共模噪声滤波器的制作方法

本发明涉及用于数字设备、av设备、信息通信终端等各种电子设备的小型且薄型的共模噪声滤波器。

背景技术：

参照附图对现有的共模噪声滤波器进行说明。图11是现有的共模噪声滤波器的分解立体图。如图11所示，现有的共模噪声滤波器层叠多个绝缘体层1a～1g，并具有第1线圈2和第2线圈3。第1线圈2将螺旋状的第1线圈导体4a以及第2线圈导体4b进行连接而构成。第2线圈3将螺旋状的第3线圈导体5a以及第4线圈导体5b进行连接而构成。构成第1线圈2的线圈导体(第1线圈导体4a、第2线圈导体4b)、和构成第2线圈3的线圈导体(第3线圈导体5a、第4线圈导体5b)交替配置。而且，使第1线圈导体4a和第3线圈导体5a磁耦合而形成了第1共模滤波器部6。进而，使第2线圈导体4b和第4线圈导体5b磁耦合而形成了第2共模滤波器部7。通过将第1共模滤波器部6和第2共模滤波器部7串联连接，从而现有的共模噪声滤波器确保了高共模阻抗，去除了共模噪声。

另外，作为与本申请的发明相关的在先技术文献信息，例如，已知专利文献1。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：jp特开2002-373810号公报

技术实现要素：

本发明的一方式的共模噪声滤波器具有：层叠的多个绝缘体层；第1线圈，其形成于多个绝缘体层，并由螺旋状的第1线圈导体以及螺旋状的第2线圈导体构成；和第2线圈，其形成于多个绝缘体层，并由螺旋状的第3线圈导体以及螺旋状的第4线圈导体构成。此外，配置为如下(1)(2)两种方式中的任意方式：(1)配置第1～第4线圈导体，使得第1线圈和第2线圈交替地配置；或(2)配置为由第1线圈导体和第2线圈导体夹着第3线圈导体以及第4线圈导体。进而，使第1线圈导体与第3线圈导体磁耦合而形成第1共模滤波器部，使第2线圈导体与第4线圈导体磁耦合而形成第2共模滤波器部。进而，将第1共模滤波器部和第2共模滤波器部串联连接。进而，在俯视下，使电流在第1共模滤波器部中的第1线圈导体以及第3线圈导体中流动的第1方向、与电流在第2共模滤波器部中的第2线圈导体以及第4线圈导体中流动的第2方向为相反方向。

根据该构成，本发明的一方式的共模噪声滤波器能够在2个频带中使共模噪声衰减。

附图说明

图1是实施方式1中的共模噪声滤波器的分解立体图。

图2是实施方式1中的共模噪声滤波器的立体图。

图3是实施方式1中的共模噪声滤波器的电路示意图。

图4是对实施方式1中的共模噪声滤波器与现有的共模噪声滤波器的共模衰减特性进行比较的图。

图5是实施方式1中的共模噪声滤波器的变形例的分解立体图。

图6是实施方式2中的共模噪声滤波器的分解立体图。

图7是实施方式2中的共模噪声滤波器的变形例的分解立体图。

图8是对实施方式1中的共模噪声滤波器与实施方式2中的共模噪声滤波器的差动信号损耗进行比较的图。

图9是对实施方式1中的共模噪声滤波器的模式变换特性进行比较的图。

图10是实施方式3中的共模噪声滤波器的分解立体图。

图11是现有的共模噪声滤波器的分解立体图。

具体实施方式

在说明本发明的实施方式之前，先说明发明人(们)注意到的图11所示的现有的共模噪声滤波器中的课题。

近年来，不仅是便携式信息终端，在tv等也开始搭载wifi，为了确保其接收灵敏度，使用了抑制来自内部电路的辐射噪声的噪声滤波器。特别是，期望例如在2.4ghz附近和5ghz附近这两个频带具有高共模噪声衰减量的共模噪声滤波器。

但是，在图11所示的共模噪声滤波器中，只能获得仅使第1共模滤波器部6以及第2共模滤波器部7串联连接的频率特性。因此，在共模噪声进来时基于自谐振的衰减极点只为一个。因此，在自谐振的频率以外的频带中无法衰减，不能在2个频带中使共模噪声衰减。

本实施方式所涉及的共模噪声滤波器能够在2个频带中使共模噪声衰减。

(实施方式1)

