技术总结
本发明公开了一种LTPS阵列基板，包括：第一基板；在所述第一基板上相互绝缘并层叠放置的第一导电层和第二导电层；位于所述第一导电层和所述第二导电层上层叠设置的多晶硅层和层间绝缘层；位于所述层间绝缘层上的源漏金属层，包括源极和漏极，所述源极或所述漏极分别通过层间过孔与所述多晶硅层电连接，且所述源极或所述漏极还通过第一通孔与所述第一导电层电连接。根据本发明制作的LTPS阵列基板可以在不影响开口率的前提下，尽最大可能的增加了存储电容的大小，并且由于本LTPS阵列基板结构的特殊性，可以屏蔽外来电位的影响，进而防止背沟道开启所造成的漏流减小。
技术研发人员：刘博智;朱在稳
受保护的技术使用者：厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
文档号码：201410604206
技术研发日：2014.10.31
技术公布日：2017.10.03