功率放大器模块封装及其封装方法与流程

下述的实施例涉及一种功率放大器模块封装及其封装方法，更具体地来讲，涉及一种使用一体型图案来封装功率放大器模块的技术。

背景技术：

现有的功率放大器模块封装技术使用由金属物质形成的封装基板来封装功率放大器模块。此时，封装基板根据具有包括陶瓷层和插入有图案的槽的金属侧壁按金属物质而制成。

因此，现有的功率放大器模块封装技术由于封装基板的侧壁全部按金属物质而制成，其存有制作费用高的问题。

并且，现有的功率放大器模块封装技术在提供功率放大器模块封装后，在插入图案的过程中，存在着必须执行在封装基板上对用于绝缘的陶瓷层进行薄膜/厚膜且蚀刻之追加工艺的缺点。

对此，下述的实施例建议了一种通过使用包括陶瓷层以及在陶瓷层上被图案化之图案的一体型图案从而降低制作费用并且不执行对陶瓷层进行薄膜/厚膜和蚀刻之追加工艺的技术。

技术实现要素：

实施例提供一种使用包括陶瓷层以及在陶瓷层上被图案化之图案的一体型图案的功率放大器模块封装方法和据此制成的功率放大器模块封装。

具体来讲，实施例通过使用陶瓷侧壁提供了一种降低制作费用的功率放大器模块封装方法以及据此制成的功率放大器模块封装。

并且，实施例通过使用包括陶瓷层以及在陶瓷层上被图案化之图案的一体型图案，提供了一种不执行对陶瓷层进行薄膜/厚膜和蚀刻之追加工艺的功率放大器模块封装方法以及据此制成的功率放大器模块封装。

根据一个实施例，一种功率放大器模块封装方法，包括如下步骤：提供一体型图案，所述一体型图案包括陶瓷层和在所述陶瓷层上被图案化的图案；将所述一体型图案与金属层接合；以及在与所述金属层接合的所述一体型图案上沉积形成有至少一个外部信号 连接导线的陶瓷侧壁。

所述陶瓷侧壁包括用于将所述图案和所述至少一个外部信号连接导线相连接而形成的至少一个竖直导通孔。

将所述一体型图案与金属层接合的步骤包括以下步骤：在所述金属层的表面上涂覆金属涂层后，使所述一体型图案与涂覆所述金属涂层的表面相接合。

所述功率放大器模块封装方法，进一步包括如下步骤：在所述一体型图案包括的所述陶瓷层中形成的槽中按与所述图案相连接而集成芯片。

沉积所述陶瓷侧壁的步骤包括如下步骤：在所述陶瓷侧壁的上部形成金属线。

形成所述金属线的步骤包括如下步骤：在所述陶瓷侧壁和所述金属线之间配置绝缘层。

所述功率放大器模块封装方法，进一步包括如下步骤：在与所述金属层接合的所述一体型图案上沉积的所述陶瓷侧壁装载外盖。

根据一个实施例，一种功率放大器模块封装方法，包括如下步骤：在金属层上沉积陶瓷侧壁；以及在所述陶瓷侧壁中形成至少一个外部信号连接导线。

形成所述至少一个外部信号连接导线的步骤包括如下步骤：在所述陶瓷侧壁的上部形成金属线。

形成所述金属线的步骤包括如下步骤：在所述陶瓷侧壁和所述金属线之间配置绝缘层。

根据一个实施例，一种功率放大器模块封装，包括：一体型图案，所述一体型图案包括陶瓷层和在所述陶瓷层上被图案化的图案；金属层，与所述一体型图案接合；以及陶瓷侧壁，沉积在与所述金属层接合的所述一体型图案上，其中，在所述陶瓷侧壁形成有至少一个外部信号连接导线。

