用于永久接合的方法和装置与流程

文档序号:11142541

技术特征:

1.一种用于第一衬底(1)的第一层(2)与第二衬底(1')的第二层(2')在接合界面(5)上的永久接合的方法,其特征在于,在该接合之前和/或期间,至少在该接合界面(5)的区域中增加该第一和/或第二层(2、2')的位错(4)的位错密度。

2.如权利要求1所述的方法,其中该位错密度通过至少一个振荡、优选地多个振荡来增加,其中所述至少一个振荡优选地通过在超声波范围内工作的振荡设备(6、6')、尤其局部地被引入。

3.如权利要求1或2之一所述的方法,其中在接合时的接合温度最大为300℃,尤其最大为200℃,优选地最大为150℃,更优选地最大为100℃,还要优选地最大为50℃。

4.如前述权利要求之一所述的方法,其中尤其不连续的该第一和/或尤其不连续的该第二层(2、2')是金属的,尤其是Cu,且该第一和/或第二衬底(1、1')是半导体。

5.如前述权利要求之一所述的方法,其中横向于该接合界面(5)起作用的压缩力f通过振荡、尤其以大于0的最小的所得到的力被叠加到所述衬底(1、1')上。

6.一种用于第一衬底(1)的第一层(2)与第二衬底(1')的第二层(2')在接合界面(5)上的永久接合的装置,该装置具有:

- 试样架(7、7'、7"、7"'、7IV),用于容纳该第一衬底(1),和

- 压力板(10、10'),用于对所述衬底(1、1')加载,该加载适合于至少在接合界面(5)的区域中增加该第一和/或第二层(2、2')的位错(4)的位错密度。

7.如权利要求6所述的装置,其中该试样架(7、7'、7"、7"'、7IV)和/或该压力板(10、10')在其背面(7r、10r)上借助于固定轴承(12)被支撑。

8.如权利要求6或7所述的装置,其中该加载利用至少一个振荡、优选地多个振荡进行。

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