一种大电流高压硅堆清洗装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种大电流高压硅堆清洗装置，包括机架、清洗池、机械臂及移动导轨；所述清洗池、机械臂及移动导轨均安装在机架的内部，且机械臂及移动导轨位于清洗池的上端，所述清洗池包括沿着移动导轨长轴方向依次分布的HF液清洗池、一级HF溢水清洗池、二级HF溢水清洗池、一级KOH清洗池、二级KOH清洗池、一级喷淋溢水清洗池、二级喷淋溢水清洗池、EDTA-2超声清洗池、一级超声清洗溢水清洗池、超声清洗池、二级超声清洗溢水清洗池、一级丙酮脱水池、二级丙酮脱水池，在二级KOH清洗池与一级喷淋溢水清洗池之间设置有喷淋嘴。本实用新型的优点在于：利用本装置对焊接后的大电流高压硅堆进行清沟，可以很好的去除附着在高压硅堆表面的杂质。
【专利说明】一种大电流高压硅堆清洗装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种高压硅堆加工装置，特别涉及一种大电流高压硅堆清洗装置。
【背景技术】
[0002]高压硅堆由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成，是高压整流中将交流变成直流必不可少的原件。由于高压整流是以阴极射线扫描的方式呈现图像的屏幕(包括老式电视机，电脑屏幕)中必不可少的部分。有很多厂家生产高压硅堆。电压从1-10001^；电流从1111^?100八不等。
[0003]目前，在行业生产中，对于电流在350—以下的高压硅堆称为下电流高压硅堆。对于小电流闻压娃堆在生广的过程中，会有一道焊接工序，而在焊接工序后，在小电流闻压娃堆表面长会附着有焊油、灰尘、水汽等杂质，如果直接将这样的高压硅堆作为成品使用，会对其耐久性、可靠性等性能造成影响，因此研究出一种大电流高压硅堆清洗装置以去除其表面的杂质势在必行。
【发明内容】
[0004]本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够很好的将高压硅堆表面的杂质清洗的大电流高压硅堆清洗装置。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为:一种大电流高压硅堆清洗装置，其创新点在于:包括机架、清洗池、机械臂及移动导轨；
[0006]所述清洗池、机械臂及移动导轨均安装在机架的内部，且机械臂及移动导轨位于清洗池的上端，所述移动导轨沿着机架的长轴方向延伸，机械臂安装在移动导轨上，并且沿着移动导轨的延伸方向进行延伸；
[0007]所述清洗池包括沿着移动导轨长轴方向依次分布的册液清洗池、一级册溢水清洗池、二级册溢水清洗池、一级1(0?清洗池、二级1(0?清洗池、一级喷淋溢水清洗池、二级喷淋溢水清洗池、￡01^-2超声清洗池、一级超声清洗溢水清洗池、超声清洗池、二级超声清洗溢水清洗池、一级丙酮脱水池、二级丙酮脱水池，在二级1(0?清洗池与一级喷淋溢水清洗池之间设置有喷淋嘴。
[0008]进一步的，所述机架上还安装有清水喷嘴，所述清水喷嘴有数个，均匀安装在清洗池的两端。
[0009]本实用新型的优点在于:利用本装置对焊接后的大电流高压硅堆进行清沟，可以很好的去除附着在高压硅堆表面的焊油、水汽等杂质，相应的增加其耐久性及可靠性；在清洗池的旁侧设置清水喷嘴可供人员清洗，防止其沾染上酸性溶液而得不到及时的清洗。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的大电流高压硅堆清洗装置的示意图。
【具体实施方式】
[0011]如图1所示的示意图可知，本实用新型的大电流高压硅堆清洗装置包括机架18、清洗池、机械臂1及移动导轨2。
[0012]清洗池、机械臂1及移动导轨2均安装在机架18的内部，且机械臂1及移动导轨2位于清洗池的上端，移动导轨2沿着机架18的长轴方向延伸，机械臂1安装在移动导轨2上，并且沿着移动导轨2的延伸方向进行延伸。
[0013]在机架18上还安装有清水喷嘴4，清水喷嘴4有数个，均匀安装在清洗池的两端。
[0014]清洗池包括沿着移动导轨2长轴方向依次分布的册液清洗池5、一级册溢水清洗池6、二级册溢水清洗池7、一级1(0?清洗池8、二级1(0?清洗池9、一级喷淋溢水清洗池10、二级喷淋溢水清洗池11、￡01^-2超声清洗池12、一级超声清洗溢水清洗池13、超声清洗池14、二级超声清洗溢水清洗池15、一级丙酮脱水池16、二级丙酮脱水池17，在二级1(0?清洗池9与一级喷淋溢水清洗池10之间设置有喷淋嘴3。
[0015]第一步，首先，利用机械臂将高压硅堆放入册溶液中浸泡。
[0016]第二步，将经过册溶液浸泡后的高压硅堆放入溢水中清洗。
[0017]在本步骤中，溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗。
[0018]第三步，然后，利用机械臂将高压硅堆放入1(0?溶液中进行清洗。
[0019]在本步骤中，1(0?溶液清洗一共有两道工序，分别为第一级1(0?溶液清洗及第二级1(0?溶液清洗。
[0020]第四步，将经过1(0?溶液浸泡后的高压硅堆进行喷淋处理。
[0021]第五步，将经过喷淋后的高压硅堆放入溢水中清洗。
[0022]在本步骤中，溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗。
[0023]第六步，再将高压硅堆利用201^-2版1超声清洗。
[0024]第七步，将经过201八-2似超声清洗后的高压硅堆进行溢水清洗。
[0025]在本步骤中，溢水清洗一共有两道清洗工序，分别为一级溢水清洗及二级溢水清洗。
[0026]同时，在本步骤中的一级溢水清洗与二级溢水清洗之间还增设有超声清洗工序。
[0027]第八步，将高压硅堆进行丙酮脱水处理。
[0028]在本步骤中，丙酮脱水处理一共有两道工序，分别为一级丙酮脱水处理及二级丙酮脱水处理。
[0029]第九步，最后，利用热队将高压硅堆吹干。
[0030]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种大电流高压硅堆清洗装置，其特征在于:包括机架、清洗池、机械臂及移动导轨；所述清洗池、机械臂及移动导轨均安装在机架的内部，且机械臂及移动导轨位于清洗池的上端，所述移动导轨沿着机架的长轴方向延伸，机械臂安装在移动导轨上，并且沿着移动导轨的延伸方向进行延伸；所述清洗池包括沿着移动导轨长轴方向依次分布的册液清洗池、一级册溢水清洗池、二级册溢水清洗池、一级1(0?清洗池、二级1(0?清洗池、一级喷淋溢水清洗池、二级喷淋溢水清洗池、￡01^-2超声清洗池、一级超声清洗溢水清洗池、超声清洗池、二级超声清洗溢水清洗池、一级丙酮脱水池、二级丙酮脱水池，在二级1(0?清洗池与一级喷淋溢水清洗池之间设置有喷淋嘴。
2.根据权利要求1所述的大电流高压硅堆清洗装置，其特征在于:所述机架上还安装有清水喷嘴，所述清水喷嘴有数个，均匀安装在清洗池的两端。
【文档编号】H01L21/67GK204182612SQ201420571582
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日
【发明者】黄丽凤, 王志敏, 张龙 申请人:如皋市大昌电子有限公司