所述陶瓷侧壁包括为了将所述图案与所述至少一个外部信号连接导线相连接而生成的至少一个竖直导通孔。

所述一体型图案，在所述金属层的表面上涂覆金属涂层后，与涂覆所述金属涂层的表面相接合。

一种功率放大器模块封装，包括：金属层；沉积在所述金属层上的陶瓷侧壁；以及 形成于所述陶瓷侧壁中的至少一个外部信号连接导线。

实施例可提供一种使用包括陶瓷层以及在陶瓷层上被图案化之图案的一体型图案的功率放大器模块封装方法和据此制成的功率放大器模块封装。

具体来讲，实施例可通过使用陶瓷侧壁提供一种降低制作费用的功率放大器模块封装方法以及据此制成的功率放大器模块封装。

并且，实施例通过使用包括陶瓷层以及在陶瓷层上被图案化之图案的一体型图案，可提供一种不执行对陶瓷层进行薄膜/厚膜和蚀刻之追加工艺的功率放大器模块封装方法以及据此制成的功率放大器模块封装。

附图说明

图1A至图1B是示出根据一个实施例的功率放大器模块封装的示图。

图2是用于说明根据一个实施例的金属层的示图。

图3是用于说明根据一个实施例的一体型图案与金属层接合的过程的示图。

图4是示出根据一个实施例的功率放大器模块封装方法的示图。

图5A至图5B是示出根据另一个实施例的功率放大器模块封装的示图。

图6是示出根据另一个实施例的功率放大器模块封装方法的示图。

具体实施方式

以下，参考附图对本发明的实施例进行详细说明。但本发明并不局限或限定于实施例。并且各个附图中显示的相同参考符号表示相同的部件。

并且，本发明中使用的用语(terminology)作为用于适当表现本发明优选实施例而使用的用语，其可根据使用者、运用者的意图或本发明所属领域的惯例等而变化。因此，该用语的定义应基于本说明书整体所涉及的内容来做出。

图1A至图1B是示出根据一个实施例的功率放大器模块封装的示图。具体来讲，图1A是示出根据一个实施例的功率放大器模块封装的透视图，图1B是示出根据一个实施例的功率放大器模块封装的剖面图。

参考图1A至图1B，功率放大器模块封装100包括：一体型图案110，包括陶瓷层111和在陶瓷层111上被图案化的图案112；与一体型图案110接合的金属层120；以及 沉积在与金属层120接合的一体型图案110上的陶瓷侧壁130。在此，在陶瓷侧壁130中形成至少一个外部信号连接导线131。以下，根据一个实施例的功率放大器模块封装100与参考图5A至图5B而后述的另一个实施例的功率放大器模块封装不同，其可以是按包括一体型图案110而被封装的一体型封装。

图案112根据功率放大器模块封装100的用途，可预先在陶瓷层111上被图案化。在此，陶瓷层111可由多种绝缘物质构成。例如，图案112根据形成在陶瓷层111上的槽113的位置(例如，除槽113位于的区域以外的余下区域上)，可按与芯片(chip)114连接集成而被图案化。虽然在附图中示出了芯片114被集成进而包含在图案112中的情况，但其并不局限或限定于此，芯片114也可按在提供接收功率放大器模块封装100的一侧中被集成而不被包含在图案112中。

一体型图案110在金属层120的表面上，在如Ni之金属涂层(但并不局限或限定于此，其可使用多种金属物质或金属混合物质)被涂覆后，可与涂覆金属涂层的表面相接合。与此相关的详细说明参考图3进行记载。

在此，金属层120可按包括将功率放大器模块封装100与其他模块相连接的至少一个连接框121而形成。此时，金属层120可由铜(Cu)和石墨(Graphite)的混合物质构成。但，其并不局限或限定于此，金属层120可由具有预先设定范围内的热导率和预先设定范围的热膨胀率的多种金属物质或金属混合物质构成。与此相关的详细说明将参考图2进行记载。

以下，沉积在与金属层120相接合的一体型图案110上的陶瓷侧壁130虽然按以陶瓷物质而形成进行了说明，但其并不局限或限定于此，也可由包括导电性物质或绝缘性物质等多种物质构成。在这种陶瓷侧壁130中形成至少一个外部信号连接导线131。例如，至少一个外部信号连接导线131可与陶瓷侧壁130的上部接合而形成。此时，至少一个外部信号连接导线131可由多种导电性物质形成。

