”面82上的任选的圆形接触焊盘81,该圆形接触焊盘81匹配拼板式基台20的第一面表面31上的圆形接触焊盘51。晶片封装90形成为具有在晶片封装的“底”面92上的任选的方形接触焊盘91,该方形接触焊盘91匹配拼板式基台20的第一表面31上的方形接触焊盘53。晶片封装80置于拼板式基台第一面表面31上,使得晶片封装80的底面82的圆形接触焊盘81接触拼板式基台20的第一表面31上的同类的方形接触焊盘53。彼此接触的同类接触焊盘利用诸如热焊接和/或超声焊接的各种焊接技术中的任一种焊接在一起,以将封装芯片80的接触焊盘与拼板式基台20的同类接触焊盘51电连接且机械连接,以及将晶片封装80与拼板式基台的期望的接触底板40电连接。类似地,晶片封装90的方形接触焊盘91被置于与拼板式基台20的同类方形接触焊盘53相接触以及电结合且机械结合,从而将晶片封装90与拼板式基台的期望的接触底板40电连接。图2D示意性地示出了根据本发明的实施方案在安装到基台20上之后的晶片封装80和90。

图3A-3D示意性地图示出将裸片100安装到图1A和1B所示的拼板式基台20的第二表面32上。图3A示意性地示出了在图1B所示的视角上的拼板式基台20。图3B示意性地示出了裸片100具有接触焊盘101。裸片定位在第二面表面32上,如图3C示意性示出的,裸片上的接触焊盘101与第二面表面32上的接触焊盘55线焊接。本领域已知的各种线键合技术中的任一种,例如通过示例的球键合或楔形键合,可用来将裸片100上的接触焊盘101线键合到面表面32上的接触焊盘55。任选地,如图3D所示,在线键合之后,裸片100封装在保护外套102中。封装在保护外壳102中的裸片100可以称为封装芯片102。根据本发明的实施方案,安装有如芯片80、90和102的多个芯片的拼板式基台可以称为“拼板式多芯片模块”或拼板式MCM。安装有芯片80、90和102的拼板式几套20可称为“拼板式MCM 20”。

通过数值示例的方式,假设包括在拼板式MCM 20中的芯片80、90和102具有分别等于8mm×8mm、10mm×10mm和16mm×20mm的占位面积。假设需要围绕每个芯片80、90和102的1mm宽的周边来为将芯片电连接到基台和/或接触底板40上的其他芯片(图1A)的导电迹线取路径。因为芯片80、90和102安装到两个面表面30和32上(图2A、图2C、图3A、图3C、图3D),所以拼板式MCM 20可以具有等于约18mm×22mm的占位面积。

图4A-4C示意性地图示出根据本发明的实施方案的将拼板式MCM 20安装到拼板式母板200。拼板式母板200任选地形成为具有接收安装到拼板式基台20上的晶片封装80和90的两个凹槽201和202以及用于实现母板与拼板式基台20之间的电接触的导电触点210,该导电触点210匹配拼板式基台20的接触底板40。任选地,凹槽201和/或202是完全贯通母板200的“贯通凹槽”。在本发明的实施方案中,凹槽201和/或202是不完全贯通母板200且在母板中具有底面的“盲凹槽”。任选地,凹槽201和/或202的底部覆有热传导材料(未示出),其充当热沉或热导体,分别消散在晶片封装80和/或90运行期间所产生的热。热沉可以的导电的或电绝缘的。

触点210任选地包括一行相对小的方形触点211、相对大的矩形和半圆形触点212和213、小的方形触点214以及小的圆形触点215。触点211、212、213、214和215被定形且定位成分别与接触底板41、42、43、44和45匹配且提供到接触底板41、42、43、44和45的电接触(图4B)。图4B示意性地示出了在图2D中所示的立体中的拼板式基台20。图4C示出了安装到拼板式母板200上的拼板式MCM 20。

虽然显示拼板式母板200接收单个拼板式基台,但是拼板式母板可以构造为多个拼板式基台,并且提供到多个拼板式基台以及多个拼板式基台之间的电连接,每个拼板式基台均包括一个芯片或多个芯片,从而提供期望的电路。因为拼板式基台包括用于提供与安装到基台上的芯片的电接触的接触底板,所以产生期望的电路所要求的多个基台可以定位在拼板式母板上,相对紧靠在一起,使得期望的电路的特征在于相对较小的占位面积。

通过示例的方式,图5A示出了拼板式母板300,其构造为接收两个拼板式MCM 321和322并且提供用于两个拼板式MCM 321和322的电接触,两个拼板式MCM 321和322在图5B中显示为安装到拼板式母板300上。拼板式MCM 321和322任选地类似于具有芯片80、90以及封装芯片102的拼板式MCM 20,如图4B和图4C所示。图5A所示的拼板式母板300形成为具有用于接收芯片80和90的凹槽201和202以及用于接收封装芯片102的凹槽203。

