一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板包括：栅金属层；栅绝缘层；源漏金属层，与所述栅金属层同层设置的第一公共电极线；设置于所述栅绝缘层上、与所述第一公共电极线对应的第一过孔；位于所述第一过孔中的源漏金属填充部；与所述第一过孔连通的第二过孔；透明连接部；其中，所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部电连接。本发明的结构可以降低阵列基板上的过孔的深度，改善取向层扩散不均的问题。
【专利说明】一种阵列基板及其制作方法、显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]请参考图1，图1为现有技术中的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图，所述薄膜晶体管阵列基板包括:公共电极102，栅线103，与栅线103同层设置的公共电极线104，以及数据线105，其中，公共电极线104与公共电极102连接，以减小公共电极102的电阻。
[0003]上述结构的薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括以下步骤:
[0004]步骤Sll:在一基板上形成公共电极；
[0005]步骤S12:通过一次构图工艺在形成有公共电极的基板上形成栅金属层及公共电极线，所述栅金属层包括:栅电极和栅线；
[0006]步骤S13:在形成有栅金属层和公共电极线的基板上形成栅绝缘层；
[0007]步骤S14:在形成有栅绝缘层的基板上形成有源层；
[0008]步骤S15:在形成有源层的基板上形成源漏金属层，所述源漏金属层包括:源漏电极和数据线；
[0009]步骤S16:在形成有源漏金属层的基板上形成钝化层(PVX)，并形成贯通钝化层和栅绝缘层的过孔；
[0010]步骤S17:在形成有钝化层的基板上形成像素电极层及用于连接像素电极与漏电极的第一连接部以及用于连接栅金属层上的相邻的公共电极线的第二连接部。
[0011]请参考图2，图2为现有技术中的位于栅金属层的公共电极线的连接方式示意图。图中，101为基板，104为与栅金属层同层设置的公共电极线，106为栅绝缘层，107为钝化层，108为钝化层上的过孔，109为与像素电极层同层设置的第二连接部。
[0012]从图2中可以看出，钝化层107上形成的过孔108深度较大，导致过孔108处会呈现凸凹不平的样貌，从而会造成取向层(PI)扩散不均，严重影响显示面板(panel)的画面品质。比如在panel周边会出现周边取向层黑Mura,在像素区内会出现M24不良(现象为多条发生的竖向线性Mura，中间发黑两边发白)及白污溃(不连续呈麻点状的黑点)等不良。
[0013]因此，如何降低阵列基板上的过孔的深度，改善取向层扩散不均成为亟待解决的问题。
【发明内容】
[0014]有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，以降低阵列基板上的过孔的深度，改善取向层扩散不均的问题。
[0015]为解决上述技术问题，本发明的实施例提供一种阵列基板，包括:
[0016]栅金属层；
[0017]栅绝缘层；[0018]源漏金属层；
[0019]与所述栅金属层同层设置的第一公共电极线；
[0020]设置于所述栅绝缘层上、与所述第一公共电极线对应的第一过孔；
[0021]位于所述第一过孔中的源漏金属填充部；
[0022]与所述第一过孔连通的第二过孔；
[0023]透明连接部；
[0024]其中，所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部电连接。
[0025]其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括:钝化层，所述第二过孔形成于所述钝化层上。
[0026]其中，所述第一公共电极线与所述栅金属层同层同材料制成。
[0027]其中，所述源漏金属填充部与所述源漏金属层同层同材料制成。
[0028]其中，所述阵列基板还包括:
[0029]第一透明导电层；
[0030]其中，所述透明连接部与所述第一透明导电层同层同材料制成；
[0031 ]所述第一透明导电层为像素电极层或公共电极层。
[0032]其中，所述阵列基板还包括:
[0033]与所述源漏金属层同层同材料制成的第二公共电极线；
[0034]位于所述第一过孔中的源漏金属连接部；
[0035]其中，所述第二公共电极线通过所述第一过孔并借由所述源漏金属连接部与所述第一公共电极线电连接。
[0036]本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括:
[0037]在栅金属层形成第一公共电极线的步骤；
[0038]在栅绝缘层上形成与所述第一公共电极线对应的第一过孔的步骤；
[0039]在所述第一过孔中形成源漏金属填充部的步骤；
[0040]形成与所述第一过孔连通的第二过孔的步骤；
[0041]形成透明连接部的步骤；
[0042]其中，所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部电连接。
[0043]其中，所述第一公共电极线与所述栅金属层通过一次构图工艺形成。
[0044]其中，所述源漏金属填充部与所述源漏金属层通过一次构图工艺形成。
[0045]其中，所述方法还包括:
[0046]形成第一透明导电层的步骤；
