电路结构及制造具有增强的接触通孔电性连接的方法

文档序号:7050104
电路结构及制造具有增强的接触通孔电性连接的方法
【专利摘要】本发明涉及电路结构及制造具有增强的接触通孔电性连接的方法,其中,提供电路结构及制造例如在第一金属阶层与导电结构的接触面之间具有增强的电性连接的方法。实现电性连接增强是利用配置于接触面上方及与其电性连接的多个大小不同的接触通孔。所述大小不同的接触通孔包含配置于该接触面的中央区上方的至少一个中央区接触通孔,以及配置于该接触面的周围区上方的至少一个周围区接触通孔,其中,该至少一个中央区接触通孔大于该至少一个周围区接触通孔。
【专利说明】电路结构及制造具有增强的接触通孔电性连接的方法

【技术领域】
[0001] 本发明涉及电路结构及制造具有增强的接触通孔电性连接的方法。

【背景技术】
[0002] 在制造电路结构时,例如制造半导体装置,例如可利用用以堆迭晶片的穿基板通 孔(TSV)来实现三维(3-D)整合。第一金属阶层(或层)与TSV之间的连接或接触通孔是 实现这种整合的有用方法之一,特别是20纳米以下的技术。照例,想要实现接触通孔的最 小间距及最小关键尺度(⑶)以在导电结构(例如,TSV)与第一金属层之间实现尽可能多 的连接。目前实务上,形成紧密封装型连接通孔(connecting via)是在双重图案制程中使 用两个光罩(reticle),以便在金属与TSV层之间实现所欲连接点。在一个应用中,所述接 触通孔(contacting via)实质相同而且在TSV的接触面上方大致均勻地排成阵列。在此 一实作中,可能出现部份取决于电路制造加工流程的"通孔开口"问题。


【发明内容】

[0003] 本发明提供一种克服先前技术缺点及提供额外优点的电路结构,在一个态样中, 其包含导电结构及多个接触通孔。该电路结构包含接触面,以及该多个接触通孔小于该导 电结构且配置于该导电结构上方并与该导电结构的接触面电性接触。该多个接触通孔包含 至少一些大小不同的接触通孔,其中,至少一个中央区接触通孔配置于该接触面的中央区 上方,以及至少一个周围区接触通孔配置于该导电结构的接触面的周围区上方。在此组构 中,该至少一个中央区接触通孔大于该至少一个周围区接触通孔。
[0004] 在另一态样,提供一种方法,其包含:促进形成电路结构,该促进形成包括:提供 具有接触面的导电结构;以及形成多个接触通孔于该导电结构的该接触面上方,该多个接 触通孔小于该导电结构并与该导电结构的该接触面电性接触,以及该多个接触通孔包含至 少一些大小不同的接触通孔,其中,至少一个中央区接触通孔配置于该接触面的中央区上 方,以及至少一个周围区接触通孔配置于该导电结构接触面的周围区上方,该至少一个中 央区接触通孔大于该至少一个周围区接触通孔。
[0005] 通过本发明的技术以实现额外的特征及优点。也详述本发明的其他具体实施例和 态样以及视为本发明的一部份。

【专利附图】

【附图说明】
[0006] 特别指出和清楚主张本发明的一个或多个态样作为在本专利说明书的权利要求 书的实施例。由以下结合附图的详细说明可明白本发明以上及其他的目标、特征及优点。
[0007] 图1是根据本发明的一个或多个态样图示电路结构的具体实施例的部份纵剖面 图,其包含导电结构及在该导电结构上方排成阵列的多个接触通孔,以及图示要应付的开 放通孔问题;
[0008] 图2是根据本发明的一个或多个态样图示多个接触通孔的一个具体实施例的平 面图,该多个接触通孔在导电结构的接触面上方排成阵列以及促进底下导电结构与例如第 一金属(或一号金属)层之间的电性连接;
