晶片擦洗的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种晶片擦洗机，包括：基体，基体具有一水平的顶面，所述顶面上设置有擦洗仓，在擦洗仓的入口侧和出口侧分别形成进料台和下料台；所述擦洗仓外罩设有防护罩，且进料台和下料台均位于防护罩的内部；防护罩顶面上开设有第一通气孔，所述防护罩底部与所述基体顶面之间形成第二通气孔。本晶片擦洗机，在有效防止外界杂质颗粒进入到晶片擦洗环境中的同时，还能利用由顶部进入防护罩、底部流出的气体带走内部的颗粒，有效减小了内部颗粒量，进而减小了擦洗后残存在晶片表面的颗粒量，大大提高了晶片擦洗质量。
【专利说明】晶片擦洗机
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体制造技术，尤其涉及一种晶片擦洗机。
【背景技术】
[0002]随着大规模集成电路的发展，集成度不断提高、线宽不断减小，对晶片的质量要求也更高，尤其是晶片表面质量。因为，晶片表面上的颗粒会严重影响期间质量和成品率。
[0003]半导体制造过程中很多工序后都要对晶片进行擦洗，以去除表面颗粒。图1为现有技术中的晶片擦洗机的结构示意图；如图1所示，晶片擦洗机的基体10上一般设置有擦洗仓11，基体10顶部对应于擦洗仓11前后分别形成进料台12和下料台13，擦洗仓11内设置有机械手和喷水装置。当需要进行晶片清洁时，可以在进料台12上放置装有晶片的晶片架，在下料台13上放置一未放置晶片的晶片架，然后启动晶片擦洗机，使擦洗仓11内的机械手将进料台12上晶片架内的晶片取下、并移至擦洗仓11内，在擦洗仓11内，喷水装置对晶片喷水、擦洗后，由机械手将晶片移出至下料台13上的晶片架中，至此，完成了一个晶片的擦洗过程。后续，重复上述过程对进料台12上的晶片架中的晶片一一擦洗并最终完全转移至下料台13上的晶片架中。
[0004]虽然现有技术中的晶片擦洗机可以进行擦洗、减少颗粒，但是，擦洗仓前、后的上料台和下料台均处于开放环境中，会导致晶片架中晶片的颗粒增加尤其位于顶层的晶片会附着较多颗粒，引发晶片颗粒量超标，影响擦洗后的晶片质量。
实用新型内容
[0005]针对现有技术中的上述缺陷，本实用新型提供一种晶片擦洗机，减小附着在晶片上的颗粒量，从而提高晶片质量。
[0006]本实用新型提供一种晶片擦洗机，包括:基体，所述基体具有一水平的顶面，所述顶面上设置有擦洗仓，在所述擦洗仓的入口侧和出口侧分别形成进料台和下料台；所述擦洗仓外罩设有防护罩，且所述进料台和下料台均位于所述防护罩的内部；所述防护罩顶面上开设有第一通气孔，所述防护罩底部与所述基体顶面之间形成第二通气孔。
[0007]如上所述的晶片擦洗机，优选地，所述防护罩呈长方体状，所述进料台、擦洗仓和下料台在所述防护罩内沿防护罩的长度方向顺次排列。
[0008]如上所述的晶片擦洗机，优选地，所述防护罩的侧壁底面形成有凹槽，所述凹槽与所述基体的水平顶面形成所述第二通气孔。
[0009]如上所述的晶片擦洗机，优选地，所述第一通气孔为至少两个，每个所述第一通气孔包括排列呈菱形的多个通孔，且相邻的所述通孔之间通过通槽连通。
[0010]如上所述的晶片擦洗机，优选地，所述防护罩顶部还设置有用于滤去外部颗粒的过滤装置。
[0011]如上所述的晶片擦洗机，优选地，所述基体的顶面上并排设置有至少两个擦洗仓，每个所述擦洗仓的前、后两侧分别形成所述进料台和下料台；所述防护罩与所述擦洗仓数量相同，且每个所述擦洗仓及对应的所述进料台和下料台位于同一所述防护罩内。
[0012]如上所述的晶片擦洗机，优选地，在所述防护罩内、且在所述擦洗仓入口侧和出口侧分别设置有一晶片架，两个所述晶片架的晶片抽出口相对、且分别朝擦洗仓设置。
[0013]如上所述的晶片擦洗机，优选地，所述晶片架内插设有用于挡住下方的晶片的挡片。
