技术总结
本发明提出了一种绝缘层上顶层硅衬底的制造方法，包括：提供一第一半导体衬底；在该第一半导体衬底的顶面形成一第一绝缘层；对该第一半导体衬底注入氢离子束，以便在距离该第一绝缘层的顶面的预定深度处形成一氢掺杂层；提供一第二半导体衬底；在该第二半导体衬底的顶面形成一第二绝缘层；将该第一半导体衬底面对面地接合于该第二半导体衬底；在一重氢气压环境下，对该第一半导体衬底以及该第二半导体衬底进行退火；以及将部分的第一半导体衬底分离于该第二半导体衬底，以便在该第二半导体衬底之上形成一掺杂有重氢的半导体层。
技术研发人员：肖德元;张汝京
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
文档号码：201610120843
技术研发日：2016.03.03
技术公布日：2017.09.12