一种半导体设备中盘面直径尺寸可调的加热基底的制作方法

本发明涉及一种半导体设备中盘面直径尺寸可调的加热基底，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。

背景技术：

现有的半导体镀膜设备，由于需要在不同尺寸的薄膜衬底上沉积薄膜工艺，所以需要针对特定的薄膜衬底尺寸更换与所述薄膜衬底尺寸相匹配的加热载体部件，操作时，需要松开腔体下方的紧固螺钉，手动抬起自重较大的加热载体，大部分半导体设备通常为加热基底配备了可升降的机构，所述的可升降机构又涉及到波纹管、连接件、密封件等等，所述这些升降机构都需要进行拆卸分离，密封件更换等复杂操作，更换完成后还需对设备进行检漏、调平等调试工作，耗费一定生产时间，在操作时也可能由于操作失误，对被操作零件造成划伤、磕碰等严重后果。直接带来生产停滞、零件报废等损失。

技术实现要素：

本发明以解决上述问题为目的，提供了一种半导体设备中盘面直径尺寸可调的加热基底，该加热基底在其表面安装可更换的环形平台，分别与不同尺寸薄膜衬底相匹配，无需对整个薄膜衬底体载组件进行更换。

为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：

一种半导体设备中盘面直径尺寸可调的加热基底，该加热基底包 括基座，凸台A，环形平台，环形平台内孔，环形平台上表面凸台；圆形的凸台A位于所述基座中央，环形平台内孔与环形平台上表面凸台位于所述环形平台中央；所述环形平台与基座采用定位销定位同心。

所述环形平台内孔尺寸大于凸台A尺寸时，在所述基座与环形平台之间安装一个环形转接件，所述环形转接件的内孔的内径与所述凸台A的直径套合，所述环形平台内径与环形转接件外径套合；环形转接件与基座采用定位销定位同心，然后再将环形平台安装于基座上，环形平台与基座采用定位销定位同心。

本发明的有益效果及特点在于：

本发明采用一种结构固定的薄膜衬底载体基座，在有变更薄膜衬底尺寸的需求时，无需对连接好的基座与设备分离，只需在其表面安装或拆卸环形转接件，并针对环形转接件的有无选装内孔径不同的环形平台即可，简化操作步骤，减轻工作强度，降低误操作风险，提高装调工作效。

附图说明

图1为本发明的结构示意图，也是本发明的实施例1；

图2为实施例2的加热基座结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例进一步对本发明进行详细说明，但发明保护内容不局限于所述实施例：

实施例1

参照图1，一种半导体设备中盘面直径尺寸可调的加热基底，该加热基底包括基座1，凸台A2，环形平台3，环形平台内孔4，环形平台上表面凸台5；圆形的凸台A2位于所述基座1中央，环形平台内孔4与环形平台上表面凸台5位于所述环形平台3中央；所述环形平台3与基座1采用定位销定位同心。

8寸薄膜衬底进行薄膜沉积工艺时，环形平台3凸台与8寸薄膜衬底的外沿相套合，将环形平台3与基座1采用定位销定位同心后，将环形平台上表面凸台5的内沿卡住8寸薄膜衬底外沿，使8寸薄膜衬底位于加热基底中心，这样，针对8寸薄膜衬底的加热基底安装完成。

实施例2

参照图2，一种半导体设备中盘面直径尺寸可调的加热基底，该加热基底包括基座1，凸台A2，环形平台3，环形平台内孔4，环形平台上表面凸台5；圆形的凸台A2位于所述基座1中央，环形平台内孔4与环形平台上表面凸台5位于所述环形平台3中央；所述环形平台3与基座1采用定位销定位同心。

在12寸的薄膜衬底进行薄膜沉积工艺时，环形平台内孔尺寸大于凸台A尺寸时，在所述基座1与环形平台3之间安装一个环形转接件6，所述环形转接件6的内孔的内径与所述凸台A2的直径套合，所述环形平台内孔4的内径与环形转接件6外径套合；环形转接件6与基座1采用定位销定位同心，然后再将环形平台3安装于基座1上， 环形平台3与基座1采用定位销定位同心。环形平台上表面凸台5内沿卡住12寸的薄膜衬底外沿，使12寸薄膜衬底位于加热基底中心，这样，针对12寸薄膜衬底的加热基底配置完成。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。