光电装置的制作方法

技术总结
本发明公开了一种光电装置，所述光电装置包括半导体结构，所述半导体结构包括p型有源区和n型有源区。所述半导体结构仅由一个或多个超晶格构成，其中每个超晶格由多个单位晶胞构成。每个单位晶胞包括至少两个不同的基本单晶层。

技术研发人员：P.阿塔纳科维奇
受保护的技术使用者：希拉纳集团有限公司
文档号码：201580027680
技术研发日：2015.04.06
技术公布日：2017.05.10