技术总结
本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。
技术研发人员：郑柳;杨霏;王方方;李玲;李永平;刘瑞;吴昊;钮应喜;张文婷;王嘉铭;桑玲
受保护的技术使用者：国网智能电网研究院;国家电网公司;国网安徽省电力公司
文档号码：201510685847
技术研发日：2015.10.21
技术公布日：2017.05.03