1.一种基于变容二极管的频率和极化可重构微带天线，其特征在于：包括设置于介质基板(7)上表面的圆形贴片(1)、第一扇形贴片(2)、第二扇形贴片(3)、第三扇形贴片(4)、第四扇形贴片(5)、第一方形贴片(11)、第二方形贴片(21)、第三方形贴片(31)，第四方形贴片(41)、第五方形贴片(51)、第一电感(13)、第二电感(23)、第三电感(33)、第四电感(43)、第五电感(53)、第一变容二极管(24)、第二变容二极管(25)、第三变容二极管(34)、第四变容二极管(35)、第五变容二极管(44)、第六变容二极管(45)、第七变容二极管(54)、第八变容二极管(55)，设置于介质基板(7)下表面的圆形金属接地板(8)、馈电端口(6)、第一圆环槽(26)、第二圆环槽(36)、第三圆环槽(46)、第四圆环槽(56)、第一圆形贴片(27)、第二圆形贴片(37)、第三圆形贴片(47)、第四圆形贴片(57)，以及垂直穿透介质基板(7)的第一金属化通孔(12)、第二金属化通孔(22)、第三金属化通孔(32)、第四金属化通孔(42)、第五金属化通孔(52)；
所述第一～四扇形贴片(2、3、4、5)均匀对称地分布于圆形贴片(1)的四周，且第一～四扇形贴片(2、3、4、5)短弧的各个端点分别通过第一～八变容二极管(24、25、34、35、44、45、54、55)与圆形贴片(1)相接，第一方形贴片(11)通过第一电感(13)与圆形贴片(1)相接，第二～五方形贴片(21、31、41、51)分别通过第二～五电感(23、33、43、53)与第一～四扇形贴片(2、3、4、5)长弧的中点连接；第一～五金属化通孔(12、22、32、42、52)分别设置于第一～五方形贴片(11、21、31、41、51)的中心，第一～四圆环槽(26、36、46、56)分别以第二～五金属化通孔(22、32、42、52)为圆心蚀刻在圆形金属接地板(8)的下表面，第一～四圆环槽(26、36、46、56)内部分别设置第一～四圆形贴片(27、37、47、57)，馈电端口(6)的内导体探针垂直穿过介质基板(7)与圆形贴片(1)连接，馈电端口(6)的外导体与圆形金属地板(8)连接。
2.根据权利要求1所述的基于变容二极管的频率和极化可重构微带天线，其特征在于：所述的第一电感(13)跨接在第一方形贴片(11)和圆形贴片(1)之间，第二电感(23)跨接在第二方形贴片(21)和第一扇形贴片(2)之间，第三电感(33)跨接在第三方形贴片(31)和第二扇形贴片(3)之间，第四电感(43)跨接在第四方形贴片(41)和第三扇形贴片(4)之间，第五电感(53)跨接在第五方形贴片(51)和 第四扇形贴片(5)之间。
3.根据权利要求1所述的基于变容二极管的频率和极化可重构微带天线，其特征在于：所述的第一变容二极管(24)和第二变容二极管(25)均跨接在圆形贴片(1)和第一扇形贴片(2)之间，第三变容二极管(34)和第四变容二极管(35)均跨接在圆形贴片(1)和第二扇形贴片(3)之间，第五变容二极管(44)和第六变容二极管(45)均跨接在圆形贴片(1)和第三扇形贴片(4)之间，第七变容二极管(54)和第八变容二极管(55)均跨接在圆形贴片(1)和第四扇形贴片(5)之间。
4.根据权利要求1所述的基于变容二极管的频率和极化可重构微带天线，其特征在于：所述的第一金属化通孔(12)、第二金属化通孔(22)、第三金属化通孔(32)、第四金属化通孔(42)、第五金属化通孔(52)分别用来连接第一方形贴片(11)、第二方形贴片(21)、第三方形贴片(31)，第四方形贴片(41)和第五方形贴片(51)的中心和金属接地板(8)。
5.根据权利要求1所述的基于变容二极管的频率和极化可重构微带天线，其特征在于：所述第一圆形贴片(27)、第三圆形贴片(47)呈对角，且第一圆形贴片(27)、第三圆形贴片(47)均通过导线与一组直流电压源的正极连接，第二圆形贴片(37)、第四圆形贴片(57)呈对角，且第一圆形贴片(27)、第三圆形贴片(47)均通过导线与另一组直流电压源的正极连接，该两组直流电压源的负极均通过导线与圆形金属地板(8)连接。
6.根据权利要求1所述的基于变容二极管的频率和极化可重构微带天线，其特征在于：该微带天线采用单层PCB板实现，其中介质基板(7)的厚度为3.175mm。
7.根据权利要求1或2所述的基于变容二极管的频率和极化可重构微带天线，其特征在于：所述的第一电感(13)、第二电感(23)、第三电感(33)、第四电感(43)、第五电感(53)的电感值为47nH。
8.根据权利要求1或3所述的基于变容二极管的频率和极化可重构微带天线，其特征在于：所述的第一变容二极管(24)、第二变容二极管(25)、第三变容二极管(34)、第四变容二极管(35)、第五变容二极管(44)、第六变容二极管(45)、第七变容二极管(54)、第八变容二极管(55)的型号为SMV-2019LF。