以下，参照图1～图3对本发明的实施方式1所涉及的共模噪声滤波器进行说明。

图1是本发明的实施方式1中的共模噪声滤波器的分解立体图，图2是本发明的实施方式1中的共模噪声滤波器的立体图，图3是本发明的实施方式1中的共模噪声滤波器的电路示意图。

如图1所示，本发明的实施方式1中的共模噪声滤波器从下方起依次层叠有绝缘体层11a～11g。本实施方式的共模噪声滤波器具有：层叠的多个绝缘体层(绝缘体层11a～11g)；和第1线圈12，形成于多个绝缘体层，由螺旋状的第1线圈导体14以及螺旋状的第2线圈导体15构成。还具有：第2线圈13，形成于多个绝缘体层，由螺旋状的第3线圈导体16以及螺旋状的第4线圈导体17构成。而且，配置第1线圈导体14、第2线圈导体15、第3线圈导体16以及第4线圈导体17，使得第1线圈12和第2线圈13交替地配置。具体而言，从上方起依次排列配置了第1线圈导体14、第3线圈导体16、第2线圈导体15、第4线圈导体17。

而且，使第1线圈导体14与第3线圈导体16磁耦合而形成了第1共模滤波器部18。此外，使第2线圈导体15与第4线圈导体17磁耦合而形成了第2共模滤波器部19。

而且，第1共模滤波器部18和第2共模滤波器部19被串联连接。

另外，在俯视时，使电流在第1共模滤波器部18中的第1线圈导体14以及第3线圈导体16中流动的第1方向、与电流在第2共模滤波器部19中的第2线圈导体15以及第4线圈导体17中流动的第2方向成为相反方向。关于第1～第4线圈导体14～17的缠绕方向的详情在后面叙述。

进而，在本实施方式的共模噪声滤波器中，使第1共模滤波器部18中的第1线圈导体14以及第3线圈导体16的匝数、与第2共模滤波器部19中的第2线圈导体15以及第4线圈导体17的匝数不同。

具体而言，第1共模滤波器部18中的第1线圈导体14以及第3线圈导体16的匝数均为3，而第2共模滤波器部19中的第2线圈导体15以及第4线圈导体17的匝数均为1。即，在本实施方式中，第1共模滤波器部18中的第1线圈导体14以及第3线圈导体16的匝数多于第2共模滤波器部19中的第2线圈导体15以及第4线圈导体17的匝数。

另外，在本说明书中，所谓“匝数”，设为完全环绕一周的数量，将尾数舍去。

在上述构成中，从下方起依次层叠了绝缘体层11a～11g。绝缘体层11b～11f由非磁性体的材料构成为片状，例如cu-zn铁氧体、玻璃陶瓷等绝缘性的非磁性材料。而且，绝缘体层11a、11g由cu-ni-zn铁氧体等绝缘性的磁性材料构成为片状。另外，也可以由非磁性材料来构成所有的绝缘体层11a～11g。

进而，在绝缘体层11b～11f的内部形成第1、第2线圈12、13，此外，由螺旋状的第1线圈导体14以及螺旋状的第2线圈导体15构成了第1线圈12，并由螺旋状的第3线圈导体16以及螺旋状的第4线圈导体17构成了第2线圈13。

而且，第1～第4线圈导体14～17分别通过将银等导电材料镀覆或印刷成螺旋状而形成。

第1线圈导体14形成于绝缘体层11e的上表面，第2线圈导体15形成于绝缘体层11c的上表面，第3线圈导体16形成于绝缘体层11d的上表面，第4线圈导体17形成于绝缘体层11b的上表面。

构成第1线圈12的第1、第2线圈导体14、15和构成第2线圈13的第3、第4线圈导体16、17交替地层叠。在本实施方式中，由于沿上下方向对第1～第4线圈导体14～17进行了层叠，因此也能够实现节省空间。进而，通过在俯视时将第1线圈导体14和第3线圈导体16的一部分配置于大致相同的位置，并且将电流流动的方向设为同一方向而使其进行磁耦合，从而形成了第1共模滤波器部18。同样地，通过在俯视时将第2线圈导体15和第4线圈导体17的一部分配置于大致相同的位置，并且将电流流动的方向设为同一方向而使其进行磁耦合，从而形成了第2共模滤波器部19。