并且，陶瓷侧壁130可包括为了将至少一个外部信号连接导线131与图案112相连接而生成的至少一个竖直导通孔132。例如，至少一个竖直导通孔132为了将至少一个外部信号连接导线131和图案112相连接可在陶瓷侧壁130内部形成的孔中填充金属物质而生成。因此，图案112通过至少一个竖直导通孔132和至少一个外部信号连接导线131可与外部电连接。

并且，陶瓷侧壁130的上部可形成有金属线140。因此，在与金属层120接合的一体型图案110上沉积的陶瓷侧壁130中根据金属线140可装载外盖(cover)150。此时，外盖150可由与构成金属层120的物质相同的多种金属物质或金属混合物质而形成，或 可由电介质物质而形成。并且，金属线140为了按激光焊接根据lid装载而与外盖150相结合可由多种金属物质或金属混合物质形成。

在此，金属线140可形成在用于与陶瓷侧壁130中形成的至少一个外部信号连接导线131相绝缘之绝缘层141的上部。绝缘层141可由构成陶瓷层111的多种绝缘物质而形成。

图2是用于说明根据一个实施例的金属层的示图。

参考图2，与根据一个实施例的一体型图案所接合的金属层可由具有预先设定范围内的热导率和预先设定范围内的热膨胀率的多种金属物质或金属混合物质而形成。

例如，金属层如附图所示，可由具有高于钨(W)和铜(Cu)的混合物质热导率的铜(Cu)和石墨(Graphite)的混合物质、铜(Cu)和金刚石(Diamond)的混合物质、铝(Al)和金刚石(Diamond)的混合物质、铝(Al)和石墨(Graphite)的混合物质、铜(Cu)和碳纤维(C-Fiber)的混合物质、钨(W)和石墨(Graphite)的混合物质、铁(Fe)和石墨(Graphite)的混合物质、PP和铜(Cu)的混合物质或铍(Be)等的金属混合物质或金属物质而形成。

并且，金属层的表面上涂覆的金属涂层、至少一个外部信号连接导线、一体型图案包括的图案、至少一个竖直导通孔、外盖以及金属线可由铜(Cu)和石墨(Graphite)的混合物质、铜(Cu)和金刚石(Diamond)的混合物质、铝(Al)和金刚石(Diamond)的混合物质、铝(Al)和石墨(Graphite)的混合物质、铜(Cu)和碳纤维(C-Fiber)的混合物质、钨(W)和石墨(Graphite)的混合物质、铁(Fe)和石墨(Graphite)的混合物质、PP和铜(Cu)的混合物质或铍(Be)等的金属混合物质或金属物质而形成。

图3是用于说明根据一个实施例的一体型图案与金属层接合的过程的示图。

参考图3，根据一个实施例的包括陶瓷层311和在陶瓷层311中被图案化的图案312的一体型图案310在金属层320的表面上涂覆金属涂层321后，可与涂覆金属涂层321的表面相接合。

图4是示出根据一个实施例的功率放大器模块封装方法的示图。

参考图4，根据一个实施例的功率放大器模块封装系统提供包括陶瓷层411和在陶瓷层411中被图案化的图案412的一体型图案410。

在此，功率放大器模块封装系统在执行功率放大器模块封装工艺之前，根据功率放大器模块封装的用途，可在形成有槽413的陶瓷层411上对图案412进行图案化。在此，陶瓷层111可由多种绝缘物质形成。例如，功率放大器模块封装系统根据形成在陶瓷层411上的槽413的位置(例如，除了集成芯片414的槽413所位于的区域以外的区域上)，可对图案412进行图案化。

接着，功率放大器模块封装系统在金属层420上接合一体型图案410。例如，功率放大器模块封装系统在金属层420的表面涂覆如Ni之类的金属涂层(但其并不限定或局限于此，可使用多种金属物质或金属混合物质)后，在涂覆有金属涂覆层的表面上接合一体型图案410。

