五面包封的csp结构及制造工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开的一种五面包封的CSP结构，包括晶粒和附着在所述晶粒表面的压焊点、钝化层以及附着在所述压焊点上的导电体，所述钝化层覆盖在所述晶粒上表面没有被压焊点覆盖的区域且所述钝化层还覆盖在所述压焊点没有被导电体覆盖的区域，其特征在于，所述晶粒的底面以及四周侧面和钝化层的四周侧面被环氧树脂包封。本发明公开的该五面包封的CSP结构的制造工艺。本发明将管芯的五面(晶圆正面除外)用环氧树脂包封起来，有利于改善电子器件及集成电路的可靠性，并且又是WLCSP封装，有利于电子产品的小型化。同时其制造工艺简单，可靠。
【专利说明】五面包封的CSP结构及制造工艺
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体封装【技术领域】，特别涉及五面包封的CSP结构及制造工艺
【背景技术】
[0002]通常，半导体元器件及集成电路在晶圆正面工序完成后开始封装；通常封装的面积要比芯片的面积大很多，这有悖于现在小型化的发展趋势；所以后来发展出晶圆级封装(WLCSP)。
[0003]普通的WLCSP仅仅在晶圆的正面用凸块(Bumping)或铜柱(Cu Pillar)作为连线，整个晶圆基本上都是裸体的，没有任何材料来保护半导体管芯，有可靠性的风险。
【发明内容】
[0004]本发明目的之一在于针对上述现有技术的不足而提供一种五面包封的CSP结构，其将管芯的五面(晶圆正面除外)用环氧树脂包封起来，有利于改善电子器件及集成电路的可靠性，并且又是WLCSP封装，有利于电子产品的小型化。
[0005]本发明目的之二在于提供上述五面包封的CSP结构的制造工艺。
[0006]为了实现上述发明目的，本发明所采用的技术方案如下:
[0007]—种五面包封的CSP结构，包括晶粒和附着在所述晶粒表面的压焊点、钝化层以及附着在所述压焊点上的导电体，所述钝化层覆盖在所述晶粒上表面没有被压焊点覆盖的区域且所述钝化层还覆盖在所述压焊点没有被导电体覆盖的区域，所述晶粒的底面以及四周侧面和钝化层的四周侧面被环氧树脂包封；所述晶粒的四周和底面的环氧树脂是同一种材料。
[0008]在本发明的一个优选实施例中，在所述晶粒背面设置有一金属化层，所述金属化层也被塑封层包封；所述晶粒的四周和底面的环氧树脂是同一种材料。
[0009]上述五面包封的CSP结构的制造工艺，具体包括如下步骤:
[0010]1)制备晶圆；
[0011]2)在所述晶圆的第一面上间隔附着若干封装打线用的压焊点及钝化层，其中钝化层覆盖在所述晶圆的第一面上除压焊点之外的所有区域并部分覆盖住所述压焊点；
[0012]3)在所述每一压焊点上附着导电体形成若干管芯；
[0013]4)对晶圆的第二面进行减薄处理，减薄处理后将晶圆的第二面上贴划片膜，所述晶圆的第二面与第一面为相对的两面；
[0014]5)从晶圆的第一面方向对形成有若干管芯并在晶圆的第二面上贴有划片膜的晶圆进行第一次切割，但不切断所述划片膜，使被切割成的若干管芯依然附着在所述划片膜上，若干管芯之间形成划片道；
[0015]6)在一支撑晶圆上贴一层连续的双面胶膜，然后将若干管芯的导电体和钝化层贴在所述双面胶膜的另一面上，使所述晶圆的第二面朝上；
[0016]7)去掉划片膜，采用环氧树脂在晶圆的第二面上以及管芯之间的划片道内形成塑封；
[0017]8)将双面胶膜及支撑晶圆剥离；
[0018]9)从晶圆的第一面方向进行第二次切割，切断相邻管芯之间的塑封，形成一颗颗的管芯。
[0019]在本发明的一个优选实施例中，在所述步骤3)，所述在所述每一压焊点上附着导电体形成若干管芯的方法是采用电镀的方法在所述压焊点上生长铜柱、金凸块、锡球或者采用化学镀的方法生长镍金层。
[0020]在本发明的一个优选实施例中，在所述步骤4)中，对晶圆的第二面进行减薄处理后，在晶圆的第二面进行金属化沉积，形成金属化层，然后将所述金属化层上贴划片膜。
[0021]在本发明的一个优选实施例中，在所述步骤7)中，形成塑封的方式是用热压的方法或者用印刷的方法形成塑封。
