一种高互调防水3dB电桥的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种高互调防水3dB电桥，包括腔体和所述腔体两侧的端口，所述腔体包括腔体内设置的耦合传输棒、腔体上方的内盖板和内盖板上方的外盖板，所述耦合传输棒为上下两层交叉叠加，两层之间为铁氟龙支撑架，所述腔体边缘设置有防水凹槽，并配有防水垫圈，所述防水凹槽与内盖板相一致。本实用新型高互调防水3dB电桥，采用CNC精密机加方式，保证产品传输表面的光洁度和粗糙度，使得实现产品的低插损、高互调的性能；选用高性能的DIN接头作为器件的输入输出接头，DIN接头的功率容量可以达到500W以上，互调可以达到-160dBc以下，保证产品整体性能达到高功率、高互调的要求；腔体边缘设置有防水凹槽，并配有防水垫圈，防水等级为IP65。
【专利说明】—种高互调防水3dB电桥
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电桥【技术领域】，具体是涉及一种高互调防水3dB电桥。
【背景技术】
[0002]随着通信技术的不断进步与发展，中国的移动通信也经历了从2G到3G，再到4G的发展历程。在这个过程中，每一次新的制式的商用，都需要保持对原有制式的支持。发展到今天，一个完整的通信系统，同时包含了 2G、3G和4G，进而在室分系统中，因各制式的叠加，对传载通道的功率、互调等电性能的要求，也在不断的被提高。
[0003]3dB电桥是一宗四端口微波无源器件，3dB电桥广泛应用于无线分布系统中对信号的合成或者把一个信号分成两个没有相互干扰的信号。
[0004]目前市场主流3dB电桥支持的频段为800?2500MHz，而4G通信系统的LTED频段已高达2690MHz，进而必须提高产品的传输带宽。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于提供一种高互调、高功率的防水3dB电桥。
[0006]一种高互调防水3dB电桥，包括腔体和所述腔体两侧的端口，所述腔体包括腔体内设置的耦合传输棒、腔体上方的内盖板和内盖板上方的外盖板，所述耦合传输棒为上下两层交叉叠加，两层之间为铁氟龙支撑架，所述腔体边缘设置有防水凹槽，并配有防水垫圈，所述防水凹槽与内盖板相一致。
[0007]优选地，所述稱合传输棒包括三节传输导体，传输导体每节长40mm,宽6mm,高0.8mmο
[0008]优选地，所述传输导体最后一节侧边设置有匹配块。
[0009]优选地，所述端口选用DIN接头。
[0010]优选地，所述端口分为输入和输出端口，分设于腔体两侧。
[0011]优选地，所述腔体防水等级为IP65。
[0012]本实用新型高互调防水3dB电桥，采用CNC精密机加方式，保证产品传输表面的光洁度和粗糙度，使得实现产品的低插损、高互调的性能；选用高性能的DIN接头作为器件的输入输出接头，DIN接头的功率容量可以达到500W以上，互调可以达到-160dBc以下，保证产品整体性能达到高功率、高互调的要求；腔体边缘设置有防水凹槽，并配有防水垫圈，防水等级为IP65。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型一种高互调防水3dB电桥爆炸结构示意图。
[0014]图中标号说明如下:1-腔体，2-端口，3-1禹合传输棒,4-防水凹槽,5-内盖板，6-外盖板。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本实用新型的技术方案。
[0016]图1为本实用新型一种高互调防水3dB电桥爆炸结构示意图，包括腔体I和所述腔体两侧的端口 2。
[0017]腔体I包括腔体I内设置的耦合传输棒3、腔体I上方的内盖板5和内盖板5上方的外盖板6,腔体I边缘设置有防水凹槽4,并配有防水垫圈，防水凹槽4与内盖板5相一致；耦合传输棒3为上下两层交叉叠加，两层之间为铁氟龙支撑架，所述，所述耦合传输棒3包括三节传输导体，传输导体每节长40mm,宽6mm,高0.8mm,传输导体最后一节侧边设置有匹配块。
[0018]端口 2选用DIN接头，端口 2分为输入和输出端口，分设于腔体I两侧。
[0019]采用上下两层耦合棒交叉叠加的方式，两层之间采用铁氟龙支撑架的方式，保证批量生产工艺的一致性和性能的稳定性；传输导体采用0.8mm厚的铜棒，3节设计，每节40mm长,根据阻抗变换和射频传输特性,每节宽度6_左右，并在传输棒的最后一节侧边增加匹配块，实现整体的阻抗匹配。
[0020]根据电磁场电磁波传输的趋肤效应特性，腔体、盖板材质选用高导电率的铝合金，表面采取镀银工艺，镀银层厚度达到6微米，保证射频性能在器件的内表面高效传输。
[0021]采用CNC精密机加方式，可以保证产品性能传输表面的光洁度和粗糙度，使得实现广品的低插损、闻互调的性能。
[0022]选用高性能的DIN接头作为器件的输入输出接头，DIN接头的功率容量可以达到500W以上，互调可以达到-160dBc以下，可以保证产品整体性能达到设计要求。
[0023]在防水设计方面，选用的接头具有防水功能，在接头的法兰加凹槽，并使用防水垫圈密封。腔体整体防水设计采用内、外两块盖板的方式:内盖板实现功能，外盖板与腔体通过防水垫圈的方式实现防水，防水等级可达到IP65。
[0024]上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通工程技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。
【权利要求】
1.一种高互调防水3dB电桥，其特征在于:包括腔体和所述腔体两侧的端口，所述腔体包括腔体内设置的耦合传输棒、腔体上方的内盖板和内盖板上方的外盖板，所述耦合传输棒为上下两层交叉叠加，两层之间为铁氟龙支撑架，所述腔体边缘设置有防水凹槽，并配有防水垫圈，所述防水凹槽与内盖板相一致。
2.如权利要求1所述的高互调防水3dB电桥，其特征在于，所述耦合传输棒包括三节传输导体，传输导体每节长40mm,宽6mm,高0.8mm。
3.如权利要求2所述的高互调防水3dB电桥，其特征在于，所述传输导体最后一节侧边设置有匹配块。
4.如权利要求1所述的高互调防水3dB电桥，其特征在于，所述端口选用DIN接头。
5.如权利要求4所述的高互调防水3dB电桥，其特征在于，所述端口分为输入和输出端口，分设于腔体两侧。
6.如权利要求1所述的高互调防水3dB电桥，其特征在于，所述腔体防水等级为IP65。
【文档编号】H01P5/12GK204103018SQ201420429387
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年8月1日 优先权日:2014年8月1日
【发明者】马玉国 申请人:上海鑫众通信技术有限公司