基板分离装置与基板分离方法与流程

本发明涉及一种基板分离装置与基板分离方法，特别是涉及一种用于分离硅晶片基板的分离装置与方法。

背景技术：

目前太阳能电池的制作过程中，欲将一片片的硅晶片载入相关制程设备进行制作处理时，通常会借助吹气装置于硅晶片的两侧进行吹气，以使整叠的硅晶片的最上方那一片与第二片产生分离，之后再以机器手臂吸取最上方的硅晶片，如此可避免整叠硅晶片之间因静电或其他因素产生粘片，从而防止因粘片所导致的第二片甚至第三片的硅晶片被带起而衍生的甩片、破裂的问题。

然而，现有吹气方式为两侧气流直接正对的对吹方式，此种方式易导致吹出的气流相互抵消而造成硅晶片无法顺利分离的问题产生。而且若使用两侧各以单一股气流的对吹方式时，因气流的位置是对应于硅晶片的中央，易使被吹拂而飘浮的硅晶片产生类似翘翘板的倾斜情形，如此也易导致硅晶片之间粘片问题的产生。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种能确保硅晶片有效分离而且能使硅晶片维持一定漂浮高度，避免硅晶片倾斜的基板分离装置与基板分离方法。

本发明基板分离装置，包含：一个基座，以及两个分别位于该基座的相对两侧的吹气装置。每一个吹气装置具有至少两个出气口，每一个吹气装置的该两个出气口为左右间隔。其中，各该吹气装置的该两个出气口用于提供 两道气流，该两道气流的气流方向相互远离，且每一个吹气装置的该两道气流的气流方向，与另一个吹气装置的该两道气流的气流方向为对称或至少大致对称。

本发明所述基板分离装置，每一个吹气装置的出气口的数量为偶数且形成位置为左右对称。

本发明所述基板分离装置，每一个吹气装置具有至少两个气流通道，每一个吹气装置的该两个气流通道分别一一对应相通于该两个出气口，其中每一个吹气装置的该两个气流通道的通道延伸方向彼此相交。

本发明所述基板分离装置，该基座具有两个间隔相对且分别邻近该两个吹气装置的侧边，所述侧边定义一个通过该两个吹气装置且垂直于该两侧边的延伸方向的参考方向，每一道气流的气流方向与该参考方向的夹角为15°～30°。

本发明所述基板分离装置，每一道气流的气流方向与该参考方向的夹角为15°～20°。

本发明所述基板分离装置，每一个吹气装置的所述出气口的数量大于两个且为偶数，每一个吹气装置的该多个出气口沿纵向间隔并沿横向排列成至少两排且彼此为左右对称。

本发明所述基板分离装置，每一个吹气装置具有四个左右间隔的出气口，该四个出气口中位于最外侧的该两个出气口的气流方向相互远离的程度，大于该四个出气口中位于中间的该两个出气口的气流方向相互远离的程度。

本发明所述基板分离装置，各该出气口为纵向延伸的长形孔。

本发明所述基板分离装置，各该出气口为长形孔、圆孔、方孔、三角形孔或不规则孔。

本发明所述基板分离装置，该基座用于承载硅晶片。

本发明基板分离方法，包含：提供一个基座；提供一叠硅晶片并置放于该基座上；提供两个吹气装置，该两个吹气装置分别位于该基座的相对两侧，且每一个吹气装置具有至少两个出气口，每一个吹气装置的该个两个出气口为左右间隔，其中各该吹气装置的该两个出气口用于提供两道气流，该两道气流的气流方向相互远离，且每一个吹气装置的该两道气流的气流方向，与另一个吹气装置的该两道气流的气流方向为对称或至少大致对称；分离所述硅晶片，其中使每一个吹气装置的该两道气流对称且斜吹于该叠硅晶片中的上方多片硅晶片的侧边处，以至少使该叠硅晶片中最上方的两片硅晶片彼此分离。

本发明所述基板分离方法，该基座具有两个间隔相对且分别邻近该两个吹气装置的侧边，所述侧边定义一个通过该两个吹气装置且垂直于该两个侧边的延伸方向的参考方向，每一道气流的气流方向与该参考方向的夹角为15°～30°。

