一种高光密度高功率led装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种高光密度高功率LED装置，包括散热基板和LED发光芯片，散热基板上表面的中心区域设有绝缘导热基板，绝缘导热基板的上表面设有LED发光芯片，绝缘导热基板的上表面还设有与LED发光芯片电连接的金属触片，散热基板上表面在中心区域的周围设有绝缘基板，绝缘基板与绝缘导热基板之间具有间隙，绝缘基板上表面设有金属线路层，金属线路层上表面设有油漆层，油漆层上设有与金属线路层电连接的电路引出位，绝缘导热基板上表面的金属触片通过电路连接线与电路引出位电连接。本实用新型的高光密度高功率LED装置既能高效散热，又能实现热电分离，从而降低了电源制作成本，提高了产品的安全性能，降低了灯具制作难度。
【专利说明】一种高光密度高功率LED装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种大功率LED【技术领域】，尤其涉及一种高光密度高功率LED装置。
【背景技术】
[0002]现有高光密度高功率LED产品(10瓦以上产品每平方毫米功率可以超过5瓦)采用铜板上通过导电银浆固定垂直热电一体LED发光芯片，用以实现LED芯片电气连接，以及提供散热通道。此种技术制作的LED光源热电不分离，光源安装后还需要进行二次绝缘处理，使得灯具制作难度提升；所有LED发光芯片只能够以并联的方式连接，电压只有LED芯片电压，也就是4V左右，电流则需要达到20安培或者更高，电源制作成本上升，产品安全性降低。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的是提供一种高光密度高功率LED装置，既能高效散热，又能实现LED发光芯片的热电分离，从而能够在LED发光芯片之间实现串、并连接，使得同等功率降低使用电流四分之三以上，从而降低了电源制作成本，提高了产品的安全性能，且不需要进行二次绝缘处理，降低了灯具制作难度。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供一种高光密度高功率LED装置，包括散热基板和LED发光芯片，所述散热基板上表面的中心区域设有绝缘导热基板，所述绝缘导热基板的上表面设有所述LED发光芯片，所述绝缘导热基板的上表面还设有与所述LED发光芯片电连接的金属触片，所述散热基板上表面在中心区域的周围设有绝缘基板，所述绝缘基板与所述绝缘导热基板之间具有间隙，所述绝缘基板上表面设有金属线路层，所述金属线路层上表面设有油漆层，所述油漆层上设有与所述金属线路层电连接的电路引出位，所述绝缘导热基板上表面的金属触片通过电路连接线与所述电路引出位电连接。
[0005]通过在散热基板上设置绝缘导热基板，在绝缘导热基板上设置LED发光芯片，从而LED发光芯片的热量可以通过绝缘导热基板传导至散热基板进行高效散热，通过在散热基板上设置绝缘基板，在绝缘基板上设置金属线路层，在金属线路层上设置油漆层，在油漆层上设置电路引出位与金属线路层电连接，而电路引出位又通过电路连接线与绝缘导热基板上的金属触片电连接，绝缘导热基板上的金属触片又与LED发光芯片电连接，从而LED发光芯片可以通过电路连接线、电路引出位与金属线路层实现电的导通，而热绝缘导热基板和绝缘基板之间又有间隙，从而该高光密度高功率LED装置在保证高效散热的同时又实现了 LED发光芯片电的导通，而且LED发光芯片的热和电彼此分离，从而能够在LED发光芯片之间实现串、并连接，使得同等功率降低使用电流四分之三以上，提升了电源转换效率，从而降低了电源制作成本，降低了产品使用成本，节约了能源的使用，提高了产品的安全性能，且不需要进行二次绝缘处理，简化了产品后期的制作工艺，降低了灯具制作难度。