[0009] 图3A是根据本发明的一个或多个态样图示电路结构的纵剖面图,其中,不同直径 及深度的接触通孔的尺寸由左至右递减,例如,从导电结构接触面的中央区上方到该接触 面的周围区上方;
[0010] 图3B是根据本发明的一个或多个态样图示接触通孔从导电结构的中央区上方向 外朝导电结构的周围递减的直径及深度的曲线图;
[0011] 图4A是根据本发明的一个或多个态样图示电路结构的部份纵剖面图,其包含导 电结构及在该导电结构上方排成阵列的多个接触通孔;
[0012] 图4B是根据本发明的一个或多个态样图示由在导电结构上方的多个接触通孔组 成的一个电路布局的部份平面图;
[0013] 图5A是根据本发明的一个或多个态样图示另一电路结构的部份纵剖面图,其包 含导电结构以及在该导电结构上方排成阵列的多个接触通孔;
[0014] 图5B是根据本发明的一个或多个态样图示由在导电结构上方的多个接触通孔组 成的一个电路布局的部份平面图;
[0015] 图5C是根据本发明的一个或多个态样图示在导电结构上方的多个接触通孔的电 路布局的替代具体实施例;以及
[0016] 图ro是根据本发明的一个或多个态样图示在导电结构上方的多个接触通孔的另 一电路布局的平面图。
[0017] 符号说明
[0018] 100 电路结构
[0019] 102 基板
[0020] 104 掺氮阻障低k介电层或NBlok层
[0021] 106 层间介电质
[0022] 110 导电结构
[0023] 111 接触面
[0024] 112、112' 接触通孔
[0025] 200 电路布局或通孔群设计
[0026] 201 介电层
[0027] 212 接触通孔
[0028] 300 电路结构
[0029] 301 层
[0030] 310 接触通孔
[0031] 400 电路结构
[0032] 402 基板
[0033] 404 掺氮阻障低k介电层或NBlok层
[0034] 406 第二介电层
[0035] 410 导电结构
[0036] 411 接触面
[0037] 412 接触通孔
[0038] 413、415、417 接触通孔
[0039] 500、500' 电路结构
[0040] 501 沟槽
[0041] 501' 同心圆沟槽环
[0042] 502 基板
[0043] 504 掺氮阻障低k介电层或NBlok层
[0044] 505 一号金属层
[0045] 506 第二介电层
[0046] 510 导电结构
[0047] 511 接触面
[0048] 512 接触通孔
[0049] 513、515、517 接触通孔
[0050] 513' 周围区接触通孔
[0051] 515' 中间区接触通孔
[0052] 517' 中央区接触通孔。

【具体实施方式】
[0053] 以下用图示于附图的非限定性实施例更完整地解释本发明的数个态样及其某些 特征、优点和细节。省略习知材料、制造工具、加工技术等等的说明以免不必要地混淆本发 明的细节。不过,应了解,给出明示本发明态样的实施方式及实施例只是举例说明而不是用 来限定。显然熟谙此艺者由本揭示内容可明白在本发明概念的精神及/或范畴内仍有各种 替代、修改、增添及/或配置。也应注意,下文所引用的附图为求便于理解而并未按比例绘 制,其中,相同或类似的组件用相同的元件符号表示。