本发明所述基板分离方法，每一道气流的气流方向与该参考方向的夹角为15°～20°。

本发明的有益效果在于：借由提供一种基板分离装置与方法，其主要是使硅晶片的两对称侧皆分别各以两道斜吹气流来吹拂，而且两侧气流吹拂的方式彼此是彼此对称或至少大致对称的设计，因此可使硅晶片有效分离并且可维持在一定漂浮高度而不倾斜，以避免硅晶片产生粘片的问题。

附图说明

图1是本发明的一第一实施例的俯视示意图；

图2是本发明的第一实施例的吹气装置的立体示意图；

图3是本发明的第一实施例中的基板受吹气而分离时的侧面示意图；

图4是本发明的一第二实施例的俯视示意图；

图5是本发明的一第三实施例的侧面示意图；

图6是本发明的一第四实施例的俯视示意图；

图7是本发明的第四实施例的吹气装置的立体示意图；

图8是本发明的一第五实施例的俯视示意图；以及

图9是本发明的第五实施例的吹气装置的立体示意图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明，要注意的是，在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。

参阅图1、图2、图3，是本发明基板分离装置的第一实施例，其中图1是本实施例的俯视示意图，图2是本实施例的吹气装置的立体示意图，图3是本实施例中的基板受吹气而分离时的侧面示意图。该基板分离装置包含一基座2以及两吹气装置3，该两吹气装置3分别位于该基座2的相对两侧，且每一吹气装置3具有至少两出气口31，每一吹气装置3的该两出气口31为左右间隔(可由图1、2看出)，其中，各该吹气装置3的该两出气口31用于提供两道气流32，该两道气流32的气流方向相互远离，且每一吹气装置3的该两道气流32的气流方向，与另一吹气装置3的该两道气流32的气流方向为对称或至少大致对称。而且每一吹气装置3的出气口31的数量为偶数且形成位置为左右对称。于本实施例中，所述基板例如硅晶片4，该基座2用于承载硅晶片4。而且于实施上，每一个出气口31都会对应相通于一个气流通道30，该气流通道30连接一进气流道39。

于本实施例中，每一吹气装置3的出气口31的数量为大于两个而且是偶数，每一吹气装置3的该多个出气口31沿纵向间隔(如图2、3)并沿横向排列成至少两排而且彼此为左右对称。

该基座2具有两间隔相对且分别邻近该两吹气装置3的侧边21，定义一通 过该两吹气装置3且垂直于该两侧边21的延伸方向的参考方向33，每一道气流32的气流方向与该参考方向33的夹角θ可为15°～30°。较佳地，每一道气流32的气流方向与该参考方向33的夹角θ为15°～20°，使各气流32的斜吹角度适当，以提供良好的吹拂效果。于实施上，每一吹气装置3的该两个气流通道30分别一一对应相通于该两出气口31，其中每一吹气装置3的该两个气流通道30的通道延伸方向301彼此相交，借此，通过该两个气流通道30使从对应出气口31而出的气流32，彼此成相互远离的状态。

本发明还提供一种基板分离方法，可配合该基板分离装置进行。该方法包含：提供一基座2。提供一叠硅晶片4并置放于该基座2上。提供两吹气装置3，分别位于该基座2的相对两侧，且每一吹气装置3具有至少两出气口31，每一吹气装置3的该两出气口31为左右间隔，其中各该吹气装置3的该两出气口31用于提供两道气流32，该两道气流32的气流方向相互远离，且每一吹气装置3的该两道气流32的气流方向，与另一吹气装置3的该两道气流32的气流方向为对称或至少大致对称。分离所述硅晶片4，其中使每一吹气装置3的该两道气流32对称且斜吹于该叠硅晶片4中的上方多片的侧边处，以至少使该叠硅晶片4中最上方的两片硅晶片4彼此分离。于本实施例中，通常会使最上方的三至四片的硅晶片4产生预分离效果。在本发明所述的基板分离方法中，每一道气流32的气流方向与该参考方向33的夹角θ如前述，可为15°～30°，较佳地为15°～20°。

请参阅图4，图4是本发明的一第二实施例的俯视示意图，有别于图1第一实施例的出气口位于不同平面的设计，本实施例中的出气口31都是位在同一个平面上，而且通过该两个气流通道30适当的延伸方向，同样能使每一吹气装置3左侧的出气口31与右侧的出气口31出来的气流32能彼此远离。本实施例的每一道气流32的气流方向与该参考方向33的夹角θ可为15°～30°；较佳地，夹角θ为15°～20°，可达到与该第一实施例相同的效果。

