一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法
【专利摘要】本发明涉及集成电路【技术领域】，尤其是涉及到一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，通过调用一光学缺陷检测设备获取晶圆中的静态存储器设计电路的两不同方向的图形数据，并根据光学缺陷检测设备中预先设定的方向转换关系对其中一种方向图形向另一种方向图形进行方向转换，并进行缺陷检测；因此本发明技术方案可以按照预先设定的检测方向可以实现对不同方向重复结构的静态存储器设计电路实现一次性扫描检测，大大提升了缺陷检测精度的同时降低了缺陷检测的成本。
【专利说明】—种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路【技术领域】，尤其是涉及到一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法。
【背景技术】
[0002]在现有的【技术领域】中，一颗芯片的制作工艺往往包含几百步的工序，主要的工艺模块可以分为光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长和清洗等几大部分。随着集成电路工艺的发展及特征尺寸的不断缩小，芯片上电路的分布也越来越复杂，任何环节的微小错误都将导致整个产品的失效，所以对工艺控制的要求就越来越严格。为了可以及时的发现产品的缺陷，在实际的生产过程中一般都配置有相当数量的缺陷检测设备对产品在线的检测，缺陷检测的原理是通过设备获得几个芯片的信号，然后再进行数据的比对，如图1a?Ic表示为相邻的3个芯片，通过对3个芯片的图形数据进行同时采集，然后通过B芯片和A芯片的比较得出有信号差异的位置；再通过B芯片和C芯片的比较得出有信号差异的位置；那么这两个对比结果中差异信的相同位置就是B芯片上侦测到的缺陷的位置。而针对芯片上电路密度最高而且重复的结构，如图2所示，为了实现高精度的缺陷检测，采取的是重复结构之间的数据比对来确定缺陷的位置。但是，由于芯片本身设计的考虑，往往在一个芯片上有不同方向的静态存储器电路结构，按照目前的方法只能采取多次的扫描检测才能完成不同方向静态存储器的缺陷检测，这就会极大的影响检测的效率使得生产的成本大幅度的增加。
[0003]中国专利(CN103065993A)公开了一种晶圆缺陷检测系统，包括傅立叶滤波器，其包括位于光强信号采集范围内的多个阻挡单元，所述阻挡单元为第一方向排列的第一阻挡单元和/或第二方向排列的第二阻挡单元；切换模块与所述傅里叶滤波器相连，根据检测方向将所述阻挡单元切换为所述第一阻挡单元或所述第二阻挡单元；以及检测器，检测傅立叶滤波器透射的光。本发明还相应提供了一种晶圆缺陷检测方法。
[0004]上述专利公开的一种晶圆缺陷检测系统以及检测方法，在一次传送过程中就能完成不同方向图形上的晶圆缺陷检测，提高了缺陷检测的效率，但是该晶圆缺陷检测系统设计较为复杂，成本较高，无法进行第一方向上与第二方向上结构数据的对比进而进行缺陷检测，使其在缺陷检测时，缺陷检测精度受到限制。
【发明内容】
[0005]鉴于上述问题，本发明提供一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，通过该方法可以解决无法进行第一方向上与第二方向上的重复结构数据的对比进而进行缺陷检测，使其在缺陷检测时，缺陷检测精度受到限制的缺陷。
[0006]本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:
[0007]一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其中，所述方法包括:
[0008]步骤S1、提供一具有集成电路版图的晶圆，所述集成电路版图包括若干沿第一方向分布的第一电路区和沿第二方向分布的第二电路区，且所述第一电路区和第二电路区的结构相同；
[0009]步骤S2、调用一检测设备检测所述集成电路版图，获取所述第一电路区与所述第二电路区在各自方向上的图形数据；
[0010]步骤S3、预先设定所述检测设备对所述图形的方向转换关系，将所述第一电路区与所述第二电路区在各自方向上的图形转换为同一方向，并进行检测。
[0011]步骤S4、获取所述第一电路区在第二方向上的图形数据，并与所述第二电路区在第二方向上的图形数据进行比对；或
[0012]获取所述第二电路区在第一方向上的图形数据，并与所述第一电路区在第一方向上的图形数据进行比对，进而完成对所述晶圆的缺陷检测。
[0013]较佳的，上述的不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其中，所述第一电路区与所述第二电路区均为静态存储器设计电路。