[0054] 如前述,在制造集成电路或半导体装置时,例如,利用把晶片堆迭成三维封装件的 穿基板通孔(TSV)来探讨三维(3-D)整合。穿基板通孔为在上或下表面有接触面的相对大 导电结构的一个实施例。用特定实施例来说明,描述于此的导电结构为例如直径在1微米 至10微米之间的相对大结构。在有此相对大导电结构下,在接触面暴露下化学机械研磨电 路结构可导致接触面从周围区到中央区碟化(dishing)或凹下。作为特定实施例,此一碟 化可能在10至50纳米之间,以及可能导致至导电结构的电性连接降级,如以下所解释的。 [0055] 图1的纵剖面图图示电路结构100,其包含由一层或多层材料制成的基板102,例 如一层或多层半导体或介电材料。例如,在一个实施例中,基板102可包含氧化物。电路结 构100进一步包含例如薄介电层,例如掺氮阻障低k介电层,本文称为NBlok层104,以及配 置于NBlok层104上方的层间介电质106。如图1所示,导电结构110至少部份在基板102 内延伸或穿过,以及包含从导电结构110的周围区(也就是,外区)朝中央区(或中央)碟 化或凹下的接触面111。在一个特定实施例中,导电结构110为穿基板通孔,以及接触面111 为穿基板通孔的上或下表面。多个接触通孔112图示成例如在第一金属层(未图示)与导 电结构110之间延伸以促进其间的电性连接。如图1所示,例如,由于接触面在前面加工期 间凹下(或碟化),故导电结构110中央区中的一个或多个接触通孔112'可能变开路而在 (在此实施例中)NBlok层104内终止,以及与导电结构110的接触面111不电性接触。
[0056] 在一个实作中,通孔群(via farm)设计中的接触通孔可为实质均匀间隔紧密的结 构,而被称为密集通孔。应付上述通孔开放问题的方法之一是过蚀刻(over-etch)通孔开 口以确保暴露导电结构的中央区的接触面111。不过,过蚀刻通孔开口可能会导致蚀刻导电 结构本身,这可能导致富金属副产品沉积于某些通孔开口的下半部或侧壁,这也可能造成 所述通孔有通孔开放问题。例如,过蚀刻可能发生在导电结构周围区上方的通孔开口,因为 这些区域的蚀刻比暴露底下导电结构所需的还要久。例如,如果导电结构为铜穿基板通孔 (TSV),则富铜副产品可能沉积于穿基板通孔周围区上方的通孔开口的下半部中,或在通孔 下半部中沿着通孔开口的侧壁,这都可能封闭在通孔底部的通孔开口以及在通孔开口金属 化后产生通孔开放问题。在形成于通孔开口内时,此富铜副产品本身可能不导电或导电不 良。
[0057] 图2的平面图图示用以电性连接第一金属(或一号金属(Ml))阶层或层与例如底 下穿基板通孔(TSV)的电路布局的一个具体实施例。在此电路布局或通孔群设计200中, 多个接触通孔212在一个或多个介电层201内排成阵列以便从第一金属阶层延伸至底下导 电结构或穿基板通孔的接触面(或在其间延伸)。如前述,取决于导电结构的接触面的碟化 或凹下程度,一个或多个接触通孔可能由于通孔开放问题而无法电性耦合至导电结构。应 注意,如本文所使用的,"接触通孔"意指导电通孔,例如金属化通孔,以及可经形成,例如, 以使集成电路晶片或封装件的一层电性连接至另一层。此外,在一个实施例中,穿基板通孔 为导电结构的一个实施例,以及可为金属结构,例如铜结构,其藉由多个金属接触通孔来电 性接触。
[0058] -般而言,揭示于本文的是针对上述通孔开放问题的电路结构及制造方法。该电 路结构,例如,包含导电结构,例如穿基板通孔,其具有待电性接触的接触面。在导电结构上 方装设比其小以及与导电结构的接触面电性接触的多个接触通孔。该多个接触通孔包含至 少一些大小不同的接触通孔,其中,配置于该接触面的中央区上方有至少一个中央区接触 通孔,以及配置于该接触面的周围区上方有至少一个周围区接触通孔,在此该至少一个周 围区接触通孔以比中央区接触通孔更靠近导电结构周围的方式配置于导电结构上方,以及 该至少一个中央区接触通孔大于该至少一个周围区接触通孔。例如,该至少一个中央区接 触通孔可具有各自大于该至少一个周围区接触通孔的直径及深度的直径及深度。
