光电转换膜、固态图像传感器和电子设备的制作方法

技术特征：

1.一种光电转换膜，其包含：

由以下通式(1)表示的亚酞菁衍生物，

[化学式1]

其中，在通式(1)中，

X表示选自卤素、羟基、巯基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，

R₁～R₃每一个独立地表示取代或未取代的环结构，和

R₁～R₃中的至少一个包括在所述环结构中的至少一个杂原子。

2.根据权利要求1所述的光电转换膜，

其中R₁～R₃中的至少一个具有包括取代基的环结构。

3.根据权利要求2所述的光电转换膜，

其中R₁～R₃的取代基是卤素。

4.根据权利要求1所述的光电转换膜，

其中R₁～R₃具有包括π-共轭系结构的环结构。

5.根据权利要求1所述的光电转换膜，

其中R₁～R₃具有包括3个以上和8个以下环构成原子的环结构。

6.根据权利要求5所述的光电转换膜，

其中R₁～R₃具有包括6个环构成原子的环结构。

7.根据权利要求1所述的光电转换膜，

其中R₁～R₃的环结构中包含的杂原子是氮原子。

8.根据权利要求1所述的光电转换膜，

其中X是卤素。

9.一种固态图像传感器，其包括：

光电转换膜，所述光电转换膜包含由以下通式(1)表示的亚酞菁衍生物，

[化学式2]

其中，在通式(1)中，

X表示选自卤素、羟基、巯基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，

R₁～R₃每一个独立地表示取代或未取代的环结构，和

R₁～R₃中的至少一个包括在所述环结构中的至少一个杂原子。

10.根据权利要求9所述的固态图像传感器，

其中所述光电转换膜吸收波长大于或等于450nm且等于或小于600nm的绿色光并且光电转换所吸收的绿色光。

11.根据权利要求9所述的固态图像传感器，其被构造为层叠型固态图像传感器，包括：

形成有所述光电转换膜的第一芯片；和

形成有被构造成对由所述光电转换膜的光电转换而获得的信号进行处理的信号处理电路的第二芯片，第二芯片与第一芯片层叠。

12.一种电子设备，其包括：

固态图像传感器，所述固态图像传感器包括包含由以下通式(1)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜；

被构造成将入射光引导到所述固态图像传感器的光学系统；和

被构造成对从所述固态图像传感器输出的信号进行运算处理的运算处理电路，

[化学式3]

其中，在通式(1)中，

X表示选自卤素、羟基、巯基、氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氨基、取代或未取代的芳氨基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基的任意取代基，

R₁～R₃每一个独立地表示取代或未取代的环结构，和

R₁～R₃中的至少一个包括在所述环结构中的至少一个杂原子。