进而，电流在第1共模滤波器部18的第1、第3线圈导体14、16中流动的方向、和电流在第2共模滤波器部19的第2、第4线圈导体15、17中流动的方向成为相反方向。在共模噪声进来时，在图1中，在俯视时在第1、第3线圈导体14、16中电流顺时针流动的情况下，在第2、第4线圈导体15、17中电流逆时针流动。因此，第1共模滤波器部18和第2共模滤波器部19不像现有例那样进行彼此增强的磁耦合，而作为共模噪声滤波器整体，不会获得较大的磁耦合。

而且，第1共模滤波器部18中的第1、第3线圈导体14、16的匝数(圈数)多于第2共模滤波器部19中的第2、第4线圈导体15、17的匝数(圈数)。此时，第1～第4线圈导体14～17的各导体间间距大致相同，第2、第4线圈导体15、17与第1、第3线圈导体14、16在俯视时对置。

另外，优选第2、第4线圈导体15、17的匝数为第1、第3线圈导体14、16的匝数的1/3～2/3。

进而，根据所希望的特性，可以使第2、第4线圈导体15、17的位于最外侧的部分与第1、第3线圈导体14、16的位于最外侧的部分对置，也可以使第2、第4线圈导体15、17的位于最内侧的部分与第1、第3线圈导体14、16的位于最内侧的部分对置。

此外，第1线圈导体14以及第2线圈导体15经由分别形成于绝缘体层11d、11e的第1通孔电极20a而彼此连接，从而构成第1线圈12。进而，第3线圈导体16以及第4线圈导体17经由分别形成于绝缘体层11c、11d的第2通孔电极20b而彼此连接，从而构成第2线圈13。

另外，形成于绝缘体层11d的第1通孔电极20a、和形成于绝缘体层11e的第1通孔电极20a在俯视时分别设置于相同位置。同样地，形成于绝缘体层11c的第2通孔电极20b和形成于绝缘体层11d的第2通孔电极20b也在俯视时分别设置于相同位置。此外，第1通孔电极20a、第2通孔电极20b在各绝缘体层的规定位置，用激光开孔，并在该孔填充银而形成。

另外，在本实施方式中，绝缘体层由绝缘体层11a～11g(7张片材)构成，各绝缘体层11a～11g的数量并不限于图1所示的数量。

于是，通过上述构成，从而如图2所示，形成共模噪声滤波器的主体部21。此外，在主体部21的两端面，设置第1～第4外部电极22a～22d，而且第1～第4外部电极22a～22d各自与第1～第4线圈导体14～17连接。进而，第1～第4外部电极22a～22d通过在主体部21的端面印刷银而形成。此外，在第1～第4外部电极22a～22d的表面通过镀覆而形成了镀镍层，进而，在镀镍层的表面通过镀覆而形成了锡、焊料等低熔点金属镀覆层。

如上所述在本发明的实施方式1中的共模噪声滤波器中，形成为电流在第1共模滤波器部18的第1、第3线圈导体14、16中流动的方向、和电流在第2共模滤波器部19的第2、第4线圈导体15、17中流动的方向成为相反方向。由此，能够在共模噪声进来时在2个频带中得到共模噪声衰减量。更优选为，使第1共模滤波器部18中的第1、第3线圈导体14、16的匝数、与第2共模滤波器部19中的第2、第4线圈导体15、17的匝数不同，因而在第1共模滤波器部18和第2共模滤波器部19产生不同的频率特性，由此，能够在共模噪声进来时在2个频带中得到共模噪声衰减量。

即，由于第1共模滤波器部18和第2共模滤波器部19的磁通量的产生方向相反，所以不会像现有技术那样产生第1共模滤波器部18和第2共模滤波器部19彼此增强那样的磁耦合。因此，由于在第1共模滤波器部18和第2共模滤波器部19产生不同的频率特性，所以能够获得如下效果：能够在2个频带中得到共模噪声衰减量。

