技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体集成电路装置的制造方法及半导体集成电路装置，其中，在实施用以形成周边电路区域(ER2)的逻辑栅极(G5、G6)的光掩膜工序时，也能够同时对存储器电路区域(ER1)的环绕导电层(Ga、Gb)进行分断，由此能够形成被电隔离的第一选择栅极(G2a、G2b)和第二选择栅极(G3a、G3b)，因此即使在形成能够独立控制的第一选择栅极(G2a、G2b)和第二选择栅极(G3a、G3b)时，也无需在仅用于加工现有的存储器电路区域的专用光掩膜工序上，额外增加仅用于加工存储器电路区域(ER1)的专用光掩膜工序，相应地能够降低制造成本。
技术研发人员：谷口泰弘;川嶋泰彦;葛西秀男;樱井良多郎;品川裕;奥山幸祐
受保护的技术使用者：株式会社佛罗迪亚
技术研发日：2015.10.06
技术公布日：2017.09.08