请参阅图5，图5是本发明的一第三实施例的侧面示意图，其中每一吹气装置3具有两出气口341与两气流通道34，于实施上该两出气口341为两个纵向延伸的长形孔且间隔配置于该吹气装置3的左右位置处。

请参阅图6，图6是本发明的一第四实施例的俯视示意图，其中每一吹气装置3具有四个左右间隔的出气口351、352，该四个出气口351、352中，位于最外侧的该两出气口351的气流方向相互远离的程度，大于位于中间的该两出气口352的气流方向相互远离的程度。于本实施例中，各该出气口351、352为纵向延伸的狭长的长形孔。

于制作上，当吹气装置3的出气口处于不同的平面时，也就是出气口所在的平面相较于吹气装置3可被视为一倾斜面，如此，于钻孔以形成出气口的制作时，即可采用垂直该平面的钻孔方式，此垂直钻孔的方式明显于加工上会比较好操作与处理，有利于节省制作的时间，同时避免误差的产生，提升整体良率。

此外，本实施例中的每一出气口都是位于不同的平面上，也就是非共平面的设计，借此在通过上述的钻孔方式制作后，可使相邻且同侧的两个出气口351、352的气流方向仍保持有少许夹角，以提供硅晶片4更佳的吹气分离效果。

请参阅图7，图7是本发明该第四实施例中的吹气装置3的立体示意图，其中不同于纵向延伸的狭长的长形孔，出气口的型态也是可以采用多个圆孔353、354的方式来代替单一个狭长的长形孔。

请参阅图8，是本发明的一第五实施例的俯视示意图，有别于图6第四实施例的出气口位于不同平面的设计，本实施例中的出气口361、362都是位在同一个平面上，而为了使左侧的出气口361、右侧的出气口362出来的气流能彼此远离，因此于钻孔制作上，必须采取倾斜于平面的钻孔方式来处理，采用单一平面的设计，可免去预先形成吹气装置3的多个倾斜面的制作过程。 当然，于使用上，可评估实际的情况与需求后，来采用图7第四实施例的多个倾斜平面的方式或是图8第五实施例的单一个平面的方式。当然，于本实施例中，各该出气口361、362可为纵向延伸的狭长的长形孔。

此外，于本实施例中，位于同一侧且彼此有间隔的出气口361或出气口362的气流通道371、372，其彼此可为平行，或是维持有夹角的情形，于本实施例的图8中是以绘出平行来示意。

请参阅图9，图9是本发明该第五实施例中的吹气装置3的立体示意图，其中不同于纵向延伸的狭长的长形孔，出气口的型态也是可以采用多个圆孔381、382的方式来代替单一个狭长的长形孔。

总之，本发明各个实施中的出气口于实施时也可以是长形孔、圆孔、方孔、三角形孔或不规则孔。

此外，本发明中各个实施利的不同设计与态样可依需求而相互组合搭配，不限于上述实施例所说明的结构所限制，也可达到所要的目的与效用。

本发明实施例所提出的每一吹气装置3的该两道气流32的气流方向，与另一吹气装置3的该两道气流32的气流方向为对称或至少大致对称，其中这个至少大致对称的含义即为实质上(substantially)对称的意思，也就是实际使用时可能会出现气流角度上的少许误差而非百分百完全对称的情形，但仍然能达到本发明实施例中硅晶片良好分离的效果，也就是并非百分百对称才能达到本发明所欲的良好分离效果，此种少许误差的情形也是可以被容许的，同样是本发明所欲主张保护的特点，故于此说明。其中，此气流角度上的少许误差是指同侧的两道气流方向的夹角θ，彼此误差于5度的角度范围内。

本发明的功效在于提供一种基板分离装置，其主要是使硅晶片的两对称侧皆分别各以两道斜吹气流来吹拂，而且两侧气流吹拂的方式彼此是对称或至少大致对称的设计，因此可使硅晶片有效分离并且可维持在一定漂浮高度而不倾斜，以避免硅晶片产生粘片的问题。

以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。