[0006]作为本实用新型的进一步改进，所述LED发光芯片通过第一共晶层共晶焊接连接在所述绝缘导热基板上表面，所述绝缘导热基板通过第二共晶层共晶焊接连接在所述散热基板上表面。采用共晶焊接的方式使得LED发光芯片与绝缘导热基板连接，以及使得绝缘导热基板与散热基板连接，能够使得LED发光芯片和绝缘导热基板更加稳固，从而可以进一步保证高效散热。
[0007]作为本实用新型的更进一步改进，所述电路引出位和金属触片均分别有多个，所述电路连接线有多条，所述电路引出位、金属触片和电路连接线的数量均相同，所述的多个电路引出位均匀分布在所述LED发光芯片的周围，所述的多个金属触片分布在所述的多个电路引出位的周围，且各金属触片通过一所述电路连接线垂直连接一所述电路引出位。
[0008]作为本实用新型的更进一步改进，所述电路引出位有两个，所述金属触片有四个，所述电路连接线有四条，所述的两个电路引出位、四个金属触片和四条电路连接线均位于所述LED发光芯片的同一侧，各所述电路引出位通过两条电路连接线连接至两个金属触片，所述的两个电路引出位位于同一水平线上，所述的四个金属触片位于同一水平线上，所述的两个电路引出位所在水平线与所述的四个金属触片所在水平线平行，各所述电路连接线的长度相同。
[0009]通过以下的描述并结合附图，本实用新型将变得更加清晰，这些附图用于解释本实用新型的实施例。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型中的高光密度高功率LED装置实施例一的示意图。
[0011]图2为图1的侧视图。
[0012]图3为本实用新型中的高光密度高功率LED装置实施例二的示意图。
[0013]图4为图3的侧视图。
[0014]图5为本实用新型中的高光密度高功率LED装置实施例三的示意图。
[0015]图6为图5的侧视图。
[0016]图7为高光密度高功率LED装置的示意图。
【具体实施方式】
[0017]现在参考附图描述本实用新型的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元件。
[0018]实施例一
[0019]请参考图1、图2和图7，所述的高光密度高功率LED装置包括散热基板1，所述散热基板I上表面的中心区域设有绝缘导热基板2，所述绝缘导热基板2的上表面设有所述LED发光芯片3，从而LED发光芯片3的热量可以通过绝缘导热基板2传导至散热基板I进行高效散热。所述绝缘导热基板2的上表面还设有与所述LED发光芯片3电连接的金属触片4。所述散热基板2上表面在中心区域的周围设有绝缘基板5，所述绝缘基板5与所述绝缘导热基板2之间具有间隙，所述绝缘基板5上表面设有金属线路层6，所述金属线路层6上表面设有油漆层7，所述油漆层7上设有与所述金属线路层6电连接的电路引出位8，所述绝缘导热基板2上表面的金属触片4通过电路连接线9与所述电路引出位8电连接，即LED发光芯片3通过电路引出位8和金属线路层6实现电导通。
[0020]进一步说明的是，所述LED发光芯片3通过第一共晶层10共晶焊接连接在所述绝缘导热基板2上表面，所述绝缘导热基板2通过第二共晶层11共晶焊接连接在所述散热基板I上表面。
[0021]进一步说明的是，所述电路引出位8和金属触片4均分别有多个，所述电路连接线9有多条，所述电路引出位8、金属触片4和电路连接线9的数量均相同，所述的多个电路引出位8均匀分布在所述LED发光芯片3的周围并构成方形结构，所述的多个金属触片4分布在所述的多个电路引出位8的周围，且各金属触片4通过一所述电路连接线9垂直连接一所述电路引出位8，该方形结构其中两条相邻的边上的电路连接线9均分别按照顺时针方向由短变长分布，另两条相邻的边中的其中一条边上的电路连接线9是按照顺时针方向由长变短再变长分布，另一条边上的电路连接线9是按照顺时针方向由短变长再变短分布。