[0014]较佳的，上述的不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其中，所述第一电路区的方向垂直所述第二电路区的方向。
[0015]较佳的，上述的不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其中，所述检测设备为一光学缺陷检测设备。
[0016]上述技术方案具有如下优点或有益效果:
[0017]本发明公开的一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，通过调用一光学缺陷检测设备获取晶圆中的静态存储器设计电路的两不同方向的图形数据，并根据光学缺陷检测设备中预先设定的方向转换关系对其中一种方向图形向另一种方向图形进行方向转换，并进行缺陷检测；因此本发明技术方案可以按照预先设定的检测方向可以实现对不同方向重复结构的静态存储器设计电路实现一次性扫描检测，大大提升了缺陷检测精度的同时降低了缺陷检测的成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、夕卜形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分并未刻意按照比例绘制附图，重点在于表示出本发明的主旨。
[0019]图1a?Ic是现有技术中相邻的3个芯片组的数据比较示意图；
[0020]图2是现有技术中芯片上不同方向重复结构静态存储器设计电路示意图；
[0021]图3a和图3b是本发明方法中不同方向的静态存储器设计电路示意图；
[0022]图4是本发明方法中晶圆向下检测的示意图；
[0023]图5a和图5b是本发明方法中不同方向重复结构的静态存储器设计电路的图形示意图；
[0024]图6是本发明方法中晶圆向右检测的示意图；
[0025]图7是本发明方法中不同方向重复结构的静态存储器设计电路的图形方向转换示意图。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
[0027]为可以实现对不同方向集成电路版图的缺陷一次性扫描检测，提升了缺陷检测精度的同时降低了缺陷检测的成本，本发明提供了一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，具体的如图3a?7所示:
[0028]步骤S1、提供一晶圆，该晶圆中制备有集成电路版图，在本发明的实施例中，集成电路版图包括若干沿第一方向分布的第一电路区和沿第二方向分布的第二电路区，且第一电路区和第二电路区的结构相同，优选的，该第一电路区的结构与后续的光学缺陷检测设备的检测方向具有重复性。
[0029]在本发明的实施例中，第一电路区与第二电路区均优选为静态存储器设计电路。
[0030]如图3a所示，该静态存储器设计电路为缺陷最为敏感的检测区域，而且从图中可以看出静态存储器设计电路的结构密度非常高并且其分布呈周期性重复的排列(即第一电路区A、B和C均为相同结构的静态存储器设计电路且A、B和C均周期性重复排列)，其中图3b结构与图3a相同，在此不予赘述。
[0031]在一种可选但非限制性的实施例中，如图3a所示，将若干相同结构的静态存储器设计电路A、B和C中以栅极结构的方向为参照，将图3a设置为第一方向(图中X轴方向)重复结构的第一电路区(即静态存储器设计电路)，同样，将图3b设置为第二方向(图中Y轴方向)重复结构的第二电路区；该第一方向与第二方向相对应的，本领域技术人员应当理解为以图3a中栅极结构的方向为参照，也可将其设置为第二方向(设为Y轴方向)重复结构的第一电路区，只要达到本发明的目的即可。
[0032]步骤S2、预先设置该晶圆的移动方向以及检测设备检测晶圆的检测方向，如图4所示，同时预先设定第一电路区与第二电路区的重复结构单元(该检测设备的一缺陷检测模块会以该重复结构单元为最小单位进对该第一电路区和第二电路区进行检测)之后，调用上述检测设备通过该重复结构单元对第一方向的第一电路区以及第二方向的第二电路区进行检测，同时获取第一电路区中第一方向的图形数据和第二电路区中第二方向的图形数据，如图5a和图5b所示。
[0033]图4表示为晶圆的移动沿上述第一方向，且检测设备对晶圆向下检测，其中本领域技术人员可根据不同的工艺需求，预先设定不同的检测设备检测晶圆的方位，如图6表示为检测设备检测晶圆的方位为右。
[0034]优选的，该检测设备为一光学缺陷检测设备。
[0035]步骤S3、预先于上述光学缺陷检测设备中设定好第一电路区中第一方向的图形和第二电路区中第二方向的图形的方向转换关系，将第一电路区与第二电路区图形的方向转换一致。