[0014]本实用新型提供的晶片擦洗机，通过在擦洗仓及前、后进料台和下料台上方设置有防护罩，在有效防止外界杂质颗粒进入到晶片擦洗环境中的同时，还能利用由顶部进入防护罩、底部流出的气体带走内部的颗粒，有效减小了内部颗粒量，进而减小了擦洗后残存在晶片表面的颗粒量，大大提高了晶片擦洗质量。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1为现有技术中的晶片擦洗机的结构示意图；
[0016]图2为本实用新型晶片擦洗机实施例的结构示意图；
[0017]图3为图2的俯视图；
[0018]图4为图3中A向视图；
[0019]图5为图4中I处的放大图；
[0020]图6为图2中晶片架的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021]图2为本实用新型晶片擦洗机实施例的结构示意图；图3为图2的俯视图；请参照图2和图3，本实施例提供一种晶片擦洗机，包括:基体20，基体20具有一水平的顶面，顶面上设置有擦洗仓，在擦洗仓的入口侧和出口侧分别形成进料台和下料台；该擦洗仓外罩设有防护罩，且上述进料台和下料台均位于防护罩3的内部，且防护罩3顶面上开设有第一通气孔31，防护罩3底部与基体10顶面之间形成第二通气孔32。
[0022]具体地，基体20可以大体呈立方体或长方体状，且顶面呈水平设置；基体20顶面上可以设置一个或多个擦洗单元，每个擦洗单元包括一个固定设置在顶面上的擦洗仓，以及分别位于擦洗仓入口侧、出口侧的进料台和处理台。其中，擦洗仓可以用于对晶片实施擦洗，其内部可以设置用于转移晶片的机械手和用于喷淋洗液的喷水装置，擦洗仓的两对两端可以分别设有工晶片进入的入口和供晶片输出的出口 ；而进料台和处理台则可以指基体20顶面对应擦洗仓入口和出口的区域，或者，也可以在基体20顶面上固定设置一导向板，且该导向板又入口穿过擦洗仓、并由出口伸出，以使晶片可以沿导向板更顺畅地移动。
[0023]擦洗仓外可罩设有防护罩3，具体可以由顶板301和侧壁302围成，顶板301位于擦洗仓及进料台和下料台上方，侧壁302可垂直连接在顶板301与基体20顶面之间，具体形状不作特别限定；该防护罩3与基体20顶面之间围成一个容置空腔，擦洗仓和及该擦洗仓对应的进料台和下料台罩设在其内部。优选地，防护罩3可以呈长方体状，上述进料台、擦洗仓和下料台可防护罩3内沿防护罩的长度方向顺次排列。
[0024]防护罩的顶面3上开设多个第一通气孔31，例如，顶板301上开设多个通孔作为第一通气孔31 ;并且，防护罩3底部与基体10顶面之间形成第二通气孔32，即，可以在侧壁302底部开设通孔或通槽作为第二通气孔32，也可以使基体20顶面301对应侧壁302的位置形成凹陷，从而使侧壁302与顶面301之间围成第二通气孔32。
[0025]本实施例提供的晶片擦洗机在工作过程中，外部空气可以从防护罩3顶部的第一通气孔31进入到防护罩3内部，且向底部流动、直至由防护罩3底部的第二通气孔32流出，在该过程中，将防护罩内部的颗粒带走排出，避免这些颗粒留存在擦洗后的晶片上。
[0026]本实施例提供的晶片擦洗机，通过在擦洗仓及前、后进料台和下料台上方设置有防护罩，在有效防止外界杂质颗粒进入到晶片擦洗环境中的同时，还能利用由顶部进入防护罩、底部流出的气体带走内部的颗粒，有效减小了内部颗粒量，进而减小了擦洗后残存在晶片表面的颗粒量，大大提高了晶片擦洗质量。
[0027]图3为图2的俯视图；如图3所示，在本实用新型一实施例中，第一通气孔31可以为至少两个，每个第一通气孔31可包括排列呈菱形的多个通孔310，且相邻的通孔310之间通过通槽连通；这样，每个通孔的尺寸可以很小，以保证将大部分颗粒隔离在外，但多个互相连通的通孔310排成如图3所述的菱形则可以保证进气量、有效促进气体在防护罩3内部到外部之间的循环。
[0028]图4为图3中A向视图；图5为图4中I处的放大图；在本实用新型一优选实施例中，如图4和图5所示，防护罩3的侧壁底面可以形成有凹槽，该凹槽与基体20的水平顶面围成第二通气孔32。
