一种去磷硅玻璃清洗的制造方法

文档序号:7084080
一种去磷硅玻璃清洗的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种去磷硅玻璃清洗机,用于清洗晶硅太阳能电池的硅片,包括用于去除硅片正面的磷硅玻璃的HF酸槽和用于去除硅片背面和边缘的N型硅的刻蚀槽;所述HF酸槽设于所述刻蚀槽之前。采用本实用新型,硅片先经过HF酸槽的去磷硅玻璃处理,然后再经过刻蚀槽的去除硅片背面和边缘的N型硅处理,硅片正面边缘的PN结就不会被刻蚀掉,从而不影响电池的光电转换效率。
【专利说明】一种去磷硅玻璃清洗机

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电池【技术领域】,尤其涉及一种制作晶硅太阳电池的去磷硅玻璃清洗机。

【背景技术】
[0002]太阳能电池是一种有效地吸收太阳辐射能,利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P-N结(P-N Junct1n)上,形成新的空穴-电子对(V_Epair),在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。由于是利用各种势垒的光生伏特效应将太阳光能转换成电能的固体半导体器件,故又称太阳能电池或光伏电池,是太阳能电池阵电源系统的重要组件。太阳能电池主要有晶硅(Si)电池,三五族半导体电池(GaAs,Cds/Cu2S, Cds/CdTe, Cds/InP, CdTe/Cu2Te),无机电池,有机电池等,其中晶硅太阳能电池居市场主流主导地位。晶硅太阳能电池的基本材料为纯度达0.999999、电阻率在10欧?厘米以上的P型单晶硅,包括正面绒面、正面p_n结、正面减反射膜、正背面电极等部分。
[0003]晶硅太阳能电池的制造工艺有6个主要步骤,分别为制绒,扩散,去磷硅玻璃和背结,镀膜,丝网印刷,烧结。其中去磷硅玻璃和背结采用化学刻蚀的原理,业界使用的是去磷硅玻璃链式清洗机。该清洗机由7个槽构成,分别为刻蚀槽,水槽,碱槽,水槽,HF酸槽,水槽,风干槽。刻蚀槽的作用是去除硅片背面和边缘的N型硅;HF酸槽的作用是去除硅片正面的磷硅玻璃。
[0004]磷硅玻璃是硅片扩散后的副产物,是亲水的。当硅片通过去磷硅玻璃链式清洗机时,部分刻蚀液会从硅片边缘渗透到硅片的正面,硅片正面边缘的部分PN结会被刻蚀掉。因此,电池的开路电压和短路电流就会受到影响,最终降低电池的光电转换效率。
实用新型内容
[0005]本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种不会降低太阳电池的光电转换效率的去磷硅玻璃清洗机。
[0006]为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种去磷硅玻璃清洗机,用于清洗晶娃太阳能电池的娃片,依次包括用于去除娃片正面的磷娃玻璃的HF酸槽和用于去除娃片背面和边缘的N型硅的刻蚀槽;所述HF酸槽设于所述刻蚀槽之前。
[0007]作为上述方案的改进,所述HF酸槽和刻蚀槽之间还设有第一碱槽、第一风干槽;
[0008]所述HF酸槽、第一碱槽、第一风干槽和刻蚀槽依次相连。
[0009]作为上述方案的改进,所述HF酸槽和第一碱槽之间设有第一水槽。
[0010]作为上述方案的改进,所述第一碱槽和第一风干槽之间设有第二水槽。
[0011]作为上述方案的改进,所述HF酸槽、第一水槽、第一碱槽、第二水槽、第一风干槽、刻蚀槽依次相连。
[0012]作为上述方案的改进,所述去磷硅玻璃清洗机还包括第二碱槽、第二风干槽,所述第二碱槽、第二风干槽设于所述刻蚀槽之后。
[0013]作为上述方案的改进,所述第二碱槽和刻蚀槽之间还设有第三水槽。
[0014]作为上述方案的改进,所述第二碱槽和第二风干槽之间还设有第四水槽。
[0015]作为上述方案的改进,所述HF酸槽、第一水槽、第一碱槽、第二水槽、第一风干槽、刻蚀槽、第三水槽、第二碱槽、第四水槽和第二风干槽依次相连。
[0016]实施本实用新型,具有如下有益效果:
[0017]本实用新型提供了一种去磷硅玻璃清洗机,包括用于去除硅片正面的磷硅玻璃的HF酸槽和用于去除硅片背面和边缘的N型硅的刻蚀槽,所述HF酸槽设于刻蚀槽之前。本实用新型去磷硅玻璃清洗机的HF酸槽设于刻蚀槽之前,硅片先经过HF酸槽的去磷硅玻璃处理,然后再经过刻蚀槽的去除硅片背面和边缘的N型硅处理,硅片正面的磷硅玻璃首先被去除掉后,硅片正面处于脱水的状态。当硅片再进入刻蚀槽时,刻蚀液不会从硅片边缘渗透到硅片正面。硅片正面边缘的PN结就不会被刻蚀掉,从而不影响电池的光电转换效率。