[0022]由于LED发光芯片3通过绝缘导热基板2与所述散热基板I之间实现热传递，达到散热的目的，通过电路连接线9与所述金属线路层6之间实现电导通，绝缘导热基板2与绝缘基板5之间存在间隙，从而使得LED发光芯片3的散热和电导通相互分离，彼此独立，从而能够在LED发光芯片之间实现串、并连接，使得同等功率降低使用电流四分之三以上，提升了电源转换效率，从而降低了电源制作成本，降低了产品使用成本，节约了能源的使用，提高了产品的安全性能，且不需要进行二次绝缘处理，简化了产品后期的制作工艺，降低了灯具制作难度，还能够保证LED发光芯片的高效散热。
[0023]实施例二
[0024]请参考图3、图4和图7，本实施例与上述实施例一的区别仅在于:该方形结构的四条边上的电路连接线9均分别按照顺时针方向由短变长分布。本实施例与上述实施例效果相同，在此不赘述。
[0025]实施例三
[0026]请参考图5、图6和图7，本实施例与上述实施例一的区别仅在于:所述电路引出位8有两个，所述金属触片4有四个，所述电路连接线9有四条，所述的两个电路引出位8、四个金属触片4和四条电路连接线9均位于所述LED发光芯片3的同一侧，各所述电路引出位8通过两条电路连接线9连接至两个金属触片4，所述的两个电路引出位8位于同一水平线上，所述的四个金属触片4位于同一水平线上，所述的两个电路引出位8所在水平线与所述的四个金属触片4所在水平线平行，各所述电路连接线9的长度相同。本实施例与上述实施例效果相同，在此不赘述。
[0027]以上结合最佳实施例对本实用新型进行了描述，但本实用新型并不局限于以上揭示的实施例，而应当涵盖各种根据本实用新型的本质进行的修改、等效组合。
【权利要求】
1.一种高光密度高功率LED装置，包括散热基板和LED发光芯片，其特征在于:所述散热基板上表面的中心区域设有绝缘导热基板，所述绝缘导热基板的上表面设有所述LED发光芯片，所述绝缘导热基板的上表面还设有与所述LED发光芯片电连接的金属触片，所述散热基板上表面在中心区域的周围设有绝缘基板，所述绝缘基板与所述绝缘导热基板之间具有间隙，所述绝缘基板上表面设有金属线路层，所述金属线路层上表面设有油漆层，所述油漆层上设有与所述金属线路层电连接的电路引出位，所述绝缘导热基板上表面的金属触片通过电路连接线与所述电路引出位电连接。
2.如权利要求1所述的高光密度高功率LED装置，其特征在于:所述LED发光芯片通过第一共晶层共晶焊接连接在所述绝缘导热基板上表面，所述绝缘导热基板通过第二共晶层共晶焊接连接在所述散热基板上表面。
3.如权利要求2所述的高光密度高功率LED装置，其特征在于:所述电路引出位和金属触片均分别有多个，所述电路连接线有多条，所述电路引出位、金属触片和电路连接线的数量均相同，所述的多个电路引出位均匀分布在所述LED发光芯片的周围，所述的多个金属触片分布在所述的多个电路引出位的周围，且各金属触片通过一所述电路连接线垂直连接一所述电路引出位。
4.如权利要求2所述的高光密度高功率LED装置，其特征在于:所述电路引出位有两个，所述金属触片有四个，所述电路连接线有四条，所述的两个电路引出位、四个金属触片和四条电路连接线均位于所述LED发光芯片的同一侧，各所述电路引出位通过两条电路连接线连接至两个金属触片，所述的两个电路引出位位于同一水平线上，所述的四个金属触片位于同一水平线上，所述的两个电路引出位所在水平线与所述的四个金属触片所在水平线平行，各所述电路连接线的长度相同。
【文档编号】H01L33/64GK203967123SQ201420402694
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年7月21日 优先权日:2014年7月21日
【发明者】张伟, 肖亮 申请人:广州市添鑫光电有限公司