[0022]在本发明的一个优选实施例中，在所述步骤7)中，所述塑封进行减薄处理至规定厚度。
[0023]在本发明的一个优选实施例中，在所述步骤9)中，第二次切割是从所述划片道的中央切断。
[0024]由于采用了上述技术方案，本发明将管芯的五面(晶圆正面除外)用环氧树脂包封起来，有利于改善电子器件及集成电路的可靠性，并且又是WLCSP封装，有利于电子产品的小型化。同时其制造工艺简单，可靠。
【专利附图】
【附图说明】
[0025]图1为本发明实施例1五面包封的CSP结构示意图。
[0026]图2至图9为制备本发明实施例1五面包封的CSP结构管芯的示意图。
[0027]图10为本发明实施例2五面包封的CSP结构示意图。
[0028]图11至图18为制备本发明实施例2五面包封的CSP结构管芯的示意图。
【具体实施方式】
[0029]实施例1
[0030]参见图1，图中给出的一种五面包封的CSP结构，包括晶粒10和附着在晶粒10表面的压焊点20、钝化层30以及附着在压焊点20上的导电体40，钝化层30覆盖在晶粒10上表面没有被压焊点20覆盖的区域且钝化层30还覆盖在压焊点20没有被导电体40覆盖的区域，晶粒10的底面以及四周侧面和钝化层30的四周侧面被环氧树脂50包封。
[0031]该实施例的管芯的制造工艺，具体包括如下步骤:
[0032]1)制备晶圆；
[0033]2)参见图2，在晶圆100的第一面110上间隔附着若干封装打线用的压焊点20及钝化层30，其中钝化层30覆盖在晶圆100的第一面110上除压焊点20之外的所有区域并部分覆盖住压焊点20 ；
[0034]3)参见图3，在每一压焊点20上附着导电体40形成若干管芯；具体方法是采用电镀的方法在所述压焊点上生长铜柱、金凸块、锡球或者采用化学镀的方法生长镍金层。
[0035]4)参见图4，对晶圆100的第二面120进行减薄处理，减薄处理后将晶圆100的第二面120上贴划片膜200，晶圆100的第二面120与第一面110为相对的两面；
[0036]5)参见图5，从晶圆100的第一面110方向对形成有若干管芯并在晶圆100的第二面120上贴有划片膜200的晶圆进行第一次切割，但不切断划片膜200，使被切割成的若干管芯依然附着在划片膜200上，若干管芯之间形成划片道300 ；
[0037]6)参见图6，在一支撑晶圆400上贴一层连续的双面胶膜500，然后将若干管芯的导电体40和钝化层30贴在双面胶膜500的另一面上，使晶圆100的第二面120朝上；
[0038]7)参见图7，去掉划片膜200，采用同一种环氧树脂600在晶圆100的第二面120上以及管芯之间的划片道内用热压的方法或者用印刷的方法形成塑封，然后对塑封进行减薄处理至规定厚度。
[0039]8)参见图8，将双面胶膜500及支撑晶圆400剥离；
[0040]9)参见图9，从晶圆100的第一面110方向沿着划片道的中央进行第二次切割，切断相邻管芯之间的塑封，形成一颗颗的管芯。
[0041]实施例2
[0042]参见图10，图中给出的一种五面包封的CSP结构，包括晶粒10和附着在晶粒10表面的压焊点20、钝化层30以及附着在压焊点20上的导电体40，钝化层30覆盖在晶粒10上表面没有被压焊点20覆盖的区域且钝化层30还覆盖在压焊点20没有被导电体40覆盖的区域，在晶粒10背面设置有一金属化层60，金属化层60的底面以及晶粒10的四周侧面和钝化层30的四周侧面被环氧树脂50包封。
[0043]该实施例的管芯的制造工艺，具体包括如下步骤:
[0044]1)制备晶圆；
[0045]2)参见图11，在晶圆100的第一面110上间隔附着若干封装打线用的压焊点20及钝化层30，其中钝化层30覆盖在晶圆100的第一面110上除压焊点20之外的所有区域并部分覆盖住压焊点20 ；
[0046]3)参见图12，在每一压焊点20上附着导电体40形成若干管芯；具体方法是采用电镀的方法在所述压焊点上生长铜柱、金凸块、锡球或者采用化学镀的方法生长镍金层。