【专利附图】

【附图说明】
[0018]图1是现有去磷硅玻璃清洗机的结构示意图;
[0019]图2是本实用新型去磷硅玻璃清洗机的结构示意图。

【具体实施方式】
[0020]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
[0021]参见图1,图1显示了现有去磷硅玻璃清洗机,该清洗机由7个槽构成,分别为刻蚀槽1,水槽2,碱槽3,水槽4,HF酸槽5,水槽6,风干槽7。
[0022]其中,刻蚀槽I的作用是去除硅片背面和边缘的N型硅;HF酸槽5的作用是去除硅片正面的磷硅玻璃。
[0023]磷硅玻璃是硅片扩散后的副产物,是亲水的。硅片先经过刻蚀槽I再经过HF酸槽5,当硅片通过刻蚀槽I时,部分刻蚀液会从硅片边缘渗透到硅片的正面,硅片正面边缘的部分PN结会被刻蚀掉。因此,电池的开路电压和短路电流就会受到影响,最终降低电池的光电转换效率。
[0024]参见图2,本实用新型提供了一种去磷硅玻璃清洗机,用于清洗晶硅太阳能电池的硅片,依次包括用于去除硅片正面的磷硅玻璃的HF酸槽I和用于去除硅片背面和边缘的N型娃的刻蚀槽6 ;所述HF酸槽I设于所述刻蚀槽6之前。
[0025]具体的,所述HF酸槽I和刻蚀槽6之间还设有第一碱槽3、第一风干槽5 ;所述HF酸槽1、第一碱槽3、第一风干槽5和刻蚀槽6依次相连。
[0026]所述HF酸槽I和第一碱槽3之间设有第一水槽2。
[0027]所述第一碱槽3和第一风干槽5之间设有第二水槽4。
[0028]即,所述HF酸槽1、第一水槽2、第一碱槽3、第二水槽4、第一风干槽5、刻蚀槽6依次相连。
[0029]进一步,作为本实用新型优选的实施方式,所述去磷硅玻璃清洗机还包括第二碱槽8、第二风干槽10,所述第二碱槽8、第二风干槽10设于所述刻蚀槽6之后。
[0030]所述第二碱槽8和刻蚀槽6之间还设有第三水槽7。
[0031]所述第二碱槽8和第二风干槽10之间还设有第四水槽9。
[0032]S卩,所述HF酸槽1、第一水槽2、第一碱槽3、第二水槽4、第一风干槽5、刻蚀槽6、第三水槽7、第二碱槽8、第四水槽9和第二风干槽10依次相连。
[0033]与图1所示的现有去磷硅玻璃清洗机相比,本实用新型在刻蚀槽6的前端增加了HF酸槽1、第一水槽2、第一碱槽3、第二水槽4、第一风干槽5等五个槽,再将刻蚀槽6后端的HF酸槽和水槽去掉。
[0034]本实用新型去磷硅玻璃清洗机的HF酸槽I设于刻蚀槽6之前,硅片先经过HF酸槽I的去磷硅玻璃处理,然后再经过刻蚀槽6的去除硅片背面和边缘的N型硅处理,即将传统去磷硅玻璃清洗机的两个功能改变先后顺序。
[0035]硅片正面的磷硅玻璃首先被去除掉后,硅片正面处于脱水的状态。当硅片再进入刻蚀槽6时,刻蚀液不会从硅片边缘渗透到硅片正面。硅片正面边缘的PN结就不会被刻蚀掉,从而不影响电池的光电转换效率。
[0036]以上所述是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本【技术领域】的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种去磷硅玻璃清洗机,用于清洗晶硅太阳能电池的硅片,其特征在于,包括用于去除硅片正面的磷硅玻璃的HF酸槽和用于去除硅片背面和边缘的N型硅的刻蚀槽; 所述HF酸槽设于所述刻蚀槽之前。
2.如权利要求1所述的去磷硅玻璃清洗机,其特征在于,所述HF酸槽和刻蚀槽之间还设有第一碱槽、第一风干槽; 所述HF酸槽、第一碱槽、第一风干槽和刻蚀槽依次相连。
3.如权利要求2所述的去磷硅玻璃清洗机,其特征在于,所述HF酸槽和第一碱槽之间设有第一水槽。
4.如权利要求3所述的去磷硅玻璃清洗机,其特征在于,所述第一碱槽和第一风干槽之间设有第二水槽。
5.如权利要求4所述的去磷硅玻璃清洗机,其特征在于,所述HF酸槽、第一水槽、第一碱槽、第二水槽、第一风干槽、刻蚀槽依次相连。
6.如权利要求5所述的去磷硅玻璃清洗机,其特征在于,所述去磷硅玻璃清洗机还包括第二碱槽、第二风干槽,所述第二碱槽、第二风干槽设于所述刻蚀槽之后。
7.如权利要求6所述的去磷硅玻璃清洗机,其特征在于,所述第二碱槽和刻蚀槽之间还设有第三水槽。
8.如权利要求7所述的去磷硅玻璃清洗机,其特征在于,所述第二碱槽和第二风干槽之间还设有第四水槽。
9.如权利要求8所述的去磷硅玻璃清洗机,其特征在于,所述HF酸槽、第一水槽、第一碱槽、第二水槽、第一风干槽、刻蚀槽、第三水槽、第二碱槽、第四水槽和第二风干槽依次相连。
【文档编号】H01L31/18GK204118040SQ201420404074
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年7月22日 优先权日:2014年7月22日
【发明者】方结彬, 秦崇德, 石强, 何达能, 陈刚 申请人:广东爱康太阳能科技有限公司
再多了解一些
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1