[0047]其中，所述透明连接部与所述第一透明导电层通过一次构图工艺形成。
[0048]其中，所述方法具体包括:
[0049]通过一次构图工艺在一基板上形成栅金属层和多条第一公共电极线；
[0050]在形成有所述栅金属层和第一公共电极线的基板上形成栅绝缘层，并在所述栅绝缘层上形成与所述第一公共电极线对应的第一过孔；
[0051 ]在形成有所述栅绝缘层的基板上形成有源层；[0052]通过一次构图工艺在形成有所述有源层的基板上形成源漏金属层和源漏金属填充部，其中，所述源漏金属填充部位于所述第一过孔中；
[0053]在形成有所述源漏金属层和源漏金属填充部的基板上形成钝化层，并在所述钝化层上形成与所述第一过孔连通的第二过孔；
[0054]通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的基板上形成第一透明导电层和透明连接部，其中，所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部连接。
[0055]其中，所述方法还包括:
[0056]形成第二公共电极线和源漏金属连接部的步骤，所述源漏金属连接部位于所述第一过孔中，所述第二公共电极线通过所述第一过孔并借由所述源漏金属连接部与所述第一公共电极线连接；
[0057]其中，所述第二公共电极线和所述源漏金属连接部与所述源漏金属层通过一次构图工艺形成。
[0058]本发明还提供一种显示装置，包括上述薄膜晶体管阵列基板。
[0059]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0060]由于在与栅金属层同层设置的第一公共电极线的上方的过孔中填充了源漏金属填充部，使得第一公共电极线上方的过孔的深度降低，从而提高了阵列基板的平整度，进一步能够改善取向层扩散不均的问题，提高了显示质量。
【专利附图】
【附图说明】
[0061]图1为现有技术中的阵列基板的结构示意图。
[0062]图2为现有技术中的与栅金属层同层设置的公共电极线的连接方式示意图。
[0063]图3为本发明实施例的阵列基板的一结构示意图。
[0064]图4为本发明实施例的阵列基板的另一结构不意图；
[0065]图5为现有技术中的与栅线同层设置的公共电极线和与数据线同层设置的公共电极线的连接方式示意图。
[0066]图6为本发明实施例的与栅线同层设置的公共电极线和与数据线同层设置的公共电极线的连接方式示意图。
【具体实施方式】
[0067]为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0068]本发明实施例提供一种阵列基板，包括:
[0069]栅金属层；
[0070]栅绝缘层；
[0071]源漏金属层；
[0072]与栅金属层同层设置的第一公共电极线；
[0073]形成于栅绝缘层上、与所述第一公共电极线对应的第一过孔；
[0074]位于所述第一过孔中的源漏金属填充部；[0075]与所述第一过孔连通的第二过孔；
[0076]透明连接部；
[0077]其中，所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部电连接。
[0078]通过上述结构，由于在第一公共电极线上方的第一过孔中填充了源漏金属填充部，使得第一公共电极线上方的过孔(第一过孔+第二过孔)的深度降低，从而提高了阵列基板的平整度，进一步能够改善取向层扩散不均的问题，提高了显示质量。
[0079]上述实施例中，所述栅金属层包括栅线和栅极，所述第一公共电极线与栅线平行，并与公共电极连接，用以减小公共电极的电阻。所述第一公共电极线和所述栅金属层同层同材料制成。
[0080]所述源漏金属层包括源漏电极和数据线，所述源漏金属填充部和所述源漏金属层同层同材料制成。
[0081]本发明实施例的阵列基板还可以包括:第一透明导电层；
[0082]其中，所述透明连接部与所述第一透明导电层同层同材料制成；
[0083]所述第一透明导电层为像素电极层或公共电极层。
[0084]当本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板为ADS模式的阵列基板时，还可以包括:第二透明导电层，所述第二透明导电层可以与所述栅金属层同层设置。
[0085]请参考图3，图3为本发明实施例的阵列基板的一结构示意图，所述阵列基板包括:
[0086]基板201;
[0087]与栅金属层同层设置的第一公共电极线204 ；
[0088]栅绝缘层205 ；
[0089]形成于栅绝缘层205上、与所述第一公共电极线204对应的第一过孔206 ；
[0090]位于所述第一过孔206中的源漏金属填充部207 ；
[0091]钝化层210;
[0092]形成于钝化层210上与所述第一过孔206连通的第二过孔211 ;以及
[0093]透明连接部212。
[0094]其中，所述第一公共电极线204之间通过所述第二过孔211并借由所述透明连接部212及所述源漏金属填充部207电连接。
[0095]与图2中所示的阵列基板相比，可以看出，图3中所示的第一公共电极线204上方的过孔由于填充了源漏金属填充部207，深度明显降低。
[0096]上述实施例中示出的阵列基板包括与栅金属层同层设置公共电极线，与公共电极连接，以减小公共电极的电阻，此外，本发明实施例的阵列基板还可以同时包括与源漏金属层同层设置的公共电极线，进一步减小公共电极的电阻。