[0047]4)参见图13，对晶圆100的第二面120进行减薄处理后，在晶圆100的第二面120进行金属化沉积，形成金属化层700，然后将金属化层700上贴划片膜200。晶圆100的第二面120与第一面110为相对的两面；
[0048]5)参见图14，从晶圆100的第一面110方向对形成有若干管芯并在晶圆100的第二面120上贴有划片膜200的晶圆进行第一次切割，但不切断划片膜200，使被切割成的若干管芯依然附着在划片膜200上，若干管芯之间形成划片道300 ；
[0049]6)参见图15，在一支撑晶圆400上贴一层连续的双面胶膜500，然后将若干管芯的导电体40和钝化层30贴在双面胶膜500的另一面上，使晶圆100的第二面120朝上；
[0050]7)参见图16，去掉划片膜200，采用同一种环氧树脂600在晶圆100的第二面120上以及管芯之间的划片道内用热压的方法或者用印刷的方法形成塑封，然后对塑封进行减薄处理至规定厚度。
[0051]8)参见图17，将双面胶膜500及支撑晶圆400剥离；
[0052]9)参见图18，从晶圆100的第一面110方向沿着划片道的中央进行第二次切割，切断相邻管芯之间的塑封，形成一颗颗的管芯。
【权利要求】
1.一种五面包封的CSP结构，包括晶粒和附着在所述晶粒表面的压焊点、钝化层以及附着在所述压焊点上的导电体，所述钝化层覆盖在所述晶粒上表面没有被压焊点覆盖的区域且所述钝化层还覆盖在所述压焊点没有被导电体覆盖的区域，其特征在于，所述晶粒的底面以及四周侧面和钝化层的四周侧面被环氧树脂包封；所述晶粒的四周和底面的环氧树脂是同一种材料。
2.如权利要求1所述的五面包封的CSP结构，其特征在于，在所述晶粒背面设置有一金属化层，所述金属化层也被塑封层包封；所述晶粒的四周和底面的环氧树脂是同一种材料。
3.一种五面包封的CSP结构的制造工艺，其特征在于，具体包括如下步骤: 1)制备晶圆； 2)在所述晶圆的第一面上间隔附着若干封装打线用的压焊点及钝化层，其中钝化层覆盖在所述晶圆的第一面上除压焊点之外的所有区域并部分覆盖住所述压焊点； 3)在所述每一压焊点上附着导电体形成若干管芯； 4)对晶圆的第二面进行减薄处理，减薄处理后将晶圆的第二面上贴划片膜，所述晶圆的第二面与第一面为相对的两面； 5)从晶圆的第一面方向对形成有若干管芯并在晶圆的第二面上贴有划片膜的晶圆进行第一次切割，但不切断所述划片膜，使被切割成的若干管芯依然附着在所述划片膜上，若干管芯之间形成划片道； 6)在一支撑晶圆上贴一层连续的双面胶膜，然后将若干管芯的导电体和钝化层贴在所述双面胶膜的另一面上，使所述晶圆的第二面朝上； 7)去掉划片膜，采用环氧树脂在晶圆的第二面上以及管芯之间的划片道内形成塑封； 8)将双面胶膜及支撑晶圆剥离； 9)从晶圆的第一面方向进行第二次切割，切断相邻管芯之间的塑封，形成一颗颗的管-!-HΛ ο
4.如权利要求1所述的五面包封的CSP结构的制造工艺，其特征在于，在所述步骤3)，所述在所述每一压焊点上附着导电体形成若干管芯的方法是采用电镀的方法在所述压焊点上生长铜柱、金凸块、锡球或者采用化学镀的方法生长镍金层。
5.如权利要求1所述的五面包封的CSP结构的制造工艺，其特征在于，在所述步骤4)中，对晶圆的第二面进行减薄处理后，在晶圆的第二面进行金属化沉积，形成金属化层，然后将所述金属化层上贴划片膜。
6.如权利要求1所述的五面包封的CSP结构的制造工艺，其特征在于，在所述步骤7)中，形成塑封的方式是用热压的方法或者用印刷的方法形成塑封。
7.如权利要求1所述的五面包封的CSP结构的制造工艺，其特征在于，在所述步骤7)中，所述塑封进行减薄处理至规定厚度。
8.如权利要求1所述的五面包封的CSP结构的制造工艺，其特征在于，在所述步骤9)中，第二次切割是从所述划片道的中央切断。
【文档编号】H01L21/56GK104347542SQ201410504932
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年9月26日 优先权日:2014年9月26日
【发明者】杨凡力 申请人:上海朕芯微电子科技有限公司