一种防硫化和卤化且具有抗氧化功能的倒装封LED光源的制作方法

文档序号:11547040阅读:154来源:国知局
一种防硫化和卤化且具有抗氧化功能的倒装封LED光源的制造方法与工艺

本发明涉及一种防硫化和卤化且具有抗氧化功能的倒装封led光源,属于led光源技术领域。



背景技术:

led自从问世以上,受到广泛重视而得到迅速发展,是与它本身所具有的优点分不开的。这些优点概括起来是:亮度高、工作电压低、功耗小、小型化、寿命长、耐冲击和性能稳定。led的发展前景极为广阔,目前正朝着更高亮度、更高耐气候性、更高的发光密度、更高的发光均匀性方向发展。

但实际在生产使用led产品的过程中,我们经常会遭遇“产品硫化(包含硫化、卤化、氧化等污染现象)导致产品失效”等问题,这些问题给客户和生产厂家都带来一定损失,出现硫化反应后,产品功能区会黑化,光通量会逐渐下降,色温出现明显漂移。其原理是:因为贴片led的支架是在铜的基材上镀银(银层会起到发亮,反射光的作用),topled在高温焊接时,碰到了硫或硫蒸气,则会造成支架上的银层与硫发生化学反应ag+s=ags↓,形成ags,视反应量的多少,其颜色为黄色或黑色不等。最严重的银层都反应完,金丝断裂,造成led开路。可以说,封装厂商几乎是谈硫化色变。

众所周知,热塑性topled支架气密性不佳,尤其是在高温的时候,更容易造成器件吸湿污染失效,支架底部镀银层发黑,降低了器件的可靠性。



技术实现要素:

针对上述问题,本发明要解决的技术问题是提供一种防硫化和卤化且具有抗氧化功能的倒装封led光源。

本发明防硫化和卤化且具有抗氧化功能的倒装封led光源,它包含基板1、支架2、led灯3和灌装胶4,基板1的内部设置有支架2,在支架2上倒装封有led灯3,支架2内部灌装有灌装胶4。

作为优选,所述的支架2直接冲压注塑成型。

本发明的有益效果:1、基材选取灵活,可根据产品性能需求选取,铜,铝,铁等金属均可;

2、通过物理方法金属表面沉积另外一层金属或金属化合物,根据需求,可以选择性沉积,如:银可以提高基板反射率;氧化铝可以保护金属表面光泽度,防止硫化,提高反光率;氧化钛保持表面光泽度,保护表面不被硫化,卤化,氧化等污染;底部铜有助于基板上锡,底部银可以保护金属基板不被污染,提高上锡吃锡效果。

3、支架加工工艺简单,可直接冲压注塑成型,不需电镀,化学药水等一系列复杂工艺。

4、在金属基板表面进行适当处理,可有效果防止硫化,卤化,氧化等污染,故光源可以在更高温度,更恶劣环境之下使用,进一步提高产品自身性能。

5、通过对基板表面处理,可以实现一些看似非常难以实现工艺,如:在主体金属铝,铜,铁等基板上表面倒装工艺封装,底部焊锡;实现等同常规贴片产品生产使用。

附图说明:

为了易于说明,本发明由下述的具体实施及附图作以详细描述。

图1为本发明结构示意图;

图2为本发明中基板的结构示意图;

图3为本发明中支架的结构示意图;

图4为本发明中支架未灌装灌装胶的结构示意图。

具体实施方式:

如图1-4所示,本具体实施方式采用以下技术方案:它包含基板1、支架2、led灯3和灌装胶4,基板1的内部设置有支架2,在支架2上倒装封有led灯3,支架2内部灌装有灌装胶4。

作为优选,所述的支架2直接冲压注塑成型。

本具体实施方式的制备方法为:a、通过一些特殊工艺在金属基材上蒸镀金属或金属化合物,用模具冲压金属基板,做出相应图形的基板;

b、用注塑方式,把胶材,金属基板冲压出相应图形、结构的基板1;

c、在支架2上倒装封工艺,将led灯3封装进去完成led半成品,

d、led半成品经过正常灌装胶4封装工艺,做成所需求不同颜色led灯珠。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种防硫化和卤化且具有抗氧化功能的倒装封LED光源,它涉及LED光源技术领域。它包含基板(1)、支架(2)、LED灯(3)和灌装胶(4),基板(1)的内部设置有支架(2),在支架(2)上倒装封有LED灯(3),支架(2)内部灌装有灌装胶(4)。基材选取灵活,可根据产品性能需求选取,铜,铝,铁等金属均可;通过物理方法金属表面沉积另外一层金属或金属化合物,根据需求,可以选择性沉积,支架加工工艺简单,可直接冲压注塑成型,不需电镀,化学药水等一系列复杂工艺。更恶劣环境之下使用,进一步提高产品自身性能。

技术研发人员:李俊东;刘云;李绍军;袁国平;曹丽华;张路华
受保护的技术使用者:深圳市斯迈得半导体有限公司
技术研发日:2016.02.05
技术公布日:2017.08.15
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1