高压硅堆管芯化学处理装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了电子元器件制造领域的高压二极管硅块台面腐蚀化学处理装置，一种高压硅堆管芯化学处理装置。包括混合酸槽、第一水洗槽、硝酸槽、第二水洗槽、氢氟酸槽、第三水洗槽和机械手摆臂，各化学处理槽体顺序排列，机械手摆臂位于槽体上方，机械手摆臂安装在槽体上方的滑轨上，其特征在于：机械手摆臂上设有气动升降机构，机械手摆臂在气动装置控制下上下运动，装有硅块模的托架悬挂在机械手摆臂上，装有硅块模的托架依次浸入各化学处理槽体。本发明具有提高效率、节能减排和降低设备故障率等优点。
【专利说明】高压硅堆管芯化学处理装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子元器件制造领域的高压二极管硅块台面腐蚀化学处理装置，一种高压硅堆管芯化学处理装置。
【背景技术】
[0002]在电子元器件中许多电子元器件是由半导体材料制成，半导体或芯片是由硅生产出来的。硅叠经不锈钢丝辅以金刚砂切削液切断为硅块，即高压二极管管芯。硅块表面有切断产生的损伤层、氧化层以及其它杂质，在硅块、电极引线烧结之前必须对台面进行清洗处理，处理后的台面形状平滑均一、使PN结充分展开，将会保证并提高器件的电性能。否则器件的电性能会产生劣化，产品的电性测试成品率将大大降低。传统的化学腐蚀装置工作效率低下，成为制约生产发展的瓶颈，且废液排放污染环境。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是克服现有高压硅堆管芯化学处理工艺设备的缺陷，提供一种效率高、节能减排、和降低设备故障率的高压硅堆管芯化学处理装置。
[0004]本发明是通过以下技术方案实现的:
一种高压硅堆管芯化学处理装置，包括混合酸槽、第一水洗槽、硝酸槽、第二水洗槽、氢氟酸槽、第三水洗槽和机械手摆臂，各化学处理槽体顺序排列，机械手摆臂位于槽体上方，机械手摆臂安装在槽体上方的滑轨上，其特征在于:机械手摆臂上设有气动升降机构，机械手摆臂在气动装置控制下上下运动，装有硅块模的托架悬挂在机械手摆臂上，装有硅块模的托架依次浸入各化学处理槽体；对上述技术方案做进一步改进，所述的混合酸槽为2组同时工作，改用两组混酸槽同时工作，使得后级各纯水槽充分使用，无空流情况；对上述技术方案做进一步改进，所述的混合酸槽安装有混酸回收系统，废液零排放；对上述技术方案做进一步改进，所述硅块模为1000腔，各化学处理槽体体积与装有三只硅块模的托架相兼容，提高生产效率；对上述技术方案做进一步改进，所述机械手摆臂的摇摆频率和浸入时间可调节，不同的化学处理槽体可根据工艺需要设置不同的摇摆频率和浸入时间。
[0005]本发明具有以下有益效果:
1.提闻效率;
2.节能减排；
3.降低设备故障率。
[0006]【专利附图】
【附图说明】:
图1为高压硅堆管芯化学处理装置示意图；
图2为高压硅堆管芯化学处理装置电气原理图。
[0007]图中:化学处理槽体1、机械手摆臂2和滑轨3。
【具体实施方式】
[0008]如图所示为高压硅堆管芯化学处理装置示意图，包括混合酸槽、第一水洗槽、硝酸槽、第二水洗槽、氢氟酸槽、第三水洗槽和机械手摆臂，各化学处理槽体顺序排列，机械手摆臂位于槽体上方，机械手摆臂安装在槽体上方的滑轨上。为提高效率，加大各工位处理槽的容积，将硅块模由400腔改成1000腔，混酸槽由一组增加为两组，两组混酸槽同时工作，使得后级各纯水槽充分使用，无空流情况。混酸槽安装由混酸回收系统，无废液排放。采用新型的单元控制电路及防腐元器件，减少设备的故障率。
[0009]通过上述改进是整套高压硅堆管芯化学处理装置的效率提高2.5倍、节水厂50%、废液零排放、故障率低、减轻劳动强度。
【权利要求】
1.一种高压硅堆管芯化学处理装置，包括混合酸槽、第一水洗槽、硝酸槽、第二水洗槽、氢氟酸槽、第三水洗槽和机械手摆臂，各化学处理槽体顺序排列，机械手摆臂位于槽体上方，机械手摆臂安装在槽体上方的滑轨上，其特征在于:机械手摆臂上设有气动升降机构，机械手摆臂在气动装置控制下上下运动，装有硅块模的托架悬挂在机械手摆臂上，装有硅块模的托架依次浸入各化学处理槽体。
2.根据权利要求1所述的高压硅堆管芯化学处理装置，其特征在于:所述的混合酸槽为2组同时工作。
3.根据权利要求1所述的高压硅堆管芯化学处理装置，其特征在于:所述的混合酸槽安装有混酸回收系统。
4.根据权利要求1所述的高压硅堆管芯化学处理装置，其特征在于:所述硅块模为1000腔，各化学处理槽体体积与装有三只硅块模的托架相兼容。
5.根据权利要求1所述的高压硅堆管芯化学处理装置，其特征在于:所述机械手摆臂的摇摆频率和浸入时间可调节。
【文档编号】H01L21/67GK104347456SQ201410467755
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年9月15日 优先权日:2014年9月15日
【发明者】倪绍荣 申请人:南通皋鑫电子股份有限公司