1.一种用于处理基底的方法，包括：
将所述基底接收在化学分配系统中，所述基底包括在所述基底的表面上的氢氧化物层；
分配第一溶剂溶液以预润湿所述表面，所述第一溶剂溶液包含按重量计不超过10％的水量；
围绕所述基底的中心区旋转所述基底；
将图案化化学品分配到所述预润湿的表面上，所述图案化化学品包含：
碳化合物；
耦合至所述碳化合物的接合化合物；
耦合所述碳化合物的末端化合物，所述末端化合物与所述接合化合物相反；
第二溶剂溶液；
在将所述图案化化学品分配在所述基底上之后对所述基底进行退火。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述接合化合物耦合至所述碳化合物的一端，所述末端化合物耦合至所述碳化合物的与所述接合化合物相反的另一端。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在分配所述第一溶剂之前对所述基底进行预烘烤；或者
在分配所述第一溶剂之前对所述基底进行冷却。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化化学品的所述分配包括使用与超过所述氢氧化物层的大部分键合的量。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化化学品包含小于0.5mM的所述碳化合物、所述接合化合物和所述末端化合物。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一溶剂包含丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)，所述第二溶剂溶液包含PGMEA。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一溶剂包含丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)，所述第二溶剂溶液包含。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述退火包括不超过250℃的温度。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述退火包括不超过5分钟的时间。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述退火包括约5分钟的时间。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述旋转包括不超过2200rpm的旋转速度。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述旋转包括不低于800rpm的旋转速度。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述旋转包括约2000rpm的旋转速度。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述旋转包括约1000rpm的旋转速度。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述水量包括按重量计不超过2％。
16.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一溶剂的所述分配之后开始所述基底的所述旋转。
17.一种用于处理基底的方法，包括：
利用清洗液预处理所述基底；
分配第一溶剂溶液以预润湿所述旋转基底的所述表面，所述第一溶剂溶液包含按重量计不超过10％的水量；
围绕所述基底的中心区旋转所述基底；
将图案化化学品分配到所述预润湿的表面上，所述图案化化学品包含周期性介孔有机硅(酸盐)；
在将所述图案化化学品分配在所述基底上之后对所述基底进行退火。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述旋转包括不低于800rpm的旋转速度。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述退火包括不超过250℃的温度。
20.一种用于处理基底的方法，包括：
分配第一溶剂溶液以预润湿旋转基底的表面，所述第一溶剂溶液包含按重量计不超过10％的水量；
围绕所述基底的中心区旋转所述基底；
将图案化化学品分配到所述预润湿的表面上，所述图案化化学品包含：
碳化合物；
耦合到所述碳化合物的接合化合物；
耦合所述碳化合物的末端化合物；以及
第二溶剂溶液。