在此，金属层420可按包括将功率放大器模块封装与另一模块相连接的至少一个连接框421而形成。此时，功率放大器模块封装系统可按铜(Cu)和石墨(Graphite)的混合物质构成金属层420。但其并不局限或限定于此，功率放大器模块封装系统可按具有预先设定范围内的热导率和预先设定范围的热膨胀率的多种金属物质或金属混合物质而形成金属层420。

然后，功率放大器模块封装系统在与金属层420接合的一体型图案410上沉积形成有至少一个外部信号连接导线431的陶瓷侧壁430。在此，在陶瓷侧壁430的上部可与至少一个外部信号连接导线431相接合而形成。此时，至少一个外部信号连接导线431可按多种导电性物质而形成。

并且，在陶瓷侧壁430中可生成至少一个竖直导通孔432。例如，功率放大器模块封装系统为了将至少一个外部信号连接导线431和图案412相连接可在陶瓷侧壁430内部形成的孔中填充金属物质而生成至少一个竖直导通孔432。

并且，在陶瓷侧壁430的上部可形成有金属线440。金属线440为了使后述的外盖450按激光焊接根据lid装载而与陶瓷侧壁430相结合可由多种金属物质或金属混合物质形成。并且，在陶瓷侧壁430上，在金属线440和至少一个外部信号连接导线431之间可配置有绝缘层441。绝缘层441可由构成陶瓷层411的多种绝缘物质构成。

然后，功率放大器模块封装系统可在包含于一体型图案410的陶瓷层411的槽413中集成芯片414。但其并不局限或限定于此，芯片414可在提供功率放大器模块封装的一侧被集成。并且，芯片414也可在与金属层420接合的一体型图案410中沉积陶瓷侧壁430的过程中被集成。

然后，功率放大器模块封装系统可在与金属层420接合的一体型图案410中沉积的 陶瓷侧壁430上装载外盖450。此时，功率放大器模块封装系统也可按与构成金属层420的物质相同的多种金属物质、金属混合物质或电介质物质而形成外盖450。

如此，根据一个实施例的功率放大器模块封装系统通过使用陶瓷侧壁430，可降低制作成本从而制造功率放大器模块封装。并且，功率放大器模块封装系统通过使用包括陶瓷层411和在陶瓷层411中被图案化的图案412的一体型图案410，进而不执行对陶瓷层411进行薄膜/厚膜和蚀刻的追加工艺，可简化制造工艺从而制造功率放大器模块封装。

图5A至图5B是示出根据另一个实施例的功率放大器模块封装的示图。具体来讲，图5A是示出根据另一个实施例的功率放大器模块封装的透视图，图5B是示出根据另一个实施例的功率放大器模块封装的剖面图。

参考图5A至图5B，功率放大器模块封装500包括金属层510、沉积在金属层510上的陶瓷侧壁520以及形成在陶瓷侧壁520中的至少一个外部信号连接导线521。以下，根据另一个实施例的功率放大器模块封装500，与参考图1A至图1B所述之根据一个实施例的功率放大器模块封装不同，其可以是不包括一体型图案而封装的分离型封装(一体型图案根据提供接收功率放大器模块封装500的一侧计划将插入到陶瓷侧壁520的内部区域530)。

金属层510可按包括将功率放大器模块封装500与另一模块相连接的至少一个连接框511而形成。此时，金属层510可由铜(Cu)和石墨(Graphite)的混合物质构成。但，其并不局限或限定于此，金属层510可按具有预先设定范围内的热导率和预先设定范围的热膨胀率的多种金属物质或金属混合物质而形成。

以下，沉积在金属层510上的陶瓷侧壁520虽然按陶瓷物质形成进行了说明，但其并不局限或限定于此，也可由包括导电性物质或绝缘性物质等的多种物质构成。在这种陶瓷侧壁520上可形成至少一个外部信号连接导线521。例如，至少一个外部信号连接导线521可与陶瓷侧壁520的上部接合而形成。此时，至少一个外部信号连接导线521可按多种导电性物质而形成。

在此，陶瓷侧壁520在金属层510的表面涂覆如Ni之类的金属涂层(但其并不限定或局限于此，可使用多种金属物质或金属混合物质)后，可沉积在涂覆有金属涂覆层的表面上(与参考图3所示的将一体型图案与金属层相接合的过程相同)。