[0059] 在一个实作中,该多个接触通孔在导电结构的接触面上方排成阵列,以及导电结 构的接触面的中央区至少部份凹下(或碟化)。例如,该接触结构可为穿基板通孔在至少部 份电路结构的基板内延伸,以及该接触面可为该穿基板通孔的上表面或下表面。
[0060] 在一个实作中,该多个接触通孔可包含多个中央区接触通孔及多个周围区接触通 孔。此外,该多个接触通孔可包含配置于在导电结构接触面的中央区、周围区之间的导电结 构接触面的中间区上方的多个中间区接触通孔。所述多个中间区接触通孔可具有小于多个 中央区接触通孔以及大于多个周围区接触通孔的直径及深度。用另一实施例举例说明,该 多个接触通孔可在导电结构接触面上方的电路结构的第一金属阶层沟槽内排成阵列。
[0061] 例如,在一个具体实施例中,该第一金属阶层沟槽可包含宽度由中心环朝周围环 递减的多个同心沟槽环,以及不同的同心沟槽环各自可容纳所述多个中央区接触通孔、所 述多个中间区接触通孔及所述多个周围区接触通孔中的不同者。在一个特定实施例中,多 个同心沟槽环可为矩形沟槽环或圆形沟槽环。再者,例如,该导电结构及该多个接触通孔可 由相同金属形成,例如铜。
[0062] 应注意,尽管在一个或多个实施例中被特征化成含有一个或多个中央区接触通 孔、一个或多个中间区接触通孔及一个或多个周围区接触通孔,然而这三个接触通孔分组 只是用来举例说明及图示。可提供有任何η个的接触通孔形成物,其中,所述接触通孔的不 同者有不同的大小,例如,以确保与接触面有良好的电性连接,该接触面可能由于例如先前 化学机械研磨该表面而(至少部份地)碟化或凹下。也应注意,熟谙此艺者由本文所提供 的说明可确定接触通孔的特定直径及深度。例如,用经验可确定给定电路结构的这些数值。 也就是,对于给定电路结构,熟谙此艺者可轻易组构在接触面的不同区域上方的不同大小 的接触通孔的直径及深度以实现所欲通孔分布,其中,所有通孔开口都暴露接触面的一部 份而不过度过蚀刻该接触面。
[0063] 图3Α图示伸入电路结构300的层301的大小不同的接触通孔310。如图3Α所示, 接触通孔310的尺寸在直径(φ)及深度("深度")方面是由左至右递减,在此为了实现较大 的通孔深度,使用直径较大的通孔开口,而产生图示的大小不同的接触通孔。此外,如本技 艺所了解的,当通孔开口的直径增加时,蚀刻该通孔开口所需的蚀刻时间则减少,意指例如 在相同的蚀刻时间间隔内可实现有不同深度的图3Α的大小不同的接触通孔310。图3Β图 示接触通孔大小至接触区的接触通孔的曲线,在此至接触区的接触通孔的大小在接触面上 方的中央区及/或中间区(或数个)中递增。应注意,提供图示于图3Α与图3Β的接触通 孔及数目仅供图解说明揭示于本文的概念。
[0064] 例如,图4Α的部份纵剖面图根据本发明的一个或多个态样图示电路结构的一个 具体实施例,其大致以元件符号400表示。此电路结构与图1的电路结构实施例相似的地 方在于设有伸入(或穿过)一层或多层的导电结构410,例如,一层或多层的基板402,其上 方配置第一介电层,例如掺氮阻障低k介电层或简称NBlok层404,以及第二介电层406,例 如层间介电层。导电结构410包含至少部份碟化或凹下的接触面411,在此实施例中,是由 先前的表面研磨造成。
[0065] 如图示,提供小于导电结构410以及与导电结构410的接触面411电性接触的多 个接触通孔412。该多个接触通孔412包含至少一些大小不同的接触通孔413、415、417。在 图4A的实施例中,所述大小不同的接触通孔包含至少一个中央接触通孔417、多个中间区 接触通孔415、以及多个周围区接触通孔413,其各自配置于导电结构410的接触面的中央 区、中间区及周围区上方,例如,由导电结构的中心线径向向外到周围。
