1.一种制造极紫外反射元件的方法，包含以下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，所述反射层对具有由硅形成的第一反射层和由铌或碳化铌形成的第二反射层，以用于形成布拉格反射器；及
在所述多层堆叠上和上面形成覆盖层，以通过减少氧化及机械侵蚀而保护所述多层堆叠。
2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述多层堆叠的步骤包括以下步骤：由硅形成厚度为3.5至4.15纳米的所述第一反射层及由铌形成3.5纳米厚或由碳化铌形成2.8纳米厚的所述第二反射层。
3.如权利要求1所述的方法，其中形成所述多层堆叠的步骤包括以下步骤：在所述第一反射层与所述第二反射层之间形成阻挡层，所述阻挡层由碳形成且具有在1埃与5埃之间的厚度，所述阻挡层用于减少硅化物的形成。
4.如权利要求1所述的方法，其中形成所述多层堆叠的步骤包括以下步骤：在所述多层堆叠与所述覆盖层之间形成阻挡层，所述阻挡层由碳形成且具有在1埃与5埃之间的厚度，以用于减少硅化物的形成。
5.如权利要求1所述的方法，其中形成所述多层堆叠的步骤包括以下步骤：在所述多层堆叠与所述基板之间形成阻挡层，所述阻挡层由碳形成且具有在1埃与5埃之间的厚度，以用于减少硅化物的形成。
6.一种极紫外反射元件，包含：
基板；
多层堆叠，所述多层堆叠在所述基板上，所述多层堆叠包括多个反射层对，所述反射层对具有由硅形成的第一反射层和由铌或碳化铌形成的第二反射层，以用于形成布拉格反射器；及
覆盖层，所述覆盖层在所述多层堆叠上和上面，以通过减少氧化及机械侵蚀而保护所述多层堆叠。
7.如权利要求6所述的极紫外反射元件，其中所述多层堆叠包括由硅形成的厚度为3.5至4.15纳米的所述第一反射层和由铌形成的3.5纳米厚或由碳化铌形成的2.8纳米厚的所述第二反射层。
8.如权利要求6所述的极紫外反射元件，其中所述多层堆叠包括阻挡层，所述阻挡层在所述第一反射层与所述第二反射层之间，所述阻挡层由碳形成且具有1埃与5埃之间的厚度，所述阻挡层用于减少硅化物的形成。
9.如权利要求6所述的极紫外反射元件，其中所述多层堆叠包括阻挡层，所述阻挡层在所述多层堆叠与所述覆盖层之间，所述阻挡层由碳形成且具有1埃与5埃之间的厚度，以用于减少硅化物的形成。
10.如权利要求6所述的极紫外反射元件，其中所述多层堆叠包括阻挡层，所述阻挡层在所述多层堆叠与所述基板之间，所述阻挡层由碳形成且具有1埃与5埃之间的厚度，以用于减少硅化物的形成。
11.一种极紫外反射元件生产系统，包含：
第一沉积系统，用于在基板上沉积多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，所述反射层对具有由硅形成的第一反射层和由铌或碳化铌形成的第二反射层，以用于形成布拉格反射器；及
第二沉积系统，用于在所述多层堆叠上形成覆盖层，以通过减少氧化及机械侵蚀而保护所述多层堆叠。
12.如权利要求11所述的极紫外反射元件生产系统，其中所述第一沉积系统用于由硅形成厚度为3.5至4.15纳米的所述第一反射层，及用于由铌形成3.5纳米厚或由碳化铌形成2.8纳米厚的所述第二反射层。
13.如权利要求11所述的极紫外反射元件生产系统，其中所述第一沉积系统用于在所述第一反射层与所述第二反射层之间形成阻挡层，所述阻挡层由碳形成且具有1埃与5埃之间的厚度，所述阻挡层用于减少硅化物的形成。
14.如权利要求11所述的极紫外反射元件生产系统，其中所述第一沉积系统用于在所述多层堆叠与所述覆盖层之间形成阻挡层，所述阻挡层由碳形成且具有1埃与5埃之间的厚度，以用于减少硅化物的形成。
15.如权利要求11所述的极紫外反射元件生产系统，其中所述第一沉积系统用于在所述多层堆叠与所述基板之间形成阻挡层，所述阻挡层由碳形成且具有1埃与5埃之间的厚度，以用于减少硅化物的形成。