[0029]进一步地，防护罩3的顶部还可以设置有用于滤去外部颗粒的过滤装置；例如，过滤装置可以为设置在顶板301上方或下方固定的过滤网，以进一步滤去外界空气中较细颗粒，进一步提闻擦洗后晶片的质量。
[0030]需要说明的是，本实用新型对基体上设置擦洗仓和防护罩的方式不作限定；例如，请参照图2，基体20的顶面上可并排设置有至少两个擦洗仓，每个擦洗仓的前、后两侧分别形成进料台和下料台；防护罩3与上述擦洗仓数量相同，且每个擦洗仓及对应的进料台和下料台位于同一防护罩3内；或者，多个防护罩3也可以互相固定形成一体，以方便装配。另夕卜，防护罩3可以采用有机玻璃制造，以达到透明可视效果，便于观察内部清洗进展情况。
[0031]更进一步地，在防护罩3内、且在擦洗仓入口侧和出口侧分别设置有一晶片架，两个晶片架的晶片抽出口相对、且分别朝擦洗仓设置；即晶片架的侧面41朝下、另一侧面41朝上放置(如图6所示)，使得晶片架顶部的晶片抽出口朝向擦洗仓的入口或出口，以方便擦洗仓内的机械手方便地将晶片由晶片架的抽出口取出，也能方便地由抽出口放置到另一晶片架中；其中在擦洗前，可以将位于擦洗仓入口侧的晶片架内放置满晶片，另一晶片架内不放晶片，而随着擦洗的进行，入口侧的晶片架的晶片逐渐减少，出口侧的晶片架逐渐增加。
[0032]优选地，如图6所示，晶片架内插设有用于挡住下方的晶片的挡片42;即晶片架以侧面41朝向基体20顶面的方式，使得晶片架顶部的晶片抽出口垂直于基体20顶面；则晶片架内的各晶片均平行与基体20顶面；而挡片42则插设在晶片架内、且在所有晶片的上方(靠近晶片架背离基体20顶面的侧面41处)，从而通过挡片挡住落下的颗粒，避免其落到下方的个晶片上，进一步减小了残留到晶片上的颗粒的量，有利于提闻晶片表面质量。
[0033]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
【权利要求】
1.一种晶片擦洗机，包括:基体，所述基体具有一水平的顶面，所述顶面上设置有擦洗仓，其特征在于，在所述擦洗仓的入口侧和出口侧分别形成进料台和下料台；所述擦洗仓外罩设有防护罩，且所述进料台和下料台均位于所述防护罩的内部；所述防护罩顶面上开设有第一通气孔，所述防护罩底部与所述基体顶面之间形成第二通气孔。
2.根据权利要求1所述的晶片擦洗机，其特征在于，所述防护罩呈长方体状，所述进料台、擦洗仓和下料台在所述防护罩内沿防护罩的长度方向顺次排列。
3.根据权利要求2所述的晶片擦洗机，其特征在于，所述防护罩的侧壁底面形成有凹槽，所述凹槽与所述基体的水平顶面形成所述第二通气孔。
4.根据权利要求1-3任一所述的晶片擦洗机，其特征在于，所述第一通气孔为至少两个，每个所述第一通气孔包括排列呈菱形的多个通孔，且相邻的所述通孔之间通过通槽连通。
5.根据权利要求4所述的晶片擦洗机，其特征在于，所述防护罩顶部还设置有用于滤去外部颗粒的过滤装置。
6.根据权利要求1-3任一所述的晶片擦洗机，其特征在于，所述基体的顶面上并排设置有至少两个擦洗仓，每个所述擦洗仓的前、后两侧分别形成所述进料台和下料台；所述防护罩与所述擦洗仓数量相同，且每个所述擦洗仓及对应的所述进料台和下料台位于同一所述防护罩内。
7.根据权利要求6所述的晶片擦洗机，其特征在于，在所述防护罩内、且在所述擦洗仓入口侧和出口侧分别设置有一晶片架，两个所述晶片架的晶片抽出口相对、且分别朝擦洗仓设置。
8.根据权利要求7所述的晶片擦洗机，其特征在于，所述晶片架内插设有用于挡住下方的晶片的挡片。
【文档编号】H01L21/02GK203674173SQ201420035562
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2014年1月20日 优先权日:2014年1月20日
【发明者】陈定平, 吴远琴, 李明 申请人:北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司