并且，陶瓷侧壁520的上部可形成有金属线540。因此，在沉积于金属层510的陶瓷侧壁520上根据金属线540可装载外盖(cover)550。此时，外盖550可由与构成金 属层510的物质相同的多种金属物质或金属混合物质而形成，或可由电介质物质而形成。并且，金属线540为了按激光焊接根据lid装载而与外盖550相结合可由多种金属物质或金属混合物质形成。

在此，金属线540可形成在用于与陶瓷侧壁520中形成的至少一个外部信号连接导线521相绝缘之绝缘层541的上部。绝缘层541可由构成陶瓷侧壁520的多种绝缘物质而形成。

虽然附图中未进行图示，但在向分离型封装500插入一体型图案的过程中，形成于陶瓷侧壁520中的至少一个外部信号连接导线521可与图案以引线键合(wire bonding)相连接。即，将至少一个外部信号连接导线521与图案相连接的引线键合根据提供接收功率放大器模块封装500的一侧可在插入一体型图案的过程中形成。

图6是示出根据另一个实施例的功率放大器模块封装方法的示图。

参考图6，根据另一个实施例的功率放大器模块封装系统在金属层610上沉积陶瓷侧壁620。在此，金属层610可按包括将功率放大器模块封装与另一模块相连接的至少一个连接框611而形成。此时，功率放大器模块封装系统可由铜(Cu)和石墨(Graphite)的混合物质来构成金属层610。但，其并不局限或限定于此，功率放大器模块封装系统可按具有预先设定范围内的热导率和预先设定范围的热膨胀率的多种金属物质或金属混合物质而形成金属层610。

并且，功率放大器模块封装可按多种绝缘物质来构成沉积在金属层610上的陶瓷侧壁620。

然后，功率放大器模块封装系统在陶瓷侧壁620中形成至少一个外部信号连接导线621。例如，功率放大器模块封装系统可将至少一个外部信号连接导线621与陶瓷侧壁620的上部相接合而形成。此时，至少一个外部信号连接导线621可按多种导电性物质形成。

在此，功率放大器模块封装系统在金属层610的表面涂覆如Ni之类的金属涂层(但其并不限定或局限于此，可使用多种金属物质或金属混合物质)后，可在涂覆有金属涂覆层的表面上接合沉积陶瓷侧壁620。

然后，功率放大器模块封装系统可在陶瓷侧壁620中形成金属线640。金属线640为了按激光焊接根据lid装载将外盖650与陶瓷侧壁620相结合可由多种金属物质或金属混合物质形成。

并且，功率放大器模块封装系统在陶瓷侧壁620上于金属线640与至少一个外部信号连接线621之间可配置绝缘层641。绝缘层641可由构成陶瓷层611的多种绝缘物质形成。

虽然在附图中未进行图示，但功率放大器模块封装系统根据提供接收经过前述封装过程的分离型封装的一侧可将一体型图案插入到陶瓷侧壁620的内部区域630。此时，功率放大器模块封装系统在根据提供接收分离型封装的一侧而插入一体型图案的过程中，可形成引线键合以使图案与至少一个外部信号连接导线621相连接。

如此，根据一个实施例的功率放大器模块封装系统通过使用陶瓷侧壁620，可降低制作成本从而制造功率放大器模块封装。并且，功率放大器模块封装系统通过不执行对陶瓷层进行薄膜/厚膜和蚀刻的追加工艺，可简化制造工艺从而制造功率放大器模块封装。

如上所述，虽然根据实施例所限定的实施例和附图进行了说明，但对本技术领域具有一般知识的技术人员来说能从上述的记载中进行各种修改和变形。例如，根据与说明的技术中所说明的方法相不同的顺序来进行，和/或根据与说明的系统、结构、装置、电路等构成要素所说明的方法相不同的形态进行结合或组合，或根据其他构成要素或均等物进行替换或置换也可达成适当的效果。

因此，其他具体体现、其他实施例以及与权利要求范围相均等的都属于所述的权利要求所保护的范围。