[0097]请参考图4，图4为本发明实施例的阵列基板的另一结构示意图，所述阵列基板包括:公共电极202，栅线203，与栅线203同层设置的第一公共电极线204，数据线208，以及与数据线208同层设置的第二公共电极线209，其中，第一公共电极线204和第二公共电极线209均与公共电极连接，以减小公共电极的电阻。
[0098]所述第二公共电极线209与所述数据线208平行，且所述数据线208同层同材料制成。
[0099]为了均衡公共电极线上的电压，第二公共电极线209还需要与第一公共电极线204连接。
[0100]请参考图5，图5为现有技术中的与栅线同层设置的公共电极线和与数据线同层设置的公共电极线的连接方式示意图。
[0101]图5中，101为基板，104为与栅线同层设置的公共电极线，106为栅绝缘层，110为有源层，111为与数据线同层设置的公共电极线，107为钝化层，112和113为形成于钝化层上的过孔，其中，109为透明导电层上的第三连接部，与栅线同层设置的公共电极线104通过钝化层上的过孔113和112并借由所述第三连接部109与与数据线同层设置的公共电极线111电连接。
[0102]从图5中可以看出，位于公共电极线104上方的过孔110也存在深度大的问题。
[0103]为解决上述问题，请参考6，本发明实施例的阵列基板还包括:位于所述第一过孔中的源漏金属连接部207 ;其中，与源漏金属层同层设置的第二公共电极线209可以借由所述源漏金属连接部207与所述第一公共电极线204电连接。图6中，213为有源层。
[0104]与图5中所示的阵列基板相比，可以看出，图6中所示的阵列基板中，不再需要在形成钝化层后，开设用于连接第一公共电极线和第二公共电极线的过孔，从而提高了阵列基板的平整度，进一步能够改善取向层扩散不均的问题，提高了显示质量。
[0105]本发明实施例还提供一种阵列基板的制作方法，包括:
[0106]在栅金属层形成第一公共电极线的步骤；
[0107]在栅绝缘层上形成与所述第一公共电极线对应的第一过孔的步骤；
[0108]在所述第一过孔中形成源漏金属填充部的步骤；
[0109]形成与所述第一过孔连通的第二过孔的步骤；
[0110]形成透明连接部的步骤；
[0111]其中，所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部电连接。
[0112]通过上述方法，由于在第一公共电极线上方的第一过孔中填充了源漏金属填充部，使得第一公共电极线上方的过孔(第一过孔+第二过孔)的深度降低，从而提高了阵列基板的平整度，进一步能够改善取向层扩散不均的问题，提高了显示质量。
[0113]优选的，所述第一公共电极线与所述栅金属层通过一次构图工艺形成。
[0114]优选的，所述源漏金属填充部与所述源漏金属层通过一次构图工艺形成。
[0115]优选的，所述方法还包括:
[0116]形成第一透明导电层的步骤；
[0117]其中，所述透明连接部与所述第一透明导电层通过一次构图工艺形成。
[0118]上述一次构图工艺的过程包括形成薄膜、涂覆光刻胶、曝光显影、刻蚀和剥离剩余的光刻胶的步骤。
[0119]优选地，所述方法具体包括:
[0120]步骤S21:通过一次构图工艺在一基板上形成栅金属层和第一公共电极线；所述栅金属层包括:栅线和栅电极；
[0121]步骤S22:在形成有所述栅金属层和第一公共电极线的基板上形成栅绝缘层，并在所述栅绝缘层上形成与所述第一公共电极线对应的第一过孔；
[0122]步骤S23:在形成有所述栅绝缘层的基板上形成有源层；
[0123]步骤S24:通过一次构图工艺在形成有所述有源层的基板上形成源漏金属层和源漏金属填充部，所述源漏金属填充部形成于所述第一过孔中，所述源漏金属层包括数据线、源电极、漏电极；
[0124]步骤S25:在形成有所述源漏金属层和源漏金属填充部的基板上形成钝化层，并在所述钝化层上形成与所述第一过孔连通的第二过孔；
[0125]步骤S26:通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的基板上形成第一透明导电层和透明连接部，其中，所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部连接。
[0126]现有技术中的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，是在形成钝化层后，形成贯通钝化层和栅绝缘层的深孔，然后在深孔中形成用于连接与栅金属层同层设置的公共电极线的第二连接部，该种方法形成的孔的深度较大，而，本发明实施例中，是在形成栅绝缘层后，首先在栅绝缘层上开设第一过孔，在形成源漏金属层时，在第一过孔中形成源漏金属连接部，然后在形成钝化层后，在钝化层上形成与第一开孔连通的第二开孔，由于第一开孔中填充有漏金属连接部，因而，使得第一公共电极线上方的过孔(第一过孔+第二过孔)的深度减小，
[0127]从而提高了阵列基板的平整度，进一步能够改善取向层扩散不均的问题，提高了
显示质量。
[0128]上述实施例中示出的阵列基板包括与栅金属层同层设置的第一公共电极线，与公共电极连接，以减小公共电极的电阻，此外，本发明实施例中的薄膜晶体管阵列基板还可以同时包括与源漏金属层同层设置的第二公共电极线，进一步减小公共电极的电阻。
[0129]为了均衡公共电极线上的电压，与源漏金属层同层设置的第二公共电极线还需要与第一公共电极线连接。
[0130]此时，本发明的方法还可以包括:
[0131]形成第二公共电极线和源漏金属连接部的步骤，所述源漏金属连接部位于所述第一过孔中，所述第二公共电极线通过所述第一过孔并借由所述源漏金属连接部与所述第一公共电极线连接；
