离子注入后的清洗方法
【专利摘要】本发明提供一种离子注入后的清洗方法，用于对离子注入后的半导体衬底进行清洗，所述清洗包括：利用SC-1溶液对半导体衬底进行清洗的步骤，以去除所述半导体衬底上由于电荷吸附造成的表面缺陷。利用本发明本的清洗方法，能够在离子注入后对半导体衬底进行清洗，去除半导体衬底表面的缺陷，提高半导体器件的良率。
【专利说明】离子注入后的清洗方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体【技术领域】，尤其涉及离子注入后的清洗方法。
【背景技术】
[0002]离子注入是半导体器件制作工艺过程中的重要工艺步骤，通过离子注入对半导体衬底进行掺杂，从而达到改变半导体衬底性能参数的目的。比如对半导体衬底进行锗注入，改变半导体衬底原有的性能参数。而对于现有技术而言，锗注入之后的一个较大的问题，就是无法在锗注入之后对半导体衬底进行有效的清洗，从而在半导体衬底上形成较大的缺陷，影响了最终形成的半导体器件的良率。
[0003]因此，需要一种清洗方法，能够在离子注入后对半导体衬底进行清洗，去除半导体衬底表面的缺陷，提高半导体器件的良率。
【发明内容】
[0004]本发明解决的问题是提供一种离子注入后的清洗方法，能够在离子注入后对半导体衬底进行清洗，去除半导体衬底表面的缺陷，提高半导体器件的良率。
[0005]为解决上述问题，本发明提供一种离子注入后的清洗方法，用于对离子注入后的半导体衬底进行清洗，所述清洗包括:利用SC-1溶液对半导体衬底进行清洗的步骤，以去除所述半导体衬底上由于电荷吸附造成的表面缺陷。
[0006]可选地，所述SC-1溶液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液。
[0007]可选地，利用所述SC-1溶液对所述半导体衬底进行清洗的时间范围为1-10分钟。
[0008]可选地，所述清洗时间范围为3-7分钟。
[0009]可选地，在执行所述SC-1清洗步骤之前，还包括利用SPM溶液对半导体衬底进行清洗的步骤。
[0010]可选地，所述SPM溶液为硫酸、双氧水和去离子水的混合溶液。
[0011]可选地，所述离子注入的离子为锗离子。
[0012]与现有技术相比，本发明具有以下优点:
[0013]本发明在离子注入后增加SC-1溶液对半导体衬底进行清洗，SC-1溶液能够有效去除半导体衬底表面由于电荷吸附造成的表面缺陷，将半导体衬底表面缺陷去除，有利于提高最终形成的半导体器件的良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1是本发明一个实施例的离子注入后的半导体衬底的清洗方法流程示意图。
【具体实施方式】
[0015]现有的锗注入之后半导体衬底上会由于电荷吸附形成微粒，由于缺少一种有效的清洗工艺对半导体衬底进行清洗以去除所述微粒，因而会在半导体衬底上形成缺陷，这些缺陷不仅会直接影响最终形成的半导体器件的良率，也会造成半导体工艺步骤之间的交叉污染，对半导体设备的性能产生影响。
[0016]为了解决上述问题，本发明提出一种离子注入后的清洗方法，用于对离子注入后的半导体衬底进行清洗，所述清洗包括:利用SC-1溶液对半导体衬底进行清洗的步骤，以去除所述半导体衬底上由于电荷吸附造成的表面缺陷。
[0017]下面结合具体实施例对本发明的技术方案进行详细地说明。为了更好滴说明本发明的技术方案，请参考图1所示的现有技术的离子注入后的半导体衬底的清洗方法流程示意图。
[0018]首先，提供待清洗的半导体衬底，所述半导体衬底为经过了离子注入工艺的半导体衬底。本实施例中，所述离子注入工艺为锗离子注入。当然，本发明的清洗方法还适用于种类离子注入工艺后的半导体衬底，适用于可能引起电荷吸附而形成微粒污染的离子注入工艺后的半导体衬底清洗。比如，所述清洗方法可以适用于硅离子的注入。
[0019]然后，参考图1，执行步骤S2，利用SPM溶液对半导体衬底进行清洗。作为一个实施例，所述SPM溶液为硫酸、双氧水和去离子水的混合溶液。利用SPM溶液能够去除半导体衬底表面的有机污染物和部分金属，但是无法有效去除由于电荷吸附引起的微粒。
[0020]接着，请参考图1，执行步骤S3，利用SC-1溶液对半导体衬底进行清洗。所述SC-1溶液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液。利用SC-1溶液可有效去除半导体衬底表面由于静电吸附引起的微粒缺陷。为了保证清洗的质量，所述SC-1溶液清洗的时间不应小于I分钟。但是SC-1溶液长时间浸泡衬底，也会造成半导体衬底表面粗糙、损伤半导体衬底表面。因此，利用所述SC-1溶液对所述半导体衬底进行清洗不应过长，本实施例中，利用所述SC-1溶液对半导体衬底的清洗时间不应超过10分钟。作为优选的实施例，所述利用所述SC-1溶液进行清洗的时间范围为3-7分钟，比如所述清洗时间可以为3分钟、5分钟或者7分钟，具体可以根据工艺进行调整。在上述清洗时间范围内，可以对半导体衬底进行有效清洗，去除其表面由于电荷吸附引起的缺陷。
[0021]综上，本发明在离子注入后增加SC-1溶液对半导体衬底进行清洗，SC-1溶液能够有效去除半导体衬底表面由于电荷吸附造成的表面缺陷，将半导体衬底表面缺陷去除，有利于提高最终形成的半导体器件的良率。
[0022]因此，上述较佳实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种离子注入后的清洗方法，用于对离子注入后的半导体衬底进行清洗，其特征在于，所述清洗包括:利用SC-1溶液对半导体衬底进行清洗的步骤，以去除所述半导体衬底上由于电荷吸附造成的表面缺陷。
2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述SC-1溶液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液。
3.如权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，利用所述SC-1溶液对所述半导体衬底进行清洗的时间范围为1-10分钟。
4.如权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗时间范围为3-7分钟。
5.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在执行所述SC-1清洗步骤之前，还包括利用SPM溶液对半导体衬底进行清洗的步骤。
6.如权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述SPM溶液为硫酸、双氧水和去离子水的混合溶液。
7.如权利所述I所述的清洗方法，所述离子注入的离子为锗离子。
【文档编号】H01L21/02GK104078327SQ201410163488
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2014年4月22日 优先权日:2014年4月22日
【发明者】沈晓明, 罗飞 申请人:上海华力微电子有限公司