一种离子注入隔离真空装置的制作方法

本发明涉及一种半导体器件制造控制系统，即注入机，特别地，涉及一种用于离子注入机隔离真空装置。

背景技术：

离子束的能量和束流是影响离子注入好坏的关键工艺之一，而离子注入机高真空又影响离子束的能量和束流，因此离子注入机必须建立高真空。离子源区静态真空P优于1X10-6TORR，束线区静态真空P优于1X10-6TORR，靶室区静态真空P优于1X10-6TORR，不同于主流离子注入机的真空结构繁冗，制造检测真空不易，本发明离子注入隔离真空装置结构简洁，操作方便，易于安装维护，适合目前我国离子注入机的结构。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是，针对现有真空检测技术的复杂困难，提供一种离子注入隔离真空装置，该离子注入隔离真空装置在保证良好密封性条件下，能够实现离子源区和束线区的真空隔离。该真空隔离阀具有良好的运动平稳性和密封性，方便后续离子注入提供良好的真空。

一种离子注入隔离真空装置，包括执行模块(1)、驱动模块(2)、真空密封模块(3)，所述执行模块包括活塞杆、阀导、密封圈，阀导和密封圈配合实现双层密封，是密封效果更佳。

所述驱动模块包括缸筒、上到位开关、下到位开关，为执行装置提供动力，由上下到位开关控制阀导的平稳性和密封性，并提高隔离阀真空密封的可靠性。

所述真空密封模块包括差分抽气隔离圈、U型密封圈、隔离阀上下密封座、隔热板，通过差分抽气装置为隔离阀提供动力，并实现真空密封，其中隔热板的作用是在离子引束时防止离子打在阀导和密封圈上，影响密封效果，起到保护作用。

附图说明

图1离子注入隔离真空装置总结构图

图2离子注入真空隔离真空装置三维结构图1

图3离子注入真空隔离真空装置三维结构图2

具体实施方式

下面结合附图1、附图2、图3对本发明作进一步的介绍，但不作为对本发明的限定。

参见图1、图2、图3，一种离子注入隔离真空装置由三部分组成，执行模块(1)、驱 动模块(2)、真空密封模块(3)。其中执行模块(1)包括：活塞杆、阀导、密封圈，其作用在于物理上的隔离密封。

在该实施方式中，驱动模块(2)包括：缸筒、上到位开关、下到位开关，其特征在于使执行模块具有良好的运动平稳性和密封性。

在该实施方式中，真空密封模块(3)包括差分抽气隔离圈、U型密封圈、隔离阀上下密封座、隔热板，其特征在于为执行模块提供真空密封环境，同时在离子注入时保护执行模块的功能。

本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。