[0132]其中，所述第二公共电极线和所述源漏金属连接部与所述源漏金属层通过一次构图工艺形成。
[0133]通过上述结构，不再需要在形成钝化层后，开设用于连接第一公共电极线和第二公共电极线的过孔，从而提高了阵列基板的平整度，进一步能够改善取向层扩散不均的问题，提高了显示质量。
[0134]另外，当本发明实施例的阵列基板为ADS模式的阵列基板时，本发明的方法还可以包括:形成第二透明导电层的步骤，所述第二透明导电层可以与所述栅金属层同层设置。
[0135]本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。所述显示装置可以为:液晶显示面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0136]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种阵列基板，包括栅金属层、栅绝缘层及源漏金属层，其特征在于，还包括: 与所述栅金属层同层设置的第一公共电极线； 设置于所述栅绝缘层上、与所述第一公共电极线对应的第一过孔； 位于所述第一过孔中的源漏金属填充部； 与所述第一过孔连通的第二过孔； 及透明连接部； 其中，所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括:钝化层，所述第二过孔形成于所述钝化层上。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极线与所述栅金属层同层同材料制成。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏金属填充部与所述源漏金属层同层同材料制成。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括: 第一透明导电层； 其中，所述透明连接部与所述第一透明导电层同层同材料制成； 所述第一透明导电层为像素电极层或公共电极层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括: 与所述源漏金属层同层同材料制成的第二公共电极线； 位于所述第一过孔中的源漏金属连接部； 其中，所述第二公共电极线通过所述第一过孔并借由所述源漏金属连接部与所述第一公共电极线电连接。
7.—种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在栅金属层形成多条第一公共电极线的步骤； 在栅绝缘层上形成与所述第一公共电极线对应的第一过孔的步骤； 在所述第一过孔中形成源漏金属填充部的步骤； 形成与所述第一过孔连通的第二过孔的步骤； 形成透明连接部的步骤； 其中，所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部电连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一公共电极线与所述栅金属层通过一次构图工艺形成。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述源漏金属填充部与所述源漏金属层通过一次构图工艺形成。
10.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括: 形成第一透明导电层的步骤； 其中，所述透明连接部与所述第一透明导电层通过一次构图工艺形成。
11.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法具体包括:通过一次构图工艺在一基板上形成栅金属层和第一公共电极线； 在形成有所述栅金属层和第一公共电极线的基板上形成栅绝缘层，并在所述栅绝缘层上形成与所述第一公共电极线对应的第一过孔； 在形成有所述栅绝缘层的基板上形成有源层； 通过一次构图工艺在形成有所述有源层的基板上形成源漏金属层和源漏金属填充部，其中，所述源漏金属填充部位于所述第一过孔中； 在形成有所述源漏金属层和源漏金属填充部的基板上形成钝化层，并在所述钝化层上形成与所述第一过孔连通的第二过孔； 通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的基板上形成第一透明导电层和透明连接部，其中，所述第一公共电极线之间通过所述第二过孔并借由所述透明连接部及所述源漏金属填充部连接。
12.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括: 形成第二公共电极线和源漏金属连接部的步骤，所述源漏金属连接部位于所述第一过孔中，所述第二公共电极线通过所述第一过孔并借由所述源漏金属连接部与所述第一公共电极线连接； 其中，所述第二公共电极线和所述源漏金属连接部与所述源漏金属层通过一次构图工艺形成。
13.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
【文档编号】H01L21/77GK103972243SQ201410168661
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年4月24日 优先权日:2014年4月24日
【发明者】白金超, 刘耀, 李梁梁, 丁向前, 郭总杰 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司