一种igbt铝碳化硅基板u型孔结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种IGBT铝碳化硅基板U型孔结构，包括由铝碳化硅制成的基板；所述基板的加工孔处由铝构成；所述加工孔为延应力方向开设的U型孔。本实用新型的IGBT铝碳化硅基板U型孔结构；可有效的减少孔位处的铝，并U型孔延应力方向设置或根据具体要求进行开口，其角度范围可做到35.95°~90°，铝的减少和U型方向眼应力方向会减少铝与铝碳化硅由于热循环集聚的内应力，从而解决铝与铝碳化硅的开裂问题；同时这种结构不与现有的安装方式冲突。
【专利说明】一种IGBT铝碳化硅基板U型孔结构
【技术领域】
[0001]本实用涉及一种IGBT铝碳化硅基板U型孔结构，属于IGBT加工配件领域。
【背景技术】
[0002]IGBT的E2基板采用铝碳化硅材料，由于铝碳化硅加工困难，所以加工部分都采用留铝，如图1所示，现有的技术中在铝上加工，为圆孔结构；但铝与铝碳化硅的热膨胀系数差异较大，会产生较大的内部应力，长时间的热循环会出现铝与铝碳化硅开裂的现象，如图2所示，导致IGBT不可修复性损坏。
实用新型内容
[0003](一)要解决的技术问题
[0004]为解决上述问题，本实用新型提出了一种IGBT铝碳化硅基板U型孔结构，减少两种材料的内应力的集聚，并使应力得到有效的释放；能够在大功率下运行，不会出现铝与铝碳化硅开裂。
[0005]( 二 )技术方案
[0006]本实用新型的IGBT铝碳化硅基板U型孔结构，包括由铝碳化硅制成的基板；所述基板的加工孔处由铝构成；所述加工孔为延应力方向开设的U型孔。
[0007]进一步地，所述U型孔的开口方向为延热膨胀方向偏差±5°开设；能够使应力得到有效的释放。
[0008]进一步地，所述U型孔的开口方向为沿基板35.95°?90°开设，可以根据具体要求进行设置。
[0009](三)有益效果
[0010]本实用新型与现有技术相比较，其具有以下有益效果:本实用新型的IGBT铝碳化硅基板U型孔结构；可有效的减少孔位处的铝，并U型孔延应力方向设置或根据具体要求进行开口，其角度范围可做到35.95°?90°，铝的减少和U型方向眼应力方向会减少铝与铝碳化硅由于热循环集聚的内应力，从而解决铝与铝碳化硅的开裂问题；同时这种结构不与现有的安装方式冲突。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1是本实用新型的实施例1加工孔结构图；
[0012]图2是本实用新型的实施例2加工孔结构图。
【具体实施方式】
[0013]实施例1
[0014]如图1所示的IGBT铝碳化硅基板U型孔结构，本实用新型的IGBT铝碳化硅基板U型孔结构，包括由铝碳化硅制成的基板；所述基板的加工孔处由铝构成；所述加工孔为延应力方向开设的U型孔；所述U型孔的开口方向为延热膨胀方向偏差±5°开设；能够使应力得到有效的释放。
[0015]如图2所示的IGBT铝碳化硅基板U型孔结构，所述U型孔的开口方向为沿基板35.95°?90°开设，可以根据具体要求进行设置。
[0016]上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的构思和范围进行限定。在不脱离本实用新型设计构思的前提下，本领域普通人员对本实用新型的技术方案做出的各种变型和改进，均应落入到本实用新型的保护范围，本实用新型请求保护的技术内容，已经全部记载在权利要求书中。
【权利要求】
1.一种IGBT铝碳化硅基板U型孔结构，包括由铝碳化硅制成的基板；所述基板的加工孔处由铝构成；其特征在于；所述加工孔为延应力方向开设的U型孔。
2.根据权利要求1所述的IGBT铝碳化硅基板U型孔结构，其特征在于:所述U型孔的开口方向为延热膨胀方向偏差±5°开设。
3.根据权利要求1所述的IGBT铝碳化硅基板U型孔结构，其特征在于:所述U型孔的开口方向为沿基板35.95°、0°开设。
【文档编号】H01L29/06GK204179088SQ201420439818
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年8月6日 优先权日:2014年8月6日
【发明者】张联洲 申请人:西安明科微电子材料有限公司