任选地,拼板式母板300具有边缘连接器302,该边缘连接器包括接触指形件304以及触点211、212、214、215以及任选地具有由两个非通信圆相交而形成的面积的触点216。接触指形件304可以通过适当配置的导电迹线(未示出)或内导电层而电连接到拼板式母板上的适合的触点。触点构造为提供拼板式MCM 321和322之间以及拼板式MCM与边缘连接器302的接触指形件304之间的电接触。当然,拼板式触点可用来将除了MCM之外的组件电连接到母板300,彼此连接,和/或连接到接触指形件304。

在本发明的实施方案中,不是底板表面的拼板式基台的边缘表面的区域可以覆有导电层,使得当拼板式基台向上对接在边缘表面的区域上具有匹配的导电层的另一拼板式基台时,两个匹配的导电层碰触且将两个拼板式基台电连接。在拼板式衬底的边缘表面上的导电层可称为边缘表面导体。在图5B中,拼板式MCM 323和324具有拼板式衬底,芯片80、90、和100安装到拼板式衬底上,该拼板式衬底具有分别示意为323和324的边缘表面导体。在图5B中,边缘表面导体321和322碰触且将拼板式MCM 321和拼板式MCM 322电连接。当对接在一起时,焊料可以在边缘表面导体323与322之间流动,或者焊料可以被加热而熔化从而改善它们的电连接。在本发明的实施方案中,两个对接在一起的拼板式MCM可以通过形成将拼板式MCM的相应面表面上的接触焊盘电连接的导电迹线而直接连接。通过示例的方式,在图5B中,导电迹线330将拼板式MCM 321和322的相应的面表面上的接触焊盘331和332连接。

因为根据本发明实施方案的拼板式基台321和322提供了经由接触底板到安装于基台上的芯片的电接触,所以拼板式MCM可以定位在拼板式母板300上,紧邻近且基本上“对接”在一起,如图5B所示。结果,拼板式MCM占据了相对较小的占位面积。

值得注意的是,在拼板式基台20中,显示定位有接触层49的底板40(图1A)的底板表面垂直于面表面31和32。然而,根据本发明实施方案的拼板式基台不限于形成为具有底板表面垂直于拼板式基台的面表面的底板。接触底板的底板表面可以相对于其拼板式衬底的两个面表面中的一个成锐角。两个表面区域之间的夹角定义为表面的其相应法线之间的夹角,其中表面区域的法线是垂直于表面区域的、远离表面区域所定界的主体而指向的向量。相对于底板表面成锐角的面表面小于拼板式衬底的另一个、“较大的”面表面。接触底板相对于面表面成锐角取向的拼板式基台可以安装有接触拼板式母板的较小面表面以减小拼板式基台在拼板式母板上所占据的面积。

通过示例的方式,拼板式MCM 321具有关于拼板式MCM的底面表面341成锐角的成角度的边缘表面340。边缘表面340具有法线350,面表面341具有法线351。表面之间的锐角指示为法线350与351之间的角度α。在本发明的实施方案中,α大于约60°且小于90°。

在本发明的一些实施方案中,诸如拼板式MSM 321的边缘表面的边缘表面是刻面,边缘表面导体形成为覆盖一个刻面或一个刻面的区域。通过示例的方式,图5C示意性地示出了具有任选的两个刻面501和502的拼板式MSM 321的可能的边缘表面500的截面。刻面501由导电层覆盖而形成边缘表面导体510,该边缘表面导体510不覆盖刻面502。任选地,如果拼板式MSM 321是具有内导电层520的多层拼板式MSM,则刻面的边缘表面500将提供用于形成边缘表面导体500的相对有利的表面,使得其不与层520电接触。然后,根据本发明的实施方案,边缘表面导体510可用来提供到拼板式母板上的相邻的拼板式MSM的导电“对接”连接,而不将内层520连接到相邻的拼板式MSM。

值得注意的是,其中在上述说明中,描述并且显示了拼板式基台的边缘表面具有平面的、倾斜的或刻面的表面,根据本发明实施方案的拼板式基台不限于平面表面。通过示例的方式,根据本发明实施方案的拼板式基台的边缘表面可以包括弯曲或部分弯曲的表面。

在本申请的说明书和权利要求书中,各个动词“包括”、“包含”和“具有”及其词形变化,用来指示动词的一个或多个宾语不一定是完全的组件、元件的列表或者不一定是动词的一个或多个主语的部分。

在本申请中关于本发明的实施方案的描述是通过示例的方式提供的,而不意在限制本发明的范围。所描述的实施方案包括不同的特征,并不是在本发明的所有实施方案中都需要所有的特征。一些实施方案仅使用一些特征或者特征的可能的组合。所描述的本发明的实施方案的变型例以及包括在所描述实施方案中提到的不同特征组合的发明的实施方案对于本领域技术人员而言是显而易见的。本发明的范围仅由权利要求来限定。

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