[0066] 如图示,一个或多个中央区接触通孔417的尺寸大于多个中间区接触通孔415及 多个周围区接触通孔413,以及此外,多个中间区接触通孔415的尺寸大于多个周围区接触 通孔413。关于这点,较大的尺寸表示有较大的直径及较大的深度,如以上所解释的。如上 述,所述接触通孔的直径及深度经选择或订做成使得通孔开口在制造加工期间可在小时间 窗口内暴露接触面411,藉此避免接触面(例如,在其周围区中)的任何过蚀刻,否则会到达 接触面的碟化中央区。
[0067] 作为另一实施例,图5A的部份纵剖面图根据本发明的一个或多个态样图示电路 结构500的另一具体实施例。此电路结构与图4A的电路结构实施例相似的地方在于设有 伸入(或穿过)一层或多层的导电结构510,例如,一层或多层的基板502,其上方配置第一 介电层,例如掺氮阻障低k介电层或简称NBlok层504,以及第二介电层506,例如层间介电 层。导电结构510包含至少部份碟化或凹下的接触面511,在此实施例中,是由先前的表面 研磨造成。
[0068] 如图示,提供至少部份与上述图4A的具体实施例的接触通孔412类似的多个大 小不同的接触通孔512。不过,在此实施例中,采用设于例如第二介电层506内的一个或 多个沟槽501。在一个实施例中,沟槽501可包含设于电路结构的一号金属层(metal-one layer)的多个同心沟槽,如以下在说明图5B至图?时所述者。
[0069] 如图5A所示,提供小于导电结构510以及与导电结构510的接触面511电性接触 的多个接触通孔512。该多个接触通孔512部份位于有均匀宽度的沟槽501内,以及包含与 接触面511接触的至少一些大小不同的接触通孔513、515、517,如图示。在图5A的实施例 中,所述大小不同的接触通孔包含至少一个中央接触通孔517、多个中间区接触通孔515、 以及多个周围区接触通孔513,其各自配置于导电结构510的接触面的中央区、中间区、周 围区上方,例如由导电结构的中心线径向向外到周围。在此实施例中,采用从第一金属层沟 槽向下延伸的多个接触通孔512,也如以下在说明图5B至图?时所述者。
[0070] 与图4A的具体实施例一样,一个或多个中央区接触通孔517的尺寸大于多个中间 区接触通孔515及多个周围区接触通孔513,而且,多个中间区接触通孔515的尺寸大于多 个周围区接触通孔513。关于这点,如以上所解释的,尺寸较大意指有较大的直径及较大的 深度。如上述,接触通孔的直径及深度经选择及订做成使得通孔开口在制造加工期间可在 小时间窗口内暴露接触面511,藉此避免接触面(例如,在其周围区中)的任何过蚀刻,否则 会到达接触面的碟化中央区。
[0071] 图5B至图?图不电路结构的不同布局实施例,其包含在导电结构上方排成阵列 的多个接触通孔,例如穿基板通孔,以及促进穿基板通孔与电路结构的第一金属层的电性 连接。
[0072] 例如(只是举例说明),图5B的部份平面图图示在电路结构的一号金属层505的 电路结构500,其中,多个同心沟槽501形成于例如电路结构的层间介电质内。在图5A的实 施例中,多个同心沟槽环501的大小由中央沟槽环向外到周围沟槽环递减。这图示于仅供 举例说明的图5B至图5D。在替代具体实施例中,多个同心沟槽环各有由中央沟槽环向外到 周围沟槽环的相同宽度。也应注意,图示实施例是假设待电性接触的导电结构位于图示接 触通孔513、515、517下面。在此实施例中,最内部沟槽环容纳直径及深度大于其他接触通 孔的最大接触通孔517,中间沟槽环容纳中间区接触通孔515,以及周围沟槽环容纳周围区 接触通孔513。应再注意,此组构或布局仅供举例说明。