接下来，对共模衰减特性进行说明。

图4是对本发明的实施方式1中的共模噪声滤波器与现有的共模噪声滤波器的共模衰减特性进行比较的图。

从图4可知，在现有技术中，仅在1个频带中得到了衰减量，而在本发明的实施方式1中，能够在2个频带中得到衰减量。

进而如图1所示，绝缘体层11e、11f(第1绝缘体层)仅与第1～第4线圈导体14～17中的第1、第3线圈导体14、16的双方或任意一方接触。此外，绝缘体层11b、11c(第2绝缘体层)仅与第2共模滤波器部19中的第2、第4线圈导体15、17的双方或任意一方接触。而且，只要使绝缘体层11e、11f的介电常数与绝缘体层11b、11c的介电常数不同，则更加优选。由于介电常数的不同从而在第1共模滤波器部18和第2共模滤波器部19产生不同的频率特性，因此能够在2个频带中得到衰减量。绝缘体层11d由于与构成第1共模滤波器部18的第3线圈导体16以及构成第2共模滤波器部19的第2线圈导体15的双方的线圈导体接触，故而不适用。

另外，如图5所示，也可以在匝数比第1共模滤波器部18中的第1、第3线圈导体14、16少的第2共模滤波器部19中的第2、第4线圈导体15、17中，在其层叠方向的外侧(下方)不形成磁性体(绝缘体层11a)。即，仅在所述多个绝缘体层的上方侧以及下方侧中的形成有匝数较多的线圈导体(第1、第3线圈导体14、16)的一侧，形成了磁性体11g。通过该构成，能够防止在第2共模滤波器部19中产生基于磁性体的磁损耗以及介电损耗，因此能够防止匝数较少一方的第2共模滤波器部19的频率特性中的共模噪声的衰减极点的频率处的阻抗下降，能够得到较高的共模衰减量。

(实施方式2)

以下，参照附图对本发明的实施方式2所涉及的共模噪声滤波器进行说明。

图6、图7是本发明的实施方式2中的共模噪声滤波器的分解立体图。另外，在该本发明的实施方式2中，针对与上述的本发明的实施方式1同样的构成，赋予同一符号并省略说明。

如图6、图7所示，在本发明的实施方式2中，与上述的本发明的实施方式1不同之处在于如下方面。

仅是第2线圈导体15和第4线圈导体17层叠的顺序进行了调换这一点不同。另外，伴随调换第2线圈导体15和第4线圈导体17层叠的顺序，线圈导体的迂回方法在实施方式1和实施方式2中多少有些不同。

如图6、图7所示，配置为由构成第1线圈12的第1线圈导体14和第2线圈导体15夹着构成第2线圈13的第3线圈导体16以及第4线圈导体17。

另外，实施方式2中的共模噪声滤波器的电路示意图与图3所示的本发明的实施方式1的电路示意图相同。

在如上构成的本实施方式2的共模噪声滤波器中，相邻的第3线圈导体16以及第4线圈导体17由于构成了第2线圈13，因而成为同电位。因此，第1共模滤波器部18与第2共模滤波器部19之间(特别是构成第1共模滤波器部18的第3线圈导体16与构成第2共模滤波器部19的第4线圈导体17之间)的杂散电容减少。故而，即使输入差动信号，对于流经第1共模滤波器部18和第2共模滤波器部19的信号，也能够抑制因其间的杂散电容而引起的劣化。因此，在本实施方式的共模噪声滤波器中，在第1共模滤波器部18和第2共模滤波器部19中，差动信号的平衡分别变得良好。结果，不仅能够在2个频带中得到衰减量，而且所输入的差动信号成分变换为共模并输出的比例降低，此外，也不会发生差动信号的损耗劣化的情况。

进而，在本发明的实施方式1、2中，优先为将构成第1线圈12的线圈导体14、15的整体的长度(第1线圈12的线路长度)和构成第2线圈13的线圈导体16、17的整体的长度(第2线圈13的线路长度)设为实质上相等。通过该构成，即使输入差动信号，通过第1线圈12的2个线圈导体14、15的各信号间、以及通过第2线圈13的2个线圈导体16、17的各信号间的、振幅以及相位的差动平衡也不会太偏离理想状态。因此，差动信号的平衡变好，也不会发生差动信号的损耗劣化的情况，并且所输入的差动信号成分变换为共模噪声并输出的比例降低。