[0036]在本发明的实施例中，如图7所示，因预先设置光学缺陷检测设备对晶圆向下方位检测，因此在进行后续对图形信息检测的过程中，该缺陷检测设备只对第一电路区的第一方向图形进行缺陷信息的识别处理，因此光学缺陷检测设备根据上述设定好的方向转换关系自动将第二电路区的图形的方向转转换至第一电路区的图形的方向，使两图形的方向转换一致(若预先设置光学缺陷检测设备对晶圆向右方位检测，则光学缺陷检测设备根据上述设定好的方向转换关系将第一电路区的图形的方向转转换至第二电路区的图形的方向即可)。
[0037]步骤S4、当光学缺陷检测设备根据上述设定好的方向转换关系自动获取第二电路区在第一方向上的图形数据，并与第一电路区在第一方向上的图形数据进行比对(若预先设置光学缺陷检测设备对晶圆向右方位检测则获取第一电路区在第二方向上的图形数据，并与第二电路区在第二方向上的图形数据进行比对)进而完成对晶圆的缺陷检测，从而实现对不同方向重复结构的静态存储器设计电路的一次性缺陷扫描检测。
[0038]因此，本发明技术方案中，因该第一电路区的结构与光学缺陷检测设备的检测方向具有重复性，当缺陷检测设备对第一电路区进行数据扫描时，可以同步的进行数据的对比进而完成第一方向上的第一电路区的缺陷检测；另一方面，第二方向的第二电路区结构与光学缺陷检测设备的检测方向不具有重复性，当缺陷检测设备对第二电路区进行数据扫描时，还需要进行方向关系的转换才能进行数据的对比，同时也可以与第一电路区进行数据对比，进而完成不同方向结构的静态存储器一次性缺陷扫描检测。
[0039]另外，因同一方向电路区的重复结构单元同时存在缺陷的概率较大，因此在进行同一方向电路区的图形数据对比时，可能因重复结构单元本身都具有缺陷而无法进行缺陷的检测识别，因此本发明通过进行第一方向与第二方向的电路区同时进行图形数据的对比可以大大降低因重复结构单元本身都具有缺陷而无法对缺陷进行识别的概率。
[0040]其中本领域技术人员应当理解为本发明方法适合多种方向重复结构的静态存储器设计电路的缺陷检测，并不仅限于本发明中两种方向重复结构的静态存储器设计电路的缺陷检测。因此本发明方法在一定的程度上大大的提高了缺陷检测的精度同时降低了缺陷检测的成本。
[0041]综上所述，本发明公开的一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，通过调用一光学缺陷检测设备获取晶圆中的静态存储器设计电路的两不同方向的图形数据，并根据光学缺陷检测设备中预先设定的方向转换关系对其中一种方向图形向另一种方向图形进行方向转换，并进行缺陷检测；因此本发明技术方案可以按照预先设定的检测方向可以实现对不同方向重复结构的静态存储器设计电路实现一次性扫描检测，大大提升了缺陷检测精度的同时降低了缺陷检测的成本。
[0042]通过说明和附图，给出了【具体实施方式】的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。
[0043]以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【权利要求】
1.一种不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括: 步骤S1、提供一具有集成电路版图的晶圆，所述集成电路版图包括若干沿第一方向分布的第一电路区和沿第二方向分布的第二电路区，且所述第一电路区和第二电路区的结构相同； 步骤S2、调用一检测设备检测所述集成电路版图，获取所述第一电路区与所述第二电路区在各自方向上的图形数据； 步骤S3、预先设定所述检测设备对所述图形的方向转换关系，将所述第一电路区与所述第二电路区在各自方向上的图形转换为同一方向，并进行检测。 步骤S4、获取所述第一电路区在第二方向上的图形数据，并与所述第二电路区在第二方向上的图形数据进行比对；或 获取所述第二电路区在第一方向上的图形数据，并与所述第一电路区在第一方向上的图形数据进行比对，进而完成对所述晶圆的缺陷检测。
2.如权利要求1所述的不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述第一电路区与所述第二电路区均为静态存储器设计电路。
3.如权利要求1所述的不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述第一电路区的方向垂直所述第二电路区的方向。
4.如权利要求1所述的不同方向集成电路版图的缺陷检测方法，其特征在于，所述检测设备为一光学缺陷检测设备。
【文档编号】H01L21/66GK104332422SQ201410441475
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年9月1日 优先权日:2014年9月1日
【发明者】倪棋梁, 陈宏璘, 龙吟 申请人:上海华力微电子有限公司