[0073] 图5C图示例如方向转45度的图5B的部份电路结构布局。视底下导电结构的取 向而定,此一取向可能是有利的。
[0074] 在图?的示范组构中,提供类似在以上说明图5B时提及的电路结构500',不过, 在此实施例中,第一金属阶层沟槽502包含(例如)宽度由中央沟槽环向外到周围沟槽环 递减的多个同心圆沟槽环501'。如上述,在替代组构中,多个同心圆沟槽环501'每个可具 有由中央沟槽环向外到周围沟槽环的相同宽度。如图示,多个中央区接触通孔517'均配置 于布局的最内部沟槽环内,中间区接触通孔515'配置于中间沟槽环内,以及周围区接触通 孔513'在图示周围沟槽环内排成阵列。应注意,提供图5B至图?的方形(或矩形)及圆 形沟槽环组构只是用来举例说明。所欲的接触通孔布局的大小及组构至少部份可取决于要 与第一金属层电性连接的底下导电结构的形状及大小。
[0075] 用于本文的术语只是要用来描述特定具体实施例而非旨在限制本发明。如本文 所使用的,英文单数形式"a"、"an"和"the"也旨在包括复数形式,除非上下文中另有明确 指示。更应该理解,用语"包括(comprise)"(以及任何形式的包括,例如"comprises"及 "comprising")、"具有"(以及任何形式的具有,例如"has"及"having")、"包含"(以及任 何形式的包含,例如"includes"及"including")以及"含有"(以及任何形式的含有,例 如"contains"及"containing")都是开放的连系动词。结果,"包括"、"具有"、"包含"或 "含有" 一或更多步骤或元件的方法或装置拥有该一或更多步骤或元件,但是不限于只有该 一或更多步骤或元件。同样,"包括"、"具有"、"包含"或"含有"一或更多特征的方法步骤或 装置元件拥有该一或更多特征,但是不限于只有该一或更多特征。此外,用某一方式组构而 成的装置或结构至少是用该方式组构,但是也可用未表列的方式来组构。
[0076] 所有构件或步骤的对应结构、材料、动作及等效物加上权利要求书中的功能元件 (若有的话)旨在涵盖任何结构、材料或动作用以完成与经具体主张的其他主张元件结合 的功能。为了图解说明及说明已描述本发明,但是并非旨在穷举或限制本发明为所揭示的 形式。本技艺一般技术人员明白在不脱离本发明的范畴及精神下,仍有许多修改及变体。选 择及描述该具体实施例是为了以最佳的方式解释本发明及实际应用的一或更多态样的原 理,以及使得其他本技艺一般技术人员能够了解用于适合特定预期用途而有不同修改的不 同具体实施例的本发明一或更多态样。
【权利要求】
1. 一种电路结构,包含: 导电结构,包含接触面;以及 多个接触通孔,小于该导电结构并与该导电结构的该接触面电性接触,该多个接触通 孔包含至少一些大小不同的接触通孔,其中,至少一个中央区接触通孔配置于该接触面的 中央区上方以及至少一个周围区接触通孔配置于该接触面的周围区上方,该至少一个中央 区接触通孔大于该至少一个周围区接触通孔。
2. 根据权利要求1所述的电路结构,其中,该多个接触通孔在该导电结构的该接触面 上方排成阵列,以及该导电结构的该接触面在其之该中央区中至少部份凹下。
3. 根据权利要求2所述的电路结构,其中,该导电结构包含至少部份在该电路结构的 基板内延伸的穿基板通孔,以及该接触面包含该穿基板通孔的上表面或下表面的其中之 〇
4. 根据权利要求2所述的电路结构,其中,该至少一个中央区接触通孔的尺寸经制作 成其直径及深度各自大于该至少一个周围区接触通孔的直径及深度。
5. 根据权利要求4所述的电路结构,其中,该多个接触通孔包含多个中央区接触通孔 与多个周围区接触通孔,所述多个中央区接触通孔的尺寸经制作成具有大于所述多个周围 区接触通孔的直径及深度。
6. 根据权利要求5所述的电路结构,其中,该多个接触通孔进一步包含配置于该导电 结构的该接触面中至少部份在其之该中央区和该周围区间的中间区上方的多个中间区接 触通孔,所述多个中间区接触通孔的尺寸经制作成具有小于所述多个中央区接触通孔的直 径及深度,以及大于所述多个周围区接触通孔的直径及深度。
7. 根据权利要求6所述的电路结构,其中,该多个接触通孔在该导电结构上方的该电 路结构的第一金属阶层沟槽中排成阵列。
8. 根据权利要求7所述的电路结构,其中,该第一金属阶层沟槽包含宽度由中央沟槽 环朝周围沟槽环递减的多个同心沟槽环。
9. 根据权利要求8所述的电路结构,其中,所述多个同心沟槽环的不同沟槽环各自容 纳所述多个中央区接触通孔、所述多个中间区接触通孔及所述多个周围区接触通孔中的不 同者。
10. 根据权利要求8所述的电路结构,其中,所述多个同心沟槽环为矩形沟槽环或圆形 沟槽环的其中之一。
11. 根据权利要求1所述的电路结构,其中,该导电结构及该多个接触通孔由相同金属 形成。
12. -种方法,包含: 促进形成电路结构,该促进形成包括: 提供包含接触面的导电结构;以及 形成多个接触通孔于该导电结构的该接触面上方,该多个接触通孔小于该导电结构并 与该导电结构的该接触面电性接触,以及该多个接触通孔包含至少一些大小不同的接触通 孔,其中,至少一个中央区接触通孔配置于该接触面的中央区上方以及至少一个周围区接 触通孔配置于该接触面的周围区上方,该至少一个中央区接触通孔大于该至少一个周围区 接触通孔。
13. 根据权利要求12所述的方法,其中,形成该多个接触通孔包括:将该多个接触通孔 在该导电结构的该接触面上方排成阵列,以及其中,该导电结构的该接触面在其之该中央 区中至少部份凹下。
14. 根据权利要求13所述的方法,其中,该导电结构包含至少部份在该电路结构的基 板内延伸的穿基板通孔,以及该接触面包含该穿基板通孔的上表面或下表面的其中之一。
15. 根据权利要求13所述的方法,其中,该至少一个中央区接触通孔的尺寸经制作成 其直径及深度各自大于该至少一个周围区接触通孔的直径及深度。
16. 根据权利要求15所述的方法,其中,该多个接触通孔包含多个中央区接触通孔与 多个周围区接触通孔,所述多个中央区接触通孔的尺寸经制作成具有大于所述多个周围区 接触通孔的直径及深度。
17. 根据权利要求16所述的方法,其中,形成该多个接触通孔进一步包括:形成配置于 该导电结构的该接触面中至少部份在其之该中央区和该周围区间的中间区上方的多个中 间区接触通孔,所述多个中间区接触通孔的尺寸经制作成具有小于所述多个中央区接触通 孔的直径及深度,以及大于所述多个周围区接触通孔的直径及深度。
18. 根据权利要求17所述的方法,其中,该多个接触通孔在该导电结构上方的该电路 结构的第一金属阶层沟槽中排成阵列。
19. 根据权利要求18所述的方法,其中,该第一金属阶层沟槽包含宽度由中央沟槽环 向外朝周围沟槽环递减的多个同心沟槽环。
20. 根据权利要求19所述的方法,其中,所述多个同心沟槽环的不同沟槽环各自容纳 所述多个中央区接触通孔、所述多个中间区接触通孔及所述多个周围区接触通孔的不同 者。
【文档编号】H01L21/60GK104218021SQ201410244402
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年6月4日 优先权日:2013年6月4日
【发明者】G·宁, X·胡, S·坦格拉朱, P·阿克曼 申请人:格罗方德半导体公司
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