即，在图11所示的现有的共模噪声滤波器中，在差动信号通过共模噪声滤波器内部时有可能产生共模噪声。特别是，智能电话、个人计算机等所搭载的wifi等无线功能具有2.4ghz频带、5ghz频带的通信频带，在差动信号具有2.4ghz～5ghz的频率分量的情况下，该差动信号成分的一部分会被变换为2.4ghz～5ghz的共模噪声。于是，由于该共模噪声而导致wifi等无线功能的接收灵敏度劣化。因此，需要极力抑制差动信号成分变换为共模噪声的比例，本发明的共模噪声滤波器在这一点上发挥非常有效的作用。

<线路长度的比较>

接下来，参照图8、图9来说明对线路长度不同的情况进行了比较的结果。

在图8、图9中，由实施方式1(条件1)所示的曲线图是在参照图1说明的实施方式1中的第1线圈12、第2线圈13的线路长度相同的条件下测定的结果。由实施方式1(条件2)所示的曲线图是在第1线圈12、第2线圈13的线路长度不同的条件下测定的结果。由实施方式2所示的曲线图是在参照图6说明的实施方式2中的第1线圈12、第2线圈13的线路长度相同的条件下测定的结果。

图8是对上述3个条件下的差动信号损耗进行了比较的图。

图9是对上述3个条件下的从差动模式向共模的模式变换特性进行了比较的图。

从图8、图9可知，本发明的实施方式2中的共模噪声滤波器相比于本发明的实施方式1中第1线圈12、第2线圈13的线路长度不同的情况、本发明的实施方式1中第1线圈12、第2线圈13的线路长度相同的情况当中的任意情况，在高频区域中差动信号的损耗均不会发生劣化，差动信号成分被变换为共模的比例也较低。

此外，相比于第1线圈12、第2线圈13的线路长度不同的情况，更优选将第1线圈12、第2线圈13的线路长度设为相同。进而，如图6所示，配置为由构成第1线圈12的第1线圈导体14和第2线圈导体15夹着构成第2线圈13的第3线圈导体16、第4线圈导体17，与如图1所示对第1线圈导体14、第2线圈导体15、第3线圈导体16以及第4线圈导体17进行配置使得第1线圈12和第2线圈13交替地配置的方式相比，在抑制差动信号成分变换为共模这一点上优选。

此外，也可以将位于第1共模滤波器部18与第2共模滤波器部19之间的绝缘体层11d(第3绝缘体层)的厚度设为比其他绝缘体层的厚度厚。另外也存在绝缘体层11d由多张绝缘体层形成的情况。此时，将多张绝缘体层集中作为绝缘体层11d。将对形成绝缘体层11d的多个绝缘体层整体进行合计的厚度考虑为位于第1共模滤波器部18与第2共模滤波器部19之间的绝缘体层的厚度(第3绝缘体层的厚度)。

此外，也可以将位于第1共模滤波器部18与第2共模滤波器部19之间的绝缘体层11d(第3绝缘体层)的介电常数设为比其他绝缘体层的介电常数小。

通过设为这种构成，从而第1共模滤波器部18与第2共模滤波器部19之间的杂散电容减少，因而即使输入差动信号，对于流经第1共模滤波器部18和第2共模滤波器部19的信号，也能够抑制因其间的杂散电容而引起的劣化。因此，在第1共模滤波器部18和第2共模滤波器部19中差动信号的平衡分别变得良好，也不会发生差动信号的损耗劣化的情况，并且所输入的差动信号成分被变换为共模噪声并输出的比例降低。

(实施方式3)

以下，参照附图对本发明的实施方式3所涉及的共模噪声滤波器进行说明。

图10是本发明的实施方式3中的共模噪声滤波器的分解立体图。另外，在实施方式3中，针对具有与上述的实施方式1、2同样的构成的要素，赋予同一符号并省略说明。

在实施方式3中，与参照图6说明的实施方式2不同之处在于，在第1共模滤波器部18与第2共模滤波器部19之间，配置有由第5线圈导体23和第6线圈导体24构成的第3共模滤波器部25。而且，第1线圈导体14和第2线圈导体15经由第5线圈导体23连接。此外，第3线圈导体16和第4线圈导体17经由第6线圈导体24连接。

使电流在第3共模滤波器部25中的第5线圈导体23和第6线圈导体24中流动的方向、与电流在第1共模滤波器部18中的第1线圈导体14和第3线圈导体16中流动的方向成为相反方向。于是，第5线圈导体23与第1线圈导体14以及第2线圈导体15连接，所以构成第1线圈12的一部分。进而，第6线圈导体24与第3线圈导体16以及第4线圈导体17连接，所以构成第2线圈13的一部分。

即，本实施方式的共模噪声滤波器具有：第3共模噪声滤波器部25，具有第5线圈导体23以及第6线圈导体24。而且，在第1共模滤波器部18与第2共模滤波器部19之间，配置形成第1线圈12的第5线圈导体23以及形成第2线圈13的第6线圈导体24。第1线圈导体14和第2线圈导体15经由第5线圈导体23连接。第3线圈导体16和第4线圈导体17经由第6线圈导体24连接。

此外，第1线圈导体14和第2线圈导体15通过第1通孔电极20a、第5线圈导体23、位于第5、第6线圈导体23、24的外侧的第3通孔电极20c以及迂回用导体26a而连接。

此外，第3线圈导体16和第4线圈导体17通过第2通孔电极20b、第6线圈导体24、位于第6线圈导体24的外侧的第4通孔电极20d以及迂回用导体26b而连接。另外，第5线圈导体23形成于绝缘体层11j的上表面，第6线圈导体24形成于绝缘体层11i的上表面，迂回用导体26a、26b形成于绝缘体层11h的上表面。

即，根据该构成，通过调整第3共模滤波器部25的第5线圈导体23、第6线圈导体24的长度，从而能够将构成第1线圈12的线圈导体的整体的长度设为与构成第2线圈13的线圈导体的整体的长度大致相等。

在本实施方式中，第5线圈导体23形成为第1线圈12的一部分。(参照图3以及图10参照。另外，在图3中，第5线圈导体23未图示。)第5线圈导体23经由第3通孔电极20c与第2线圈导体15连接。而且，第3通孔电极20c设置于与将第5线圈导体23作为一部分的第1线圈12连接的第2外部电极22b的附近。

同样地，第6线圈导体24形成为第2线圈13的一部分。(参照图3以及图10参照。另外，在图3中，第6线圈导体24未图示。)第6线圈导体24经由第4通孔电极20d与第4线圈导体17连接。而且，第4通孔电极20d设置于与将第6线圈导体24作为一部分的第2线圈13连接的第3外部电极22c的附近。

另外，在本实施方式中，虽然将第3通孔电极20c设置在第2外部电极22b的附近，但也可以设置在第1外部电极22a的附近。此外，虽然将第4通孔电极20d设置在第3外部电极22c的附近，但也可以设置在第4外部电极22d的附近。

由此，第3通孔电极20c、第4通孔电极20d分别形成在成为同电位的外部电极附近，因此能够确保第5线圈导体23、第6线圈导体24与外部电极的绝缘可靠性。

即，在本实施方式的共模噪声滤波器中，第5线圈导体23与第1线圈导体14的连接、以及第5线圈导体23与第2线圈导体15的连接，分别通过通孔电极20a、20c来进行。此外，第6线圈导体24与第3线圈导体16的连接、以及第6线圈导体24与第4线圈导体17的连接，分别通过通孔电极20b、20d来进行。与第5线圈导体23连接的通孔电极20a、20c的至少一部分，设置在连接了第1线圈12的外部电极22a或外部电极22b附近。进而，与第6线圈导体24连接的通孔电极20b、20d的至少一部分，设置在连接了第2线圈13的外部电极22c或外部电极22d附近。

另外，在上述的本发明的实施方式1～3中的共模噪声滤波器中，针对将第1线圈12、第2线圈13各设置一个的情况进行了说明，但也可以设置两个以上而设为阵列类型。

此外，针对将第1共模滤波器部18和第2共模滤波器部19各设置一个的情况进行了说明，但也可以设置两个以上，使得在更多的频带得到衰减量。

进而，为了提高磁耦合，也可以在绝缘体层11b～11f的中央部形成磁性部。

产业上的可利用性

本发明所涉及的共模噪声滤波器能够在2个频带中得到衰减量。特别是在作为数字设备、av设备、信息通信终端等各种电子设备的噪声对策而使用的小型且薄型的共模噪声滤波器等中有用。

符号说明

11a～11g绝缘体层

12第1线圈

13第2线圈

14第1线圈导体

15第2线圈导体

16第3线圈导体

17第4线圈导体

18第1共模滤波器部

19第2共模滤波器部

23第5线圈导体

24第6线圈导体

25第3共模滤波器部