表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管的制作方法
【专利摘要】本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
【专利说明】表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管
[0001]本申请是中国发明申请(发明名称:表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管，申请日:2010年2月11日；申请号:201010121441.9)的分案申请。
【技术领域】
[0002]示例性实施方式涉及表面改性剂、叠层结构体和包括该叠层结构体的晶体管、以及制造该叠层结构体的方法。
【背景技术】
[0003]近来，已通过根据蒸发、溅射在基板上提供具有功能材料的薄膜和根据光刻法将所述薄膜图案化来实行制造微器件例如半导体器件、集成电路、或有机电致发光显示器件的方法。
[0004]光刻法通常可通过如下实行:在基板上形成用于图案化的材料的薄膜；在所述薄膜上形成光刻胶层；在用具有预定或给定图案的光掩模覆盖所述光刻胶层的同时将所述光刻胶层曝光；用显影溶液将所述光刻胶层显影以提供光刻胶图案；利用所述光刻胶图案掩模蚀刻所述薄膜；以及除去不合需要的区域以提供具有所需图案的薄膜。然而，由于光刻法是复杂的方法并且需要在洁净室中实施，因此存在成本较高以及在能量和材料方面效率较低的问题。
[0005]作为可供选择的方法，已提出溶液方法例如印刷、滴落、卷对卷(roll-to-roll)方法、或喷墨印刷作为图案化方法，因为所述溶液方法可以相对低的成本和使用相对少量的能量实施。然而，所述溶液方法可为复杂的方法且难以提供精细的图案。
【发明内容】
[0006]示例性实施方式提供`表面改性剂、叠层结构体和包括该叠层结构体的晶体管、以及制造该叠层结构体的方法。示例性实施方式提供表面改性剂，通过该表面改性剂可不同地控制其表面特性。示例性实施方式提供可使用所述表面改性剂不同地控制其表面特性的叠层结构体。示例性实施方式提供包括所述叠层结构体的晶体管。示例性实施方式提供制造叠层结构体的方法，该叠层结构体的表面特性可通过使用所述表面改性剂不同地控制。
[0007]根据示例性实施方式，表面改性剂可包括由下面化学式I表示的化合物:
[0008][化学式I]
[0009]
【权利要求】
1.叠层结构体，包括: 至少一个薄膜，其包括选自由化学式2~化学式5之一表示的基团或其组合的基团: [化学式2]
2.权利要求1的叠层结构体，其中所述至少一个薄膜包括第一和第二薄膜，所述第二薄膜在所述第一薄膜的表面上。
3.权利要求2的叠层结构体，其中所述第二薄膜包括至少两个区域，所述区域具有彼此不同的表面特性。
4.权利要求1或2的叠层结构体，其中所述第一薄膜包括无机材料、有机材料、或者无机材料与有机材料的复合材料。
5.权利要求4的叠层结构体，其中所述有机材料包括塑料，和所述无机材料包括玻璃和金属的至少一种。
6.权利要求4的 叠层结构体,其中所述第一薄膜包括选自以下的一种:娃(Si)、招(Al)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)、镧(La)、钆(Gd)、钇(Y)、钛(Ti)、其组合、以及其氧化物。
7.权利要求3-5任一项的叠层结构体，其中所述第一和第二薄膜在基板上，所述基板由与所述第一薄膜相同的材料形成。
8.权利要求3的叠层结构体，其中所述至少两个区域包括第一和第二区域，所述第一区域具有由化学式3或化学式4表示的基团和第二区域具有由化学式5表示的基团。
9.权利要求8的叠层结构体，其中所述第一区域具有由化学式3表示的基团，所述叠层结构体进一步包括: 在所述第二区域上的金属层，所述金属层包括选自以下的至少一种金属:铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、钥(Mo)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、锡(Sn)、铟(In)、钴(Co)、铝(Al)、钼(Pt)、以及铌(Nb)。
10.权利要求8的叠层结构体，其中所述第一区域具有由化学式3表示的基团，所述叠层结构体进一步包括: 与所述第一区域结合的有机材料，所述有机材料包括并五苯、杂并苯、低聚噻吩、聚噻吩、聚亚苯基亚乙烯基和亚芳基碳二亚胺的至少一种。
11.权利要求3的叠层结构体，其中所述至少两个区域包括第一和第二区域，所述第一区域具有由化学式3或化学式4表示的基团和第二区域具有由化学式2表示的基团。
12.晶体管,包括: 权利要求1-11任一项的叠层结构体； 在所述第二区域上的金属层；和 在所述第一区域上的有机半导体
13.权利要求12的晶体管，其中所述金属层包括选自以下的至少一种金属:铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、钥(Mo)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、锡(Sn)、铟(In)、钴(Co)、招(Al)、钼(Pt)、以及铌(Nb)。
14.制造叠层结构体的方法，包括: 形成包括各自具有由下面化学式2表示的基团的第一区域和第二区域的至少一个薄膜；和在所述至少一个薄膜的第一区域上进行表面处理以将化学式2的基团转化为化学式3或4的基团，
15.权利要求14的方法，其中形成所述至少一个薄膜包括在第一薄膜的表面上形成第二薄膜，和在所述第二薄膜的第一区域上进行所述表面处理。
16.权利要求14的方法，其中进行所述表面处理包括使所述第二薄膜的第一区域暴露于H2等离子体或紫外(UV)光。
17.权利要求14的方法，进一步包括: 在进行所述表面处理之后，将所述第二薄膜的未进行所述表面处理的第二区域转化为化学式5的基团， [化学式5]
18.权利要求17的方法，其中使用掩模将所述第二薄膜的第一区域的表面暴露于H2等离子体，和所述第二区域的表面不暴露于H2等离子体，所述第一区域具有由化学式3表示的转化基团。
19.权利要求17的方法，其中使用掩模将所述第一区域的表面暴露于紫外(UV)光，和所述第二区域的表面不暴露于UV光，所述第一区域具有由化学式4表示的转化基团。
【文档编号】H01L51/30GK103730575SQ201410007030
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2010年2月11日 优先权日:2009年2月11日
【发明者】朴正一, 俞炳旭, 金渡桓, 李相润, 李芳璘, 郑